【題目】如圖所示,x軸上方存在垂直紙面向外的勻強(qiáng)磁場(chǎng),坐標(biāo)原點(diǎn)處有一正離子源,單位時(shí)間在xOy平面內(nèi)發(fā)射n0個(gè)速率為υ的離子,分布在y軸兩側(cè)各為θ的范圍內(nèi)。在x軸上放置長(zhǎng)度為L的離子收集板,其右端點(diǎn)距坐標(biāo)原點(diǎn)的距離為2L,當(dāng)磁感應(yīng)強(qiáng)度為B0時(shí),沿y軸正方向入射的離子,恰好打在收集板的右端點(diǎn)。整個(gè)裝置處于真空中,不計(jì)重力,不考慮離子間的碰撞,忽略離子間的相互作用。

(1)求離子的比荷;

(2)若發(fā)射的離子被收集板全部收集,求θ的最大值;

(3)假設(shè)離子到達(dá)x軸時(shí)沿x軸均勻分布。當(dāng)θ=370,磁感應(yīng)強(qiáng)度在B0 ≤B≤ 3B0的區(qū)間取不同值時(shí),求單位時(shí)間內(nèi)收集板收集到的離子數(shù)n與磁感應(yīng)強(qiáng)度B之間的關(guān)系(不計(jì)離子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間)

【答案】(1)(2)(3)時(shí),;時(shí),;時(shí),有

【解析】(1)洛倫茲力提供向心力,故,

圓周運(yùn)動(dòng)的半徑R=L,解得

(2)y軸正方向夾角相同的向左和向右的兩個(gè)粒子,達(dá)到x軸位置相同,當(dāng)粒子恰好達(dá)到收集板最左端時(shí),達(dá)到最大,軌跡如圖1所示,

根據(jù)幾何關(guān)系可知,解得

(3),全部收集到離子時(shí)的最小半徑為R,如圖2,有,

解得

當(dāng)時(shí),所有粒子均能打到收集板上,有

,恰好收集不到粒子時(shí)的半徑為,有,即

當(dāng)時(shí),設(shè),解得

當(dāng)時(shí),所有粒子都不能打到收集板上,

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

【題目】如圖所示,AB是兩塊豎直放置的平行金屬板,相距為3L,分別帶有等量的正、負(fù)電荷,在兩板間形成電場(chǎng)強(qiáng)度大小為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)。A板上有一小孔(它的存在對(duì)兩板間勻強(qiáng)電場(chǎng)分布的影響可忽略不計(jì)),孔中有一條與板垂直的水平光滑絕緣軌道,一個(gè)質(zhì)量為m,電荷量為qq>0)的小球(可視為質(zhì)點(diǎn)),在外力作用下靜止在軌道的P點(diǎn)處,已知P點(diǎn)與B板距離為2L。一自然長(zhǎng)度為L的輕彈簧左端固定在距A板左側(cè)L處擋板上,右端固定一塊輕小的絕緣材料制成的薄板Q。撤去外力釋放帶電小球,它將在電場(chǎng)力作用下由靜止開(kāi)始向左運(yùn)動(dòng),穿過(guò)小孔后(不與金屬板A接觸)與薄板Q一起壓縮彈簧,由于薄板Q及彈簧的質(zhì)量都可以忽略不計(jì),可認(rèn)為小球與Q接觸過(guò)程中不損失機(jī)械能。小球從接觸Q開(kāi)始,經(jīng)過(guò)一段時(shí)間第一次把彈簧壓縮至最短,然后又被彈簧彈回。由于薄板Q的絕緣性能有所欠缺,使得小球每次離開(kāi)Q瞬間,小球的電荷量都損失一部分,而變成剛與Q接觸時(shí)小球電荷量的1/2。求:

(1)彈簧第一次壓縮到最左邊時(shí)的彈性勢(shì)能Ep

(2)小球在第二次回到P點(diǎn)處時(shí)的速度大小v;

(3)設(shè)小孔右側(cè)的軌道粗糙,帶電小球與軌道間的滑動(dòng)摩擦力fqE/4,小球停止運(yùn)動(dòng)時(shí)與B板間的距離s

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

【題目】如圖甲所示,20匝的線圈兩端M、N與一個(gè)電壓表相連,線圈內(nèi)有指向紙內(nèi)方向的磁場(chǎng),線圈中的磁通量在按圖乙所示規(guī)律變化。下列說(shuō)法正確的是

A線圈中產(chǎn)生的感生電場(chǎng)沿順時(shí)針?lè)较?/span>

B電壓表的正接線柱接線圈的N端

C線圈中磁通量的變化率為15Wb/s

D電壓表的讀數(shù)為10V

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

【題目】如圖所示,位于豎直平面內(nèi)的矩形金屬線圈,邊長(zhǎng),其匝數(shù)匝,總電阻,線圈的兩個(gè)末端分別與兩個(gè)彼此絕緣的銅環(huán)、(集流環(huán))焊接在一起,并通過(guò)電刷和的定值電阻相連接.線圈所在空間存在水平向右的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度,在外力驅(qū)動(dòng)下線圈繞豎直固定中心軸勻速轉(zhuǎn)動(dòng),角速度.求:

)從圖示位置開(kāi)始計(jì)時(shí),請(qǐng)寫出上的電流的瞬時(shí)值表達(dá)式.

