將圖18-3-4所示的帶電的平行板電容器C的兩個極板用絕緣工具緩緩拉大板間距離的過程中，在電容器周圍空間……（　�。�

圖18-3-4

A.會產(chǎn)生變化的磁場

B.會產(chǎn)生穩(wěn)定的磁場

C.不產(chǎn)生磁場

D.會產(chǎn)生振蕩的磁場

解析：根據(jù)麥克斯韋電磁場理論，電場周圍空間是否會產(chǎn)生磁場，產(chǎn)生什么樣的磁場，都取決于電場變化與否和如何變化.若電場不變化則其周圍就無磁場；若均勻變化，就產(chǎn)生穩(wěn)定磁場；若非均勻變化，就產(chǎn)生變化的磁場；若電場是振蕩電場，就產(chǎn)生振蕩的磁場，本題由于電容器始終跟電源相接，兩極板間電壓不變，根據(jù)可知，在d緩慢增大的過程中，E是非均勻變化的，因此在它們的周圍產(chǎn)生磁場，選項A正確.

答案：A

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：

為了探究彈簧的伸長量或壓縮量與其所受彈力間的關(guān)系，小剛和小明兩位同學(xué)利用課外活動時間到學(xué)校探究實驗室分別設(shè)計并進行了如圖甲、乙所示兩組實驗．甲圖中是將彈簧的一端固定在水平木板左端，另一端用細繩繞過定滑輪掛鉤碼，旁邊附有一豎直刻度尺，分別測出掛不同個數(shù)鉤碼（每一鉤碼質(zhì)量為50g）時繩上一定點P對應(yīng)刻度尺上的刻度；乙圖是將同一彈簧豎直放在桌面上，上端放一小托盤（托盤質(zhì)量為50g），向盤里加放鉤碼，也在旁邊豎直放一刻度尺，測出托盤對應(yīng)的刻度．實驗的數(shù)據(jù)見下表（g=10m/s2）．（圖為示意圖）
實驗甲 實驗乙
鉤碼數(shù) P點對應(yīng)刻度/cm 鉤碼數(shù) 托盤對應(yīng)刻度/cm
0 10.00 0 20.00
2 12.50 1 18.75
4 15.00 2 17.50
6 17.50 3 16.25
從上表的數(shù)據(jù)分析可以得出彈簧伸長量（或壓縮量）x與所受拉力（或壓力）F的關(guān)系可以表示成 （均用符號）
F=kx
F=kx
；該彈簧的勁度系數(shù)（伸長或壓縮單位長度所需要的力）為
40
40
N/m．

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科目：高中物理 來源： 題型：

如圖，圖（1）將一金屬薄片垂直置于磁場B中，在薄片的兩個側(cè)面a、b間通以電流I時，另外兩側(cè)c、f間產(chǎn)生電勢差，這一現(xiàn)象稱為霍爾效應(yīng)．且滿足UM=kIB/d，式中d為薄片的厚度，k為霍爾系數(shù)．
某同學(xué)通過實驗來測定該金屬的霍爾系數(shù)．已知該薄片的厚度d=0.40mm，該同學(xué)保持磁感應(yīng)強度B=0.10T不變，改變電流I的大小，測量相應(yīng)的UM，記錄數(shù)據(jù)如下表所示．
I（?10-1A） 3.0 6.0 9.0 12.0 15.0 18.0
UM（?10-1V） 1.1 1.9 3.4 4.5 6.2 6.8
精英家教網(wǎng)
（1）根據(jù)表中數(shù)據(jù)在給定坐標系中畫出圖線；
精英家教網(wǎng)
（2）利用圖線求出該材料的霍爾系數(shù)k=
 
×10-3V?m?A-1?T-1（保留2位有效數(shù)字）；
（3）利用霍爾效應(yīng)制作的霍爾元件以及傳感器，廣泛應(yīng)用于測量和自動控制等領(lǐng)域．圖（2）是霍爾測速儀的示意圖，將非磁性圓盤固定在轉(zhuǎn)軸上，圓盤的周邊等距離地嵌裝著m個永磁體，相鄰永磁體的極性相反．霍爾元件置于被測圓盤的邊緣附近．當圓盤勻速轉(zhuǎn)動時，霍爾元件輸出的電壓脈沖信號圖象如圖（3）所示．若在時間t內(nèi)，霍爾元件輸出的脈沖數(shù)目為P，則圓盤轉(zhuǎn)速N的表達式：
 
．

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科目：高中物理 來源： 題型：

如圖5-3-4所示,排球場總長為18 m,設(shè)球網(wǎng)高度為2.25 m,運動員站在離網(wǎng)?3 m的線上(圖中虛線所示)正對網(wǎng)前跳起將球水平擊出(球在飛行過程中所受空氣阻力不計).

圖5-3-4

(1)設(shè)擊球點在3 m線正上方的高度為2.5 m,試問擊球的速度在什么范圍內(nèi)才能使球既不觸網(wǎng)也不越界?

(2)若擊球點在3 m線正上方的高度小于某個值,那么無論水平擊球的速度多大,球不是觸網(wǎng)就是越界.試求這個高度(g取10 m/s2).

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科目：高中物理 來源： 題型：

如圖（1），將一金屬薄片垂直置于磁場B中，在薄片的兩個側(cè)面a、b間通以電流I時，另外兩側(cè)c、f間產(chǎn)生電勢差，這一現(xiàn)象稱為霍爾效應(yīng)。且滿足UM＝kIB/d，式中d為薄片的厚度，k為霍爾系數(shù)。

某同學(xué)通過實驗來測定該金屬的霍爾系數(shù)。已知該薄片的厚度d＝0.40mm，該同學(xué)保持磁感應(yīng)強度B＝0.10T不變，改變電流I的大小，測量相應(yīng)的UM，記錄數(shù)據(jù)如下表所示。

I（´10－1A）

3.0

6.0

9.0

12.0

15.0

18.0

UM（´10－1V）

1.1

1.9

3.4

4.5

6.2

6.8

（1）根據(jù)表中數(shù)據(jù)在給定坐標系中畫出圖線；

（2）利用圖線求出該材料的霍爾系數(shù)k=________´10－3V·m·A－1·T－1（保留2位有效數(shù)字）；

（3）利用霍爾效應(yīng)制作的霍爾元件以及傳感器，廣泛應(yīng)用于測量和自動控制等領(lǐng)域。圖（2）是霍爾測速儀的示意圖，將非磁性圓盤固定在轉(zhuǎn)軸上，圓盤的周邊等距離地嵌裝著m個永磁體，相鄰永磁體的極性相反。霍爾元件置于被測圓盤的邊緣附近。當圓盤勻速轉(zhuǎn)動時，霍爾元件輸出的電壓脈沖信號圖像如圖（3）所示。若在時間t內(nèi)，霍爾元件輸出的脈沖數(shù)目為P，則圓盤轉(zhuǎn)速N的表達式：_____________________。

 


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