一個帶正電的質(zhì)點，電量q=2.0×10-9C，在靜電場中由a點移到b點，在這過程中，除電場力外，其它力做的功為6.0×10-5J，質(zhì)點的動能增加了8.0×10-5J，則a、b兩點間的電勢差Ua- Ub為(     )

A．3×104V。 B．1×104V C．4×104V   D．7×104V     

兩帶電小球，電量分別為+q和-q，固定在一長度為1的絕緣細桿的兩端，置于電場強度為E的勻強電場中，桿與場強方向平行。若此桿繞過O點垂直于杜的軸線轉(zhuǎn)過1800，則在此轉(zhuǎn)動過程中電場力做的功為（    ）

A．零       B．qEl      C．2qEl         D．πqEl

一個點電荷從靜電場中的a點移到b點，其電勢能的變化為零，則（ ）

A．a(chǎn)、b兩點的場強一定相等

B．該點電荷一定沿等勢面移動

C．作用于該點電荷的電場力與其移動方向總是垂直的

D．a(chǎn)、b兩點的電勢一定相等

如圖所示的電場線，正電荷q在電場力的作用下從A點移動到B點，則（   ）

A．q受到的電場力逐漸增大        B．q的加速度逐漸增大

C．q動能逐漸增大                D．q的電勢能逐漸增大

在x軸上有兩個點電荷，一個帶正電荷Q1，一個帶負電荷Q2，Q1=2Q2，用E1和E2，分別表示兩個電荷所產(chǎn)生場強的大小，則在x軸上（      ）

A．E1=E2之點只有一處，該處合場強為零

B．E1=E2之點只有兩處，一處合場強為零，另一處合場強為2E2

C．E1=E2之點只有三處，其中兩處合場強為零，另一處合場強為2E2

D．E1=E2之點只有三處，其中兩處合場強為零，另兩處合場強為2E2

關(guān)于靜電場中的電場線，以下說法中正確的是（  ）

A．電場線都是閉合曲線

B．電場線總是從正電荷出發(fā)到負電荷終止或延伸到無限遠

C．已知一條電場線，就一下能確定電場線的所在處的電場強度

D．可以通過實驗看到電場線

電場強度E的定義式為E=F/q，下面說法中正確的是（ ）

A．該定義只適用于點電荷產(chǎn)生的電場

B．上式中，F(xiàn)是放入電場中的點電荷所受的電場力，q是放入電場中的點電荷的電量C．上式中，F(xiàn)是放入電場中的點電荷所受的電場力，q是產(chǎn)生電場的電荷的電量

D．在庫侖定律的表達式F=kq1q2/r2是點電荷q2產(chǎn)生的電場在點電荷q1處的場強大�。欢鴎q1/r2是點電荷q1產(chǎn)生的電場在點電荷q2處的場強大小

如圖所示，離子源A產(chǎn)生的初速度為零、帶電荷量均為e、質(zhì)量不同的正離子被電壓為U0的加速電場加速后勻速通過準直管，垂直射入勻強偏轉(zhuǎn)電場，偏轉(zhuǎn)后通過極板HM上的小孔S離開電場，經(jīng)過一段勻速直線運動，垂直于邊界MN進入磁感應(yīng)強度為B的勻強磁場。已知HO＝d，HS＝2d，∠MNQ＝90°。（忽略離子所受重力）

（1）求偏轉(zhuǎn)電場場強E0的大小以及HM與MN的夾角Φ；

（2）求質(zhì)量為m的離子在磁場中做圓周運動的半徑；

（3）若質(zhì)量為4m的離子垂直打在NQ的中點S1處，質(zhì)量為16m的離子打在S2處，求S1和S2之間的距離以及能打在NQ上的正離子的質(zhì)量范圍。

如圖所示，足夠長的光滑平行金屬導(dǎo)軌MN、PQ固定在同一水平面上，兩導(dǎo)軌間距L=0.30  m。導(dǎo)軌電阻忽略不計，其間連接有定值電阻R=0.40 Ω。導(dǎo)軌上靜置一質(zhì)量m=0.10 kg、電阻r=0.20 Ω的金屬桿ab，整個裝置處于磁感應(yīng)強度B=0.50 T的勻強磁場中，磁場方向豎直向下。用一外力F沿水平方向拉金屬桿ab，使它由靜止開始運動（金屬桿與導(dǎo)軌接觸良好并保持與導(dǎo)軌垂直），電流傳感器（不計傳感器的電阻）可將通過R的電流I即時采集并輸入計算機，獲得電流I隨時間t變化的關(guān)系如圖所示。求金屬桿開始運動2.0 s時：

（1）金屬桿ab受到安培力的大小和方向；

（2）金屬桿的速率；

（3）對圖象分析表明，金屬桿在外力作用下做的是勻加速運動，加速度大小a=0.40 m/s2，計算2.0 s時外力F做功的功率。

）兩質(zhì)量分別為M1和M2的劈A和B，高度相同，放在光滑水平面上，A和B的傾斜面都是光滑曲面，曲面下端與水平面相切，如圖所示，一質(zhì)量為m的物塊位于劈A的傾斜面上，距水平面的高度為h。物塊從靜止滑下，然后又滑上劈B。求物塊在B上能夠達到的最大高度。