已知A、B、C、D、E、F都是周期表中前四周期的元素．它們的原子序數(shù)依次增大．其中A、C原子的L層有2個未成對電子．D與E同主族，D的二價陽離子與C的陰離子具有相同的電子層結(jié)構(gòu)．F³⁺離子M層3d軌道電子為半滿狀態(tài)．請根據(jù)以上情況，回答下列問題：（答題時，用所對應(yīng)的元素符號表示）
（1）寫出C原子的價層電子排布圖，F(xiàn)位于周期表區(qū)．
（2）A、B、C的第一電離能由小到大的順序為．（寫元素符號）
（3）F和質(zhì)子數(shù)為25的M的部分電離能數(shù)據(jù)列于下表

元素		M	F
電離能（kJ?mol-1）	I1	717	759
	I2	1509	1561
	I3	3248	2957

比較兩元素的I₂、I₃可知，氣態(tài)M²⁺再失去一個電子比氣態(tài)F²⁺再失去一個電子難．對此，你的解釋是．
（4）晶胞中F原子的配位數(shù)為，若F原子的半徑為rcm，則F晶體的密度為（用含r的表達(dá)式表示），該晶胞中原子空間利用率為．
（5）H₂S和C元素的氫化物（分子式為H₂C₂的主要物理性質(zhì)比較如下

	熔點/K	沸點/K	標(biāo)準(zhǔn)狀況時在水中的溶解度
H2S	187	202	2.6
H2C2	272	423	比任意比互溶

H₂S和H₂C₂的相對分子質(zhì)量基本相同，造成上述物理性質(zhì)差異的主要原因．

已知A、B、C、D、E、F都是周期表中前四周期的元素，它們的核電荷數(shù)A＜B＜C＜D＜E＜F．其中A原子核外有三個未成對電子；化合物B₂E的晶體為離子晶體，E原子核外M層中只有兩對成對電子；C元素是地殼中含量最高的金屬元素；D單質(zhì)的晶體類型在同周期的單質(zhì)中沒有相同的；F原子核外最外層電子數(shù)與B相同，其余各層電子均充滿．請根據(jù)以上信息，回答下列問題：（答題時，A、B、C、D、E、F用所對應(yīng)的元素符號表示）
（1）A、B、C、D的第一電離能由小到大的順序為．（用元素符號表示）
（2）B的氯化物的熔點比D的氯化物的熔點（填高或低），理由是．
（3）A的最高價氧化物對應(yīng)的水化物分子中其中心原子采取雜化，E的最高價氧化物分子的空間構(gòu)型是．
（4）F的核外電子排布式是，F(xiàn)的高價離子與A的簡單氫化物形成的配離子的化學(xué)式為．
（5）A、F形成某種化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，則其化學(xué)式為；（每個球均表示1個原子）
（6）A、C形成的化合物具有高沸點和高硬度，是一種新型無機(jī)非金屬材料，則其化學(xué)式為，其晶體中所含的化學(xué)鍵類型為．

已知A、B、C、D、E、F都是周期表中前四周期的元素，它們的核電荷數(shù)依次增大，其中A、B、C是同一周期相鄰的三種元素，B、D、F元素原子最外電子層的p能級（軌道）上的電子均處于半滿狀態(tài)，元素E的最高正價氧化物的水化物在同周期元素的最高正價氧化物的水化物中酸性最強(qiáng)．
請回答下列問題：
（1）A、B、C三元素的第一電離能由大到小的順序為（用對應(yīng)的元素符號填空，下空同），三者的電負(fù)性由大到小的順序為
（2）A、B、C三元素的氫化物分子的空間結(jié)構(gòu)分別是
（3）B、D、F三元素的氫化物的沸點從高到低排列次序是（填化學(xué)式），其原因是．
（4）F元素原子基態(tài)時的核外電子排布式為．
（5）由B、E兩種元素組成的化合物X，常溫下為易揮發(fā)的淡黃色液體，x分子為三角錐形分子，且分子里B、E兩種原子最外層均達(dá)到8個電子的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)．X遇水蒸氣可形成一種常見的漂白性物質(zhì)，則X分子的電子式為，X分子的中心原子的雜化軌道類型為，X與水反應(yīng)的化學(xué)方程式是．
（6）另有一種位于周期表中ds區(qū)的元素G，該元素單質(zhì)形成的晶體晶胞如圖所示，若假設(shè)該原子半徑為r，相對原子質(zhì)量為Mr，則該元素單質(zhì)的密度可表示為．（用N_A表示阿伏加德羅常數(shù)）

