題目列表(包括答案和解析)
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工業(yè)上電解飽和食鹽水能制取多種化工原料,其中部分原料可用于制備多晶硅。
(1) 右圖是離子交換膜法電解飽和食鹽水示意圖,電解槽陽(yáng)極產(chǎn)生的氣體是 ;NaOH溶液的出口為_(kāi)_____(填字母);精制飽和食鹽水的進(jìn)口為_(kāi)____(填字母);干燥塔中使用的液體干燥劑是____(每空2分)。
(2) 原料粗鹽中常含有泥沙和Ca2+、Mg2+、Fe3+、SO42-等雜質(zhì),必須精制后才能供電解使用。精制時(shí),粗鹽溶于水過(guò)濾后,還要加人的試劑分別為①Na2CO3、②HCl(鹽酸)、③BaCl2,這3種試劑添加的合理順序是 (2分)(填序號(hào))。
(3) 多晶硅主要采用SiHCl3還原工藝生產(chǎn),其副產(chǎn)物SiCl4的綜合利用受到廣泛關(guān)注SiCl4可制氣相白炭黑(與光導(dǎo)纖維主要原料相同),方法為高溫下SiCl4與H2和O2反應(yīng),產(chǎn)物有兩種,化學(xué)方程式為 (2分)。也可轉(zhuǎn)化為而循環(huán)使用。一定條件下,在200C恒容密閉容器中發(fā)生反應(yīng):,達(dá)平衡后,H2與SiHCL3物質(zhì)的量濃度分別為0. 140mol/L和0. 020mol/L,若H2全部來(lái)源于離子交換膜法的電解產(chǎn)物,理論上需消耗純NaCl的物質(zhì)的量為_(kāi)______ (2分)mol。
(4)已知1 g陰極產(chǎn)生的氣體在陽(yáng)極產(chǎn)生的氣體中完全燃燒時(shí)放出92. 3 kj的熱量,則該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式為: (2分)。
工業(yè)上電解飽和食鹽水能制取多種化工原料,其中部分原料可用于制備多晶硅。
(1)如圖是離子交換膜法電解飽和食鹽水示意圖,電解槽陽(yáng)極產(chǎn)生的氣體是________;NaOH溶液的出口為_(kāi)_______(填字母);精制飽和食鹽水的進(jìn)口為_(kāi)_______(填字母);干燥塔中應(yīng)使用的液體是________。
(2)多晶硅主要采用SiHCl3還原工藝生產(chǎn),其副產(chǎn)物SiCl4的綜合利用受到廣泛關(guān)注。
①SiCl4可制氣相白炭黑(與光導(dǎo)纖維主要原料相同),方法為高溫下SiCl4與H2和O2反應(yīng),產(chǎn)物有兩種,化學(xué)方程式為_(kāi)_____________________。
②SiCl4可轉(zhuǎn)化為SiHCl3而循環(huán)使用。一定條件下,在20L恒容密閉容器中的反應(yīng):
3SiCl4(g)+2H2(g)+Si(g)4SiHCl3(g)
達(dá)平衡后,H2與SiHCl3物質(zhì)的量濃度分別為0.140mol/L和0.020mol/L,若H2全部來(lái)源于離子交換膜法的電解產(chǎn)物,理論上需消耗純NaCl的質(zhì)量為_(kāi)_______kg。
(3)采用無(wú)膜電解槽電解飽和食鹽水,可制取氯酸鈉,同時(shí)生成氫氣,現(xiàn)制得氯酸鈉213.0kg,則生成氫氣________m3(標(biāo)準(zhǔn)狀況)。
(1)如圖是離子交換膜法電解飽和食鹽水示意圖。電解槽陽(yáng)極產(chǎn)生的氣體是____________;NaOH溶液的出口為_(kāi)__________(填字母);精制飽和食鹽水的進(jìn)口為_(kāi)__________(填字母);干燥塔中應(yīng)使用的液體是___________。
(2)多晶硅主要采用SiHCl3還原工藝生產(chǎn),其副產(chǎn)物SiCl4的綜合利用受到廣泛關(guān)注。
①SiCl4可制氣相白炭黑(與光導(dǎo)纖維主要原料相同),方法為高溫下SiCl4與H2和O2反應(yīng),產(chǎn)物有兩種,化學(xué)方程式為_(kāi)___________________________________________。
②SiCl4可轉(zhuǎn)化為SiHCl3而循環(huán)使用。一定條件下,在
3SiCl4(g)+2H2(g)+Si(s)4SiHCl3(g)
達(dá)平衡后,H2和SiHCl3物質(zhì)的量濃度分別為0.140 mol/L和0.020 mol/L,若H2全部來(lái)源于離子交換膜法的電解產(chǎn)物,理論上需消耗純NaCl的質(zhì)量為_(kāi)__________kg。
(3)采用無(wú)膜電解槽電解飽和食鹽水,可制取氯酸鈉,同時(shí)生成氫氣。現(xiàn)制得氯酸鈉
工業(yè)上電解飽和食鹽水能制取多種化工原料,其中部分原料可用于制備多晶硅。
(1) 右圖是離子交換膜法電解飽和食鹽水示意圖,電解槽陽(yáng)極產(chǎn)生的氣體是 ; NaOH溶液的出口為_(kāi)_____ (填字母);精制飽和食鹽水的進(jìn)口為_(kāi)____ (填字母);干燥塔中使用的液體干燥劑是____(每空2分)。
(2) 原料粗鹽中常含有泥沙和Ca2+、Mg2+、Fe3+、SO42-等雜質(zhì),必須精制后才能供電解使用。精制時(shí),粗鹽溶于水過(guò)濾后,還要加人的試劑分別為①Na2CO3、②HCl(鹽酸)、③BaCl2,這3種試劑添加的合理順序是 (2分)(填序號(hào))。
(3) 多晶硅主要采用SiHCl3還原工藝生產(chǎn),其副產(chǎn)物SiCl4的綜合利用受到廣泛關(guān)注SiCl4可制氣相白炭黑(與光導(dǎo)纖維主要原料相同),方法為高溫下SiCl4與H2和O2反應(yīng),產(chǎn)物有兩種,化學(xué)方程式為 。也可轉(zhuǎn)化為而循環(huán)使用。一定條件下,在200C恒容密閉容器中發(fā)生反應(yīng): ,達(dá)平衡后,H2與SiHCL3物質(zhì)的量濃度分別為0. 140mol/L和0. 020mol/L,若H2全部來(lái)源于離子交換膜法的電解產(chǎn)物,理論上需消耗純NaCl的物質(zhì)的量為_(kāi)______ mol。
(4)已知1 g陰極產(chǎn)生的氣體在陽(yáng)極產(chǎn)生的氣體中完全燃燒時(shí)放出92. 3 kj的熱量,則該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式為: 。
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