如圖所示，AOB是由某種透明物質(zhì)制成的圓柱體橫截面（O為圓心）折射率。今有一束平行光以45°的入射角向柱體的OA平面，這些光線中有一部分不能從柱體的AB面上射出，設(shè)凡射到OB面的光線全部被吸收，也不考慮OA面的反射，求圓柱AB面上能射出光線的部分占AB表面的幾分之幾？

一振動周期為T、位于x＝0處的波源從平衡位置開始沿y軸正方向做簡諧運動，該波源產(chǎn)生的簡諧橫波沿x軸正方向傳播，波速為v，關(guān)于在處的質(zhì)點P，下列說法正確的是   （      ）

A．質(zhì)點P振動周期為T ，速度的最大值為v

B．若某時刻質(zhì)點P振動的速度方向沿y軸負(fù)方向，則該時刻波源處質(zhì)點振動的速度方向沿y軸正方向

C．質(zhì)點P開始振動的方向沿y軸正方向

D．若某時刻波源在波峰，則質(zhì)點P一定在波谷

E. 若某時刻波源在波谷，則質(zhì)點P也一定在波谷

一氣象探測氣球，在充有壓強為1.OOatm（即76.0cmHg）、溫度為27.0℃的氦氣時，體積為3.50m³.在上升至海拔6.50km高空的過程中，氣球內(nèi)氦氣逐漸減小到此高度上的大氣壓36.0cmGg，氣球內(nèi)部因啟動一持續(xù)加熱過程而維持其溫度不變.此后停止加熱，保持高度不變.已知在這一海拔高度氣溫為-48.0℃.求：

（1）氦氣在停止加熱前的體積

（2）氦氣在停止加熱較長一段時間后的體積

（3）若忽略氣球內(nèi)分子間相互作用，停止加熱后，氣球內(nèi)氣體吸熱還是放熱？簡要說明理由。

下列說法中正確的是 （      ）

A．隨著低溫技術(shù)的發(fā)展，我們可以使溫度逐漸降低，但最終還是達(dá)不到絕對零度

B．用手捏面包，面包體積會縮小，說明分子之間有間隙

C．分子間的距離r存在某一值r₀，當(dāng)r大于r₀時，分子間斥力大于引力；當(dāng)r小于r₀時分子間斥力小于引力

D．由于液體表面分子間距離大于液體內(nèi)部分子間的距離，液面分子間表現(xiàn)為引力，所以液體表面具有收縮的趨勢

E.溫度越高,分子熱運動的平均速度就越大

如圖（a）所示，一導(dǎo)熱性能良好、內(nèi)壁光滑的氣缸水平放置，橫截面積為S＝2×10^-3m²、質(zhì)量為m＝4kg厚度不計的活塞與氣缸底部之間封閉了一部分氣體，此時活塞與氣缸底部之間的距離為24cm，在活塞的右側(cè)12cm處有一對與氣缸固定連接的卡環(huán)，氣體的溫度為300K，大氣壓強P₀＝1.0×10⁵Pa�，F(xiàn)將氣缸豎直放置，如圖（b）所示，取g＝10m/s² 。求：

（1）活塞與氣缸底部之間的距離；

（2）加熱到675K時封閉氣體的壓強。

以下說法中正確的是 （　　 ）

A. 墑增加原理說明一切自然過程總是向著分子熱運動的無序性減少的方向進(jìn)行

B. 在絕熱條件下壓縮氣體，氣體的內(nèi)能一定增加

C.液晶既有液體的流動性，又具有單晶體的各向異性

D．由于液體表面分子間距離大于液體內(nèi)部分子間的距離，液面分子間表現(xiàn)為引力，所以液體表面具有收縮的趨勢

E．封閉氣體的密度變小，單位時間內(nèi)打到器壁單位面積上的分子數(shù)減少，分子動能增加，氣體的壓強可能不變

如圖所示，在坐標(biāo)原點有一放射源放出質(zhì)量為m、帶電量為+q的粒子，假設(shè)粒子的速率都為v，方向均沿紙面．現(xiàn)在x<a的區(qū)域加一垂直于紙面向里的勻強磁場，磁感應(yīng)強度為，不計粒子的重力．求：