已知A、B、C、D、E、F都是周期表中前四周期的元素，它們的核電荷數(shù)A＜B＜C＜D＜E＜F．其中A、B、C是同一周期的非金屬元素．化合物DC的晶體為離子晶體，D的二價陽離子與C的陰離子具有相同的電子層結(jié)構(gòu)．AC₂為非極性分子．B、C的氫化物的沸點比它們同族相鄰周期元素氫化物的沸點高．E元素是第四周期元素中未成對電子數(shù)最多的元素，ECl₃能與B、C的氫化物形成六配位的配合物，且兩種配體的物質(zhì)的量之比為2：1，1mol配合物與足量的AgNO₃溶液反應(yīng)能立即生成3molAgCl．F原子的一種核素的質(zhì)量數(shù)為65，中子數(shù)為 36．請根據(jù)以上情況，回答下列問題：（答題時要用元素符號表示）
（1）B氫化物與HCl反應(yīng)生成的含有B元素粒子的空間構(gòu)型是．F元素原子的最外層電子數(shù)為個．
（2）B₃^-離子分別與AC₂、由B、C組成的氣態(tài)化合物互為等電子體，則B、C組成的化合物化學(xué)式為；B₃^-離子還可以和一價陰離子互為等電子體，這陰離子電子式為，這種陰離子常用于檢驗日常生活中的一種金屬陽離子，這金屬陽離子符號為
（3）A、B、C的第一電離能由小到大的順序為
（4）E³⁺的核外電子排布式是，ECl₃形成的六配位的配合物化學(xué)式為．
（5）B的最高價氧化物對應(yīng)的水化物的稀溶液與D的單質(zhì)反應(yīng)時，B被還原到最低價，該反應(yīng)的化學(xué)方程式是
（6）在F的+1價氧化物的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖，F(xiàn)為球（“黑”“白”）

已知A、B、C、D、E、F都是周期表中前四周期的元素，它們的核電荷數(shù)A＜B＜C＜D＜E＜F．其中B、D、F原子最外電子層的P能級（軌道）上的電子處于半滿狀態(tài)．通常情況下，A的一種氧化物分子為非極性分子，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示．E的電負(fù)性在該周期中最大．鎵（Ga）與元素B形成的一種化合物是繼以C單質(zhì)為代表的第一代半導(dǎo)體材料和GaF為代表的第二代半導(dǎo)體材料之后，在近10年迅速發(fā)展起來的第三代新型半導(dǎo)體材料．
試回答下列問題：（答題時，A、B、C、D、E、F用所對應(yīng)的元素符號表示）
（1）基態(tài)Ga原子的核外電子排布式為．
（2）A、B、C的第一電離能由大到小的順序為．
（3）B元素的單質(zhì)分子中有個π鍵．
（4）上述A的氧化物分子中心原子采取雜化，其晶胞中微粒間的作用力為．
（5）FH3沸點與比BH₃（填“高”或“低”），原因是．
（6）固體CrE₃?6H₂O溶于水可能有幾種不同組成的配離子，實驗將含0.2665gCrE₃?6H₂O的溶液通過H-離子交換樹脂（只交換配陽離子），交換出的酸用0.125mol/L的氫氧化鈉溶液8.00mL中和．已知配離子配位數(shù)為6，則該配離子是．