28.工業(yè)上電解飽和食鹽能制取多種化工原料.其中部分原料可用于制備多晶硅. (1)如圖是離子交換膜法電解飽和食鹽水示意圖.電解槽陽(yáng)極產(chǎn)生的氣體是 ,NaOH溶液的出口為 ,精制飽和食鹽水的進(jìn)口為 ,干燥塔中應(yīng)使用的液體是 . (2)多晶硅主要采用SiHCl3還原工藝生產(chǎn).其副產(chǎn)物SiCl4的綜合利用受到廣泛關(guān)注. ①SiCl4可制氣相白炭黑(與光導(dǎo)纖維主要原料相同).方法為高溫下SiCl4與H2和O2反應(yīng).產(chǎn)物有兩種.化學(xué)方程式為 . ②SiCl4可轉(zhuǎn)化為SiHCl3而循環(huán)使用.一定條件下.在20 L恒容密閉容器中的反應(yīng): 3SiCl4(g)+2H24SiHCl3(g) 達(dá)平衡后.H2與SiHCl3物質(zhì)的量濃度分別為0.140 mol/L和0.020 mol/L.若H2全部來(lái)源于離子交換膜法的電解產(chǎn)物.理論上需消耗純NaCl的質(zhì)量為 kg. (3)采用無(wú)膜電解槽電解飽和食鹽水.可制取氯酸鈉.同時(shí)生成氫氣.現(xiàn)制得氯酸鈉213.0 kg.則生成氫氣 . 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

(2012?長(zhǎng)寧區(qū)一模)Ⅰ.工業(yè)上電解飽和食鹽能制取多種化工原料,其中部分原料可用于制備多晶硅.
(1)原料粗鹽中常含有泥沙和Ca2+、Mg2+、Fe3+、SO42-等雜質(zhì),必須精制后才能供電解使用.精制時(shí),粗鹽溶于水過(guò)濾后,還要加入的試劑分別為①Na2CO3、②HCl(鹽酸)③BaCl2,這3種試劑添加的合理順序是
③①②
③①②
(填序號(hào))洗滌除去NaCl晶體表面附帶的少量KCl,選用的試劑為
.(填序號(hào))(①飽和Na2CO3溶液  ②飽和K2CO3溶液  ③75%乙醇 ④四氯化碳)
(2)如圖是離子交換膜(允許鈉離子通過(guò),不允許氫氧根與氯離子通過(guò))法電解飽和食鹽水示意圖,電解槽陽(yáng)極產(chǎn)生的氣體是
氯氣
氯氣
;NaOH溶液的出口為
a
a
(填字母);精制飽和食鹽水的進(jìn)口為
d
d
(填字母);干燥塔中應(yīng)使用的液體是
濃硫酸
濃硫酸


Ⅱ.多晶硅主要采用SiHCl3還原工藝生產(chǎn),其副產(chǎn)物SiCl4的綜合利用受到廣泛關(guān)注.
(1)SiCl4可制氣相白炭黑(與光導(dǎo)纖維主要原料相同),方法為高溫下SiCl4與H2和O2反應(yīng),產(chǎn)物有兩種,化學(xué)方程式為
SiCl4+2H2+O2
 高溫 
.
 
SiO2+4HCl
SiCl4+2H2+O2
 高溫 
.
 
SiO2+4HCl

(2)SiCl4可轉(zhuǎn)化為SiHCl3而循環(huán)使用.一定條件下,在20L恒容密閉容器中的反應(yīng):
3SiCl4(g)+2H2(g)+Si(s)?4SiHCl3(g)
達(dá)平衡后,H2與SiHCl3物質(zhì)的量濃度分別為0.140mol/L和0.020mol/L,若H2全部來(lái)源于離子交換膜法的電解產(chǎn)物,理論上需消耗純NaCl的質(zhì)量為
0.351
0.351
kg.
(3)實(shí)驗(yàn)室制備H2和Cl2通常采用下列反應(yīng):
Zn+H2SO4→ZnSO4+H2↑;MnO2+4HCl(濃)
MnCl2+Cl2↑+2H2O
據(jù)此,從下列所給儀器裝置中選擇制備并收集H2的裝置
e
e
(填代號(hào))和制備并收集干燥、純凈Cl2的裝置
d
d
(填代號(hào)).
可選用制備氣體的裝置:

