12．一質(zhì)點(diǎn)沿一邊長為2m的正方形軌道運(yùn)動(dòng)，每秒鐘勻速移動(dòng)1m，初始位置在bc邊的中點(diǎn)A，由b向c運(yùn)動(dòng)，如圖所示，A、B、C、D分別是bc、cd、da、ab邊的中點(diǎn)，則下列說法正確的是（　�。�

	A．	第2 s末的瞬時(shí)速度是$\frac{\sqrt{2}}{2}$ m/s		B．	前2s內(nèi)的平均速度為$\frac{\sqrt{2}}{2}$m/s
	C．	前4s內(nèi)的平均速率為0.5 m/s		D．	前2s內(nèi)的平均速度為2 m/s

11．鉆石是手飾和高強(qiáng)度的鉆頭、刻刀等工具中的主要材料，設(shè)鉆石密度為ρ（單位為kg/m³），摩爾質(zhì)量為M（單位為g/mol），阿伏加德羅常數(shù)為NA，請(qǐng)寫出a 克拉鉆石所含有的分子數(shù)和每個(gè)鉆石分子直徑的表達(dá)式．（1克拉=0.2克）

10．下列說法正確的是（　�。�

	A．	氣體的體積變小時(shí)，單位體積的分子數(shù)增多，單位時(shí)間內(nèi)打到器壁單位面積上的分子數(shù)增多，從而氣體的壓強(qiáng)一定增大
	B．	氣體膨脹，它的內(nèi)能一定減少
	C．	已知阿伏加德羅常數(shù)、某氣體的摩爾質(zhì)量和密度，就可估算出該氣體中分子的平均距離
	D．	對(duì)于一定量的理想氣體，當(dāng)分子熱運(yùn)動(dòng)變劇烈時(shí)，壓強(qiáng)必變大

9．地球的半徑為R₀，地面的重力加速度為g，一個(gè)質(zhì)量為m的人造衛(wèi)星，在離地面高度為h=R₀的圓形軌道上繞地球運(yùn)行，則（　�。�

	A．	人造衛(wèi)星的角速度為$\sqrt{\frac{g}{{8{R_0}}}}$		B．	人造衛(wèi)星的周期$T=2π\(zhòng)sqrt{\frac{{2{R_0}}}{g}}$
	C．	人造衛(wèi)星受到地球的引力為$F=\frac{1}{2}mg$		D．	人造衛(wèi)星的速度$v=\sqrt{{R_0}g}$

8．某學(xué)生在“研究勻變速直線運(yùn)動(dòng)”的實(shí)驗(yàn)中得到了一條如圖所示的紙帶，測出相鄰計(jì)數(shù)點(diǎn)間的距離分別為s₁=2.60cm，s₂=4.14cm，s₃=5.69cm，s₄=7.22cm，s₅=8.75cm，s₆=10.29cm，已知打點(diǎn)計(jì)時(shí)器的打點(diǎn)間隔T=0.02s，則物體運(yùn)動(dòng)的加速度計(jì)算表達(dá)式為a=$\frac{{（s}_{4}+{{s}_{5}+s}_{6}）-{（s}_{1}+{{s}_{2}+s}_{3}）}{3{6T}^{2}}$，代入數(shù)據(jù)，可得加速度a=9.60m/s²（計(jì)算結(jié)果保留三位有效數(shù)字）．

7．如圖，長為2L的輕桿兩端分別固定質(zhì)量均為m的兩小球P、Q，桿可繞中點(diǎn)的軸O在豎直平面內(nèi)無摩擦轉(zhuǎn)動(dòng)．若給P球一個(gè)大小為$\sqrt{2gL}$的速度，使P、Q兩球在豎直面內(nèi)做勻速圓周運(yùn)動(dòng)．不計(jì)空氣阻力，重力加速度為g，下列說法正確的是（　　）

	A．	Q球在運(yùn)動(dòng)過程中機(jī)械能守恒
	B．	P從最高點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到最低點(diǎn)過程中桿對(duì)其做功為2mgL
	C．	水平位置時(shí)桿對(duì)P的作用力大小為$\sqrt{5}$mg
	D．	Q到達(dá)最高點(diǎn)時(shí)桿對(duì)其作用力大小為$\frac{2}{3}$mg

6．一個(gè)平行板電容器，使它各板電荷量從Q₁=3.0×10^-6C增加到Q₂=3.6×10^-6C時(shí)，兩板間的電勢從U₁=10V增加到U₂=12V，這個(gè)電容器的電容是3×10^-7F，如果使兩板間電勢差從U₁=10V降到U₂=6V，則各板需減少1.2×10^-6C電荷量？

5．細(xì)胞膜也稱生物膜或質(zhì)膜．是由類脂、蛋白質(zhì)和糖類組成．質(zhì)膜中的類脂也稱膜脂，是質(zhì)膜的基本骨架，膜蛋白質(zhì)是膜功能的主要體現(xiàn)者．如果細(xì)胞膜的厚度約等于800nm（1nm=10^-9 m），當(dāng)膜的內(nèi)外層間的電壓達(dá)到0.4V時(shí)，即可讓一價(jià)鈉離子滲透．設(shè)細(xì)胞膜內(nèi)的電場為勻強(qiáng)電場，則鈉離子在滲透時(shí)（　�。�

	A．	膜內(nèi)電場強(qiáng)度約為4×105 V/m
	B．	膜內(nèi)電場強(qiáng)度約為2×105 V/m
	C．	每個(gè)鈉離子沿電場方向透過膜時(shí)電場力做功約為6.4×10-20 J
	D．	每個(gè)鈉離子沿電場方向透過膜時(shí)電場力做功約為1.6×10-19 J

4．關(guān)于電勢的高低，下列說法正確的是（　�。�

	A．	沿著電場線的方向電勢不一定降低
	B．	電勢降低的方向一定是電場線的方向
	C．	正電荷只在電場力的作用下，一定向電勢低的地方移動(dòng)
	D．	負(fù)電荷只在電場力的作用下，由靜止釋放，一定向電勢高的地方移動(dòng)

3．如圖所示，AOB是光滑水平軌道，BC是半徑為R的光滑的$\frac{1}{4}$固定圓弧軌道，兩軌道恰好相切．質(zhì)量為M=3m的小木塊靜止在O點(diǎn)，一個(gè)質(zhì)量為m的子彈以某一初速度水平向右射入小木塊內(nèi)，并留在其中和小木塊一起運(yùn)動(dòng)．且恰能到達(dá)圓弧軌道的最高點(diǎn)C（木塊和子彈均可以看成質(zhì)點(diǎn)）．
①求子彈射入木塊前的速度．
②若每當(dāng)小木塊返回到O點(diǎn)或停止在O點(diǎn)時(shí)，立即有相同的子彈射入小木塊，并留在其中，則當(dāng)?shù)?顆子彈射入小木塊后，小木塊沿圓弧軌道能上升的最大高度為多少？