)從線圈通過(guò)中性面(即線圈平面與磁場(chǎng)方向垂直的位置)開(kāi)始計(jì)時(shí),經(jīng)過(guò)周期通過(guò)電阻的電荷量;

)在線圈轉(zhuǎn)動(dòng)一周的過(guò)程中,整個(gè)電路產(chǎn)生的焦耳熱.

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

【題目】在測(cè)定玻璃的折射率實(shí)驗(yàn)時(shí)

(1)下列說(shuō)法正確的是_____

A.入射角越大,誤差越小

B.在白紙上放好玻璃磚后,用鉛筆貼著光學(xué)面畫出界面

C.實(shí)驗(yàn)時(shí)即可用量角器,也可用圓規(guī)和直尺等工具進(jìn)行測(cè)量

D.判斷像與針是否在同一直線時(shí),應(yīng)該觀察大頭針的頭部

(2)小時(shí)同學(xué)在插針時(shí)玻璃磚的位置如圖1所示。根據(jù)插針與紙上已畫的界面確定入射點(diǎn)與出射點(diǎn),依據(jù)上述操作所測(cè)得的折射率_________(填偏大”、“偏小不變”)

(3)小明同學(xué)經(jīng)正確操作后,在紙上留下四枚大頭針的位置P1P2、P3、P4,ABCD是描出的下班磚的兩個(gè)邊,如圖2所示,請(qǐng)?jiān)诖痤}紙上畫出光路圖________。

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

【題目】對(duì)于萬(wàn)有引力定律的表達(dá)式,下面說(shuō)法中正確的是(

A. 公式中G為引力常量,牛頓通過(guò)實(shí)驗(yàn)測(cè)出了其數(shù)值

B. 當(dāng)r趨近于零時(shí),萬(wàn)有引力趨于無(wú)窮大

C. m1m2受到的引力大小總是相等的,方向相反,是一對(duì)平衡力

D. m1m2受到的引力總是大小相等的,而與m1、m2是否相等無(wú)關(guān)

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

【題目】刀削面是西北人喜歡的面食之一,因其風(fēng)味獨(dú)特,馳名中外.刀削面全憑刀削,因此得名.如圖所示,將一鍋水燒開(kāi),拿一塊面團(tuán)放在鍋旁邊較高處,用一刀片飛快的水平削下一片片很薄的面片兒,面片便飛向鍋里,若面團(tuán)到鍋的上沿的豎直距離為,最近的水平距離為,鍋的半徑為.要想使削出的面片落入鍋中.

)面片從拋出到鍋的上沿在空中運(yùn)動(dòng)時(shí)間?

)面片的水平初速度的范圍?(

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

【題目】在光滑水平面上,一質(zhì)量為,邊長(zhǎng)為的正方形導(dǎo)線框,在水平向右的恒力F的作用下穿過(guò)某勻強(qiáng)磁場(chǎng),該磁場(chǎng)的方向豎直向下。寬度為,俯視圖如圖所示。已知dc邊進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速度為, ab邊離開(kāi)磁場(chǎng)時(shí)的速度仍為。下列說(shuō)法正確的是(

A. 線框進(jìn)入和離開(kāi)磁場(chǎng)時(shí)產(chǎn)生的感應(yīng)電流方向相同

B. 線框進(jìn)入和離開(kāi)磁場(chǎng)時(shí)受到的安培力方向相反

C. 線框穿過(guò)磁場(chǎng)的過(guò)程中一直做勻速直線運(yùn)動(dòng)

D. 線框穿過(guò)磁場(chǎng)過(guò)程中恒力F做的功等于線框產(chǎn)生的焦耳熱

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

【題目】下列說(shuō)法中正確的是____.

A. 一定質(zhì)量的理想氣體的內(nèi)能隨著溫度升高一定增大

B. 第一類永動(dòng)機(jī)和第二類永動(dòng)機(jī)研制失敗的原因是違背了能量守恒定律

C. 當(dāng)分子間距r>r0時(shí),分子間的引力隨著分子間距的增大而增大,分子間的斥力隨著分子間距的增大而減小,所以分子力表現(xiàn)為引力

D. 大霧天氣學(xué)生感覺(jué)到教室潮濕,說(shuō)明教室內(nèi)的相對(duì)濕度較大

E. 一定質(zhì)量的單晶體在熔化過(guò)程中分子勢(shì)能一定是增大的

查看答案和解析>>

同步練習(xí)冊(cè)答案