分析 (1)離子在電場(chǎng)中做加速運(yùn)動(dòng),由動(dòng)能定理可求得離子在漂移區(qū)的速度;
(2)根據(jù)運(yùn)動(dòng)學(xué)公式求出兩次加速的末速度,再求兩次加速的時(shí)間,根據(jù)總時(shí)間為t,求出粒子的比荷
(3)畫出運(yùn)動(dòng)軌跡,根據(jù)洛倫茲力提供向心力列式,再結(jié)合幾何關(guān)系即可求解
解答 解:(1)離子在電場(chǎng)中加速,在漂移區(qū)勻速
$\frac{1}{2}m{v}_{\;}^{2}=EqS+2Eq•1.5S$①
$k=\frac{k}{m}$②
由①②式得:$v=2\sqrt{2kES}$
(2)離子兩次加速,一次勻速運(yùn)動(dòng)
${v}_{1}^{2}=2k′ES$③
${v}_{2}^{2}-{v}_{1}^{2}=2k′2E•1.5S$④
$t=\frac{2S}{{v}_{1}^{\;}}+\frac{3S}{{v}_{2}^{\;}+{v}_{1}^{\;}}+\frac{10S}{{v}_{2}^{\;}}$⑤
由③④⑤式得:$k′=\frac{32S}{E{t}_{\;}^{2}}$
(3)如圖運(yùn)動(dòng)軌跡,正離子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)半徑為r,圓形磁場(chǎng)半徑為R
$Bqv=m\frac{{v}_{\;}^{2}}{r}$⑥
$tanθ=\frac{H}{L-R}$⑦
$tan\frac{1}{2}θ=\frac{r}{R}$⑧
由⑥⑦⑧式得R=4S
答:(1)若正離子的比荷為k,在漂移區(qū)運(yùn)動(dòng)的速度大小為$2\sqrt{2kES}$
(2)若探測(cè)器測(cè)得某一正離子,在兩個(gè)加速電場(chǎng)和漂移區(qū)運(yùn)動(dòng)的總時(shí)間為t,則該正離子的比荷為$\frac{32S}{E{t}_{\;}^{2}}$
(3)圓形磁場(chǎng)的半徑R為4S.
點(diǎn)評(píng) 本題考查了帶電粒子在電場(chǎng)中的加速和磁場(chǎng)中的偏轉(zhuǎn),綜合性較強(qiáng),對(duì)學(xué)生的能力要求較高,關(guān)鍵作出粒子的運(yùn)動(dòng)軌跡,選擇合適的規(guī)律進(jìn)行求解
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 無(wú)論在什么情況下,只要閉合電路中有磁通量,電路中就一定產(chǎn)生感應(yīng)電流 | |
B. | 閉合電路中的一部分導(dǎo)體在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí),電路中就會(huì)產(chǎn)生感應(yīng)電流 | |
C. | 閉合電路中的一部分導(dǎo)體平行于磁場(chǎng)方向運(yùn)動(dòng)時(shí),電路中就會(huì)產(chǎn)生感應(yīng)電流 | |
D. | 閉合電路中的--部分導(dǎo)體在磁場(chǎng)中做切割磁感應(yīng)線運(yùn)動(dòng)時(shí),電路中就會(huì)產(chǎn)生感應(yīng)電流 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 從B到C,小球克服摩擦力做功為mgR | |
B. | 從B到C,小球與軌道之間摩擦力逐漸減小 | |
C. | 在C點(diǎn),小球?qū)壍赖膲毫Υ笮〉扔趍g | |
D. | A、B兩點(diǎn)間的距離為$\sqrt{\frac{7}{12}}$R |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 該物體在任1s末的速度比該秒的初速度大3m/s | |
B. | 該物體在任1s末的速度是該秒初速度的3倍 | |
C. | 該物體在第1s末的速度為3m/s | |
D. | 該物體在任1s初的速度比前1s末的速度大3m/s |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:填空題
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