【題目】在如圖所示的坐標系中，第一和第二象限（包括y軸的正半軸）內存在磁感應強度大小為B、方向垂直xOy平面向里的勻強磁場；第三和第四象限內存在平行于y軸正方向、大小未知的勻強電場。p點為y軸正半軸上的一點，坐標為（0，）；n點為y軸負半軸上的一點，坐標未知�，F有一質量為m電荷量為q帶正電的粒子由p點沿y軸正方向以一定的速度射入勻強磁場，該粒子經磁場偏轉后以與x軸正方向成45°角的方向進入勻強電場，在電場中運動一段時間后，該粒子恰好垂直于y軸經過n點，粒子的重力忽略不計。求：

（1）粒子在p點的速度大��；

（2）第三和第四象限內的電場強度的大��；

（3）帶電粒子從由p點進入磁場到第二次通過x軸的總時間.

（1）活塞靜止時，求氣缸內氣體的壓強；

（2）若降低氣內氣體的溫度，當活塞A緩慢向右移動L時，求氣缸內氣體的溫度．

（1）該光在介質中發(fā)生全反射的臨界角C；

（2）DE的長度x。

（1）求第一秒內流過ab電流的大小及方向；

（2）求ab棒進磁場瞬間的加速度大�。�

（3）導體棒最終停止在導軌上，求全過程回路中產生的焦耳熱．

【題目】電子對湮滅是指電子和正電子碰撞后湮滅，產生伽馬射線。如圖所示，在豎直面xOy內，第I象限內存在平行于y軸的勻強電場E，第II象限內存在垂直于面xOy向外的勻強磁場B1，第IV象限內存在垂直于面xOy向外的矩形勻強磁場B2（圖中未畫出）。點A、P位于x軸上，點C、Q位于y軸上，且OA距離為L．某t0時刻，速度大小為v0的正電子從A點沿y軸正方向射入磁場，經C點垂直y軸進入第I象限，最后以的速度從P點射出。同一t0時刻，另一速度大小為的負電子從Q點沿與y軸正半軸成角的方向射入第IV象限，后進入未知矩形磁場區(qū)域，離開磁場時正好到達P點，且恰好與P點出射的正電子正碰湮滅，即相碰時兩電子的速度方向相反。若已知正負電子的質量均為m、電荷量大小為e、電子重力不計。求：

(1)第II象限內磁感應強度的大小B1

(2)電場強度E及正電子從C點運動至P點的時間

(3)Q點的縱坐標及第IV象限內矩形磁場區(qū)域的最小面積S

(1)P到達B點時的速度大小v及其與Q碰撞前瞬間的速度大小v1；

(2)Q運動的時間t.

電阻箱R，定值電阻Rn，兩個電流表A1、A2，電鍵S1，單刀雙擲開關S2，待測電源，導線若干。實驗小組成員設計如圖甲所示的電路圖。

（1）閉合電鍵S1，斷開單刀雙擲開關S2，調節(jié)電阻箱的阻值為R1，讀出電流表A2的示數I0；將單刀雙擲開關S2合向1，調節(jié)電阻箱的阻值，使電流表A2的示數仍為I0，此時電阻箱阻值為R2，則電流表A1的阻值RA1＝_____。

（2）將單刀雙擲開關S2合向2，多次調節(jié)電阻箱的阻值，記錄每次調節(jié)后的電阻箱的阻值R及電流表A1的示數I，實驗小組成員打算用圖象分析I與R的關系，以電阻箱電阻R為橫軸，為了使圖象是直線，則縱軸y應取_____。

A．I B．I2 C．1/I D．1/I2

（3）若測得電流表A1的內阻為1Ω，定值電阻R0＝2Ω，根據（2）選取的y軸，作出y﹣R圖象如圖乙所示，則電源的電動勢E＝_____V，內阻r＝_____Ω。

（4）按照本實驗方案測出的電源內阻值_____。（選填“偏大”、“偏小”或“等于真實值”）

【題目】某同學設計了如下實驗裝置，用來測定小滑塊與桌面間的動摩擦因數。如圖甲所示，水平桌面上有一滑槽，其末端與桌面相切，桌面與地面的高度差為。讓小滑塊從滑槽的最高點由靜止滑下，滑到桌面上后再滑行一段距離，隨后離開桌面做平拋運動，落在水面地面上的點，記下平拋的水平位移。平移滑槽的位置后固定，多次改變距離，每次讓滑塊從滑槽上同一高度釋放，得到不同的水平位移。作出圖像，即可根據圖像信息得到滑塊與桌面間的動摩擦因數（重力加速度為g）

(1)每次讓滑塊從滑槽上同一高度釋放，是為了____________

(2)若小滑塊離開桌面時的速度為v，隨著L增大v將會_____（選填增大、不變或減�。�

(3)若已知圖像的斜率絕對值為，如圖乙所示，則滑塊與桌面間的動摩擦因數____（用本題中提供的物理量符號表示）

A.圖乙可以表示質點b的振動

B.在0~0.25s和0.25~0.5s兩段時間內，質點b運動位移相同

C.該波傳播速度為v＝16m/s

D.質點a在t=1s時位于波谷

E.質點d 簡諧運動的表達式為y=0.1sinπt（m）

A.物塊與平板小車間的動摩擦因數μ=0.4

B.恒力F=0.5N

C.物塊與小車間的相對位移

D.小物塊向右滑動的最大位移是