(4)采用無(wú)膜電解槽電解飽和食鹽水,可制取氯酸鈉,同時(shí)生成氫氣,現(xiàn)制得氯酸鈉213.0kg,則生成氫氣
134.4
134.4
m3(標(biāo)準(zhǔn)狀況).(忽略可能存在的其他反應(yīng))
某工廠生產(chǎn)硼砂過(guò)程中產(chǎn)生的固體廢料,主要含有MgCO3、MgSiO3、CaMg(CO32、Al2O3和Fe2O3等,回收其中鎂的工藝流程如下:

沉淀物 Fe(OH)3 Al(OH)3 Mg(OH)2
PH 3.2 5.2 12.4
Ⅲ.部分陽(yáng)離子以氫氧化物形式完全沉淀時(shí)溶液的pH見(jiàn)上表,請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)“浸出”步驟中,為提高鎂的浸出率,可采取的措施有
適當(dāng)提高反應(yīng)溫度、增加浸出時(shí)間
適當(dāng)提高反應(yīng)溫度、增加浸出時(shí)間
(要求寫(xiě)出兩條).
(2)濾渣I的主要成分是
Fe(OH)3、Al(OH)3
Fe(OH)3、Al(OH)3

Mg(ClO32在農(nóng)業(yè)上可用作脫葉劑、催熟劑,可采用復(fù)分解反應(yīng)制備:
MgCl2+2NaClO3→Mg(ClO32+2NaCl
已知四種化合物的溶解度(S)隨溫度(T)變化曲線如圖所示:

(3)將反應(yīng)物按化學(xué)反應(yīng)方程式計(jì)量數(shù)比混合制備Mg(ClO32.簡(jiǎn)述可制備Mg(ClO32的原因:
在某一溫度時(shí),NaCl最先達(dá)到飽和析出;Mg(ClO32的溶解度隨溫度變化的最大,NaCl的溶解度與其他物質(zhì)的溶解度有一定的差別;
在某一溫度時(shí),NaCl最先達(dá)到飽和析出;Mg(ClO32的溶解度隨溫度變化的最大,NaCl的溶解度與其他物質(zhì)的溶解度有一定的差別;

(4)按題(3)中條件進(jìn)行制備實(shí)驗(yàn).在冷卻降溫析出Mg(ClO32過(guò)程中,常伴有NaCl析出,原因是:
降溫前,溶液中NaCl已達(dá)飽和,降低過(guò)程中,NaCl溶解度會(huì)降低,會(huì)少量析出;
降溫前,溶液中NaCl已達(dá)飽和,降低過(guò)程中,NaCl溶解度會(huì)降低,會(huì)少量析出;
.除去產(chǎn)品中該雜質(zhì)的方法是:
重結(jié)晶
重結(jié)晶

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(2009?重慶)工業(yè)上電解飽和食鹽能制取多種化工原料,其中部分原料可用于制備多晶硅.
(1)圖是離子交換膜法電解飽和食鹽水示意圖,電解槽陽(yáng)極產(chǎn)生的氣體是
氯氣
氯氣
;NaOH溶液的出口為
a
a
(填字母);精制飽和食鹽水的進(jìn)口為
d
d
(填字母);干燥塔中應(yīng)使用的液體是
濃硫酸
濃硫酸


(2)多晶硅主要采用SiHCl3還原工藝生產(chǎn),其副產(chǎn)物SiCl4的綜合利用收到廣泛關(guān)注.
①SiCl4可制氣相白炭黑(與光導(dǎo)纖維主要原料相同),方法為高溫下SiCl4與H2和O2反應(yīng),產(chǎn)物有兩種,化學(xué)方程式為
SiCl4+2H2+O2
 高溫 
.
 
SiO2+4HCl
SiCl4+2H2+O2
 高溫 
.
 
