有A、B、C、D、E、F、G七種元素，除E為第四周期元素外其余均為短周期元素。A、E、G位于元素周期表的s區(qū)，其余元素位于p區(qū)，A、E的原子外圍電子層排布相同，A的原子中沒有成對電子；B元素基態(tài)原子中電子占據(jù)三種能量不同的原子軌道且每種軌道中的電子總數(shù)相同；C元素原子的外圍電子層排布式為nsⁿnpⁿ⁺¹；D元素的第一電離能列同周期主族元素第三高；F的基態(tài)原子核外成對電子數(shù)是成單電子數(shù)的3倍；G的基態(tài)原子占據(jù)兩種形狀的原子軌道，且兩種形狀軌道中的電子總數(shù)均相同�；卮鹣铝袉栴}：

   （1）寫出下列元素的符號：D                ，G                 ；

   （2）D的前一元素第一電離能高于D的原因：                            ；

   （3）由A、B、C形成的ABC分子中，含有           個σ鍵，         個π鍵；

   （4）由D、E、F、G形成的鹽E₂DF₄、GDF₄的共熔體在冷卻  時首先析出的物質(zhì)是

                   （寫化學(xué)式），原因是                    ___________       ；

（14分）有A、B、C、D、E、F、G七種元素，除E為第四周期元素外其余均為短周期元素。A、E、G位于元素周期表的s區(qū)，其余元素位于p區(qū)。A、E的原子外圍電子層排布相同，A的原子中沒有成對電子；B元素基態(tài)原子中電子占據(jù)三種能量不同的原子軌道且每種軌道中的電子總數(shù)相同；C元素原子的外圍電子層排布式為nsⁿnpⁿ⁺¹；D元素形成的一種單質(zhì)為淡黃色，不溶于水、微溶于酒精、易溶于CS₂；F的基態(tài)原子核外成對電子數(shù)是成單電子數(shù)的3倍；G原子有三個電子層，其基態(tài)原子占據(jù)兩種形狀的原子軌道，且兩種形狀軌道中的電子總數(shù)相同�；卮鹣铝袉栴}：

（1）寫出下列元素的符號：D          ，G           ；（每空2分）

（2）寫出基態(tài)C原子的軌道表示式：                       （2分）

（3）由A、B、C形成的ABC分子中，含有        個σ鍵，      個π鍵；（每空2分）

（4）由D、E、F、G形成的鹽E₂DF₄、GDF₄的共熔體在冷卻時首先析出的物質(zhì)是：           （寫化學(xué)式），原因是                                ；（每空2分）

（14分）有A、B、C、D、E、F、G七種元素，除E為第四周期元素外其余均為短周期元素。A、E、G位于元素周期表的s區(qū)，其余元素位于p區(qū)。A、E的原子外圍電子層排布相同，A的原子中沒有成對電子；B元素基態(tài)原子中電子占據(jù)三種能量不同的原子軌道且每種軌道中的電子總數(shù)相同；C元素原子的外圍電子層排布式為nsⁿnpⁿ⁺¹；D元素形成的一種單質(zhì)為淡黃色，不溶于水、微溶于酒精、易溶于CS₂；F的基態(tài)原子核外成對電子數(shù)是成單電子數(shù)的3倍；G原子有三個電子層，其基態(tài)原子占據(jù)兩種形狀的原子軌道，且兩種形狀軌道中的電子總數(shù)相同�；卮鹣铝袉栴}：

（1）寫出下列元素的符號：D           ，G            ；（每空2分）

（2）寫出基態(tài)C原子的軌道表示式：                        （2分）

（3）由A、B、C形成的ABC分子中，含有        個σ鍵，      個π鍵；（每空2分）

（4）由D、E、F、G形成的鹽E₂DF₄、GDF₄的共熔體在冷卻時首先析出的物質(zhì)是：           （寫化學(xué)式），原因是                                 ；（每空2分）