（1）粒子在磁場中運動的最短時間是多少？

（2）為了使粒子不離開磁場，在x=處放一塊與y軸平行的擋板，該擋板能吸收所有打到它上面的粒子，則板的長度至少為多少？

如圖所示，xOy坐標(biāo)系內(nèi)有勻強磁場，磁感應(yīng)強度為B，方向垂直紙面向里，x<0區(qū)域內(nèi)有勻強電場（圖中未畫出），y軸為電場右邊界．磁場中放置一半徑為R的圓柱形圓筒，圓心O₁的坐標(biāo)為（2R，0），圓筒軸線與磁場平行，現(xiàn)有范圍足夠大的平行電子束以速度v₀從很遠(yuǎn)處垂直于y軸沿x軸正方向做勻速直線運動射入磁場區(qū)，已知電子質(zhì)量為m，電荷量為e，不考慮打到圓筒表面的電子對射入磁場的電子的影響．求：

（1）x<0區(qū)域內(nèi)的勻強電場的場強大小和方向；

（2）若圓筒外表面各處都沒有電子打到，則電子初速度應(yīng)滿足什么條件？

（3）若電子初速度滿足v₀＝，則y軸上哪些范圍射入磁場的電子能打到圓筒上？圓筒表面有電子打到的區(qū)域和圓筒表面沒有電子打到的區(qū)域的面積之比是多少？

如圖所示，在xoy坐標(biāo)系中分布著三個有界場區(qū)：第一象限中有一半徑為r =0.1m的圓形磁場區(qū)域，磁感應(yīng)強度B₁=1T，方向垂直紙面向里，該區(qū)域同時與x軸、y軸相切，切點分別為A、C；第四象限中，由y軸、拋物線FG（y= -10x²+x - 0.025，單位：m）和直線DH（ y = x - 0.425，單位：m）構(gòu)成的區(qū)域中，存在著方向豎直向下、強度E=2.5N/C的勻強電場；以及直線DH右下方存在垂直紙面向里的勻強磁場B₂=0.5T�，F(xiàn)有大量質(zhì)量為1×10^-6 kg（重力不計），電量大小為2×10^-4 C，速率均為20m/s的帶負(fù)電的粒子從處垂直磁場進(jìn)入第一象限，速度方向與y軸夾角在0至180度之間。

（1）求這些粒子在圓形磁場區(qū)域中運動的半徑；

（2）試證明這些粒子經(jīng)過x軸時速度方向均與x軸垂直；

（3）通過計算說明這些粒子會經(jīng)過y軸上的同一點，并求出該點坐標(biāo)。

如圖所示，在直角坐標(biāo)系xOy的原點O處有一放射源S，放射源S在xOy平面內(nèi)均勻發(fā)射速度大小相等的正電粒子，位于y軸的右側(cè)垂直于x軸有一長度為L的很薄的熒光屏MN，熒光屏正反兩側(cè)均涂有熒光粉，MN與x軸交于O'點。已知三角形MNO為正三角形，放射源S射出的粒子質(zhì)量為m，帶電荷量為q，速度大小為v，不計粒子的重力。

（1）若只在y軸右側(cè)加一平行于x軸的勻強電場，要使y軸右側(cè)射出的所有粒子都能打到熒光屏MN上，試求電場強度的最小值E_min及此條件下打到熒光屏M點的粒子的動能；

（2）若在力xOy平面內(nèi)只加一方向垂直紙面向里的勻強磁場，要使粒子能打到熒光屏MN的反面O'點，試求磁場的磁感應(yīng)強度的最大值B_max；

（3）若在xOy平面內(nèi)只加一方向垂直紙面向里的勻強磁場，磁感應(yīng)強度與（2）題中所求B_max相同，試求粒子打在熒光屏MN的正面O'點所需的時間t₁和打在熒光屏MN的反面O'點所需的時間t₂之比。