SiO2+4HCl

②SiCl4可轉(zhuǎn)化為SiHCl3而循環(huán)使用.一定條件下,在20L恒容密閉容器中的反應(yīng):3SiCl4(g)+2H2(g)+Si(g)4SiHCl3(g)達(dá)平衡后,H2與SiHCl3物質(zhì)的量濃度分別為0.140mol/L和0.020mol/L,若H2全部來(lái)源于離子交換膜法的電解產(chǎn)物,理論上需消耗純NaCl的質(zhì)量為
0.351
0.351
kg.
(3)采用無(wú)膜電解槽電解飽和食鹽水,可制取氯酸鈉,同時(shí)生成氫氣,現(xiàn)制得氯酸鈉213.0kg,則生成氫氣
134.4
134.4
M3(標(biāo)準(zhǔn)狀況).

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(2012?大興區(qū)一模)工業(yè)上電解飽和食鹽能制取多種化工原料,如圖是離子交換膜法電解飽和食鹽水示意圖,下列說(shuō)法中不正確的是( 。

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工業(yè)上電解飽和食鹽能制取多種化工原料,其中部分原料可用于制備多晶硅。

(1)題26圖是離子交換膜法電解飽和食鹽水示意圖,電解槽陽(yáng)極產(chǎn)生的氣體是     ;NaOH溶液的出口為       (填字母);精制飽和食鹽水的進(jìn)口為       (填字母);干燥塔中應(yīng)使用的液體是      。

(2)多晶硅主要采用SiHCl3還原工藝生產(chǎn),其副產(chǎn)物SiCl4的綜合利用收到廣泛關(guān)注。

①SiCl4可制氣相白炭黑(與光導(dǎo)纖維主要原料相同),方法為高溫下SiCl4與H2和O2反應(yīng),產(chǎn)物有兩種,化學(xué)方程式為                                     。

②SiCl4可轉(zhuǎn)化為SiHCl3而循環(huán)使用。一定條件下,在20L恒容密閉容器中的反應(yīng):

   3 SiCl4(g)+2H2(g)+Si(s)4SiHCl3(g)

達(dá)平衡后,H2與SiHCl3物質(zhì)的量濃度分別為0.140mol/L和0.020mol/L,若H2全部來(lái)源于離子交換膜法的電解產(chǎn)物,理論上需消耗純NaCl的質(zhì)量為   kg。

(3)采用無(wú)膜電解槽電解飽和食鹽水,可制取氯酸鈉,同時(shí)生成氫氣,現(xiàn)制得氯酸鈉213.0kg,則生成氫氣      (標(biāo)準(zhǔn)狀況)。

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(12分)工業(yè)上電解飽和食鹽能制取多種化工原料,其中部分原料可用于制備多晶硅。

(1)下圖是離子交換膜法電解飽和食鹽水示意圖,電解槽陽(yáng)極產(chǎn)生的氣體是     ;NaOH溶液的出口為       (填字母);精制飽和食鹽水的進(jìn)口為       (填字母);干燥塔中應(yīng)使用的液體是     

(2)多晶硅主要采用SiHCl3還原工藝生產(chǎn),其副產(chǎn)物SiCl4的綜合利用受到廣泛關(guān)注。

① SiCl4可制氣相白炭黑(與光導(dǎo)纖維主要原料相同),方法為高溫下SiCl4與H2和O2反應(yīng),產(chǎn)物有兩種,化學(xué)方程式為                        。

② SiCl4可轉(zhuǎn)化為SiHCl3而循環(huán)使用。一定條件下,在20L恒容密閉容器中的反應(yīng):

   3 SiCl4(g)+2H2(g)+Si(s)4SiHCl3(g)

達(dá)平衡后,H2與SiHCl3物質(zhì)的量濃度分別為0.140mol/L和0.020mol/L,若H2全部來(lái)源于離子交換膜法的電解產(chǎn)物,理論上需消耗純NaCl的質(zhì)量為   ______kg。

(3)采用無(wú)膜電解槽電解飽和食鹽水,可制取氯酸鈉,同時(shí)生成氫氣,現(xiàn)制得氯酸鈉213.0kg,則生成氫氣      (標(biāo)準(zhǔn)狀況)。

 

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