如圖所示是質(zhì)譜儀示意圖，圖中離子源S產(chǎn)生電荷量為q的離子，經(jīng)電壓為U的電場加速后，由A點(diǎn)垂直射人磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的有界勻強(qiáng)磁場中，經(jīng)過半個圓周，打在磁場邊界底片上的P點(diǎn)，測得PA=d，求離子的質(zhì)量m．
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粒子在電場中加速出射速度為”，由動能定理得qU=
1
2
mv2①
離子在磁場中做勻速圓周運(yùn)動qvB=m
v2
R
②
由幾何關(guān)系，2R=d③
由以上各式解得：m=
qB2d2
8U

答：離子的質(zhì)量為
qB2d2
8U
．
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：

如圖所示是質(zhì)譜儀示意圖，圖中離子源S產(chǎn)生電荷量為q的離子，經(jīng)電壓為U的電場加速后，由A點(diǎn)垂直射人磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的有界勻強(qiáng)磁場中，經(jīng)過半個圓周，打在磁場邊界底片上的P點(diǎn)，測得PA=d，求離子的質(zhì)量m．

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科目：高中物理 來源： 題型：

如圖所示是質(zhì)譜儀示意圖，圖中離子源S產(chǎn)生電荷量為q的離子，經(jīng)電壓為U的電場加速后，由A點(diǎn)垂直射人磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的有界勻強(qiáng)磁場中，經(jīng)過半個圓周，打在磁場邊界底片上的P點(diǎn)，測得PA=d，求離子的質(zhì)量m。

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科目：高中物理 來源： 題型：

（8分）如圖所示是質(zhì)譜儀示意圖，圖中離子源S產(chǎn)生電荷量為q的離子，經(jīng)電壓為U的電場加速后，由A點(diǎn)垂直射人磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的有界勻強(qiáng)磁場中，經(jīng)過半個圓周，打在磁場邊界底片上的P點(diǎn)，測得PA=d，求離子的質(zhì)量m。

 

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科目：高中物理 來源：2011-2012學(xué)年山東省兗州市高三入學(xué)檢測物理試卷 題型：計算題

（10分）如圖所示是質(zhì)譜儀示意圖，圖中離子源S產(chǎn)生電荷量為q的離子，經(jīng)電壓為U的電場加速后，由A點(diǎn)垂直射人磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的有界勻強(qiáng)磁場中，經(jīng)過半個圓周，打在磁場邊界底片上的P點(diǎn)，測得PA=d，求離子的質(zhì)量m。

 

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科目：高中物理 來源：2010年山東省濰坊市高三上學(xué)期開學(xué)摸底考試物理試題 題型：計算題

（8分）如圖所示是質(zhì)譜儀示意圖，圖中離子源S產(chǎn)生電荷量為q的離子，經(jīng)電壓為U的電場加速后，由A點(diǎn)垂直射人磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的有界勻強(qiáng)磁場中，經(jīng)過半個圓周，打在磁場邊界底片上的P點(diǎn)，測得PA=d，求離子的質(zhì)量m。

 

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