工業(yè)上電解飽和食鹽能制取多種化工原料.其中部分原料可用于制備多晶硅. (1)題26圖是離子交換膜法電解飽和食鹽水示意圖.電解槽陽極產(chǎn)生的氣體是 ,NaOH溶液的出口為 ,精制飽和食鹽水的進(jìn)口為 ,干燥塔中應(yīng)使用的液體是 . (2)多晶硅主要采用SiHCl3還原工藝生產(chǎn).其副產(chǎn)物SiCl4的綜合利用收到廣泛關(guān)注. ①SiCl4可制氣相白炭黑(與光導(dǎo)纖維主要原料相同).方法為高溫下SiCl4與H2和O2反應(yīng).產(chǎn)物有兩種.化學(xué)方程式為 . ②SiCl4可轉(zhuǎn)化為SiHCl3而循環(huán)使用.一定條件下.在20L恒容密閉容器中的反應(yīng): 3 SiCl4(g)+2H24SiHCl3(g) 達(dá)平衡后.H2與SiHCl3物質(zhì)的量濃度分別為0.140mol/L和0.020mol/L.若H2全部來源于離子交換膜法的電解產(chǎn)物.理論上需消耗純NaCl的質(zhì)量為 kg. (3)采用無膜電解槽電解飽和食鹽水.可制取氯酸鈉.同時生成氫氣.現(xiàn)制得氯酸鈉213.0kg.則生成氫氣 . 答案: (1)①氯氣,a,d,濃硫酸 (2)①SiCl4+2H2+O2SiO2+4HCl②0.35 (3)134.4 解析: (1)電解飽和食鹽時陽極陰離子Cl-.OH-放電.Cl-的放電能力強(qiáng)于OH-.陽極發(fā)生的方程式為:2Cl--2e-===Cl2↑,陰極:2H++2e-===H2↑,總反應(yīng)為:2NaCl+2H2OCl2↑+H2↑+2NaOH.H2.2NaOH在陰極.NaOH溶液的出口為a.Cl2在陽極.精制飽和食鹽水從陽極進(jìn)入.選d,要干燥Cl2需要用酸性干燥劑H2SO4或P2O5等.中性干燥劑無水CaCl2. (2)①SiCl4與H2和O2反應(yīng).產(chǎn)物有兩種.光導(dǎo)纖維的主要成分是SiO2.H.Cl元素必在另一產(chǎn)物中.H.Cl元素結(jié)合成HCl.然后配平即可.發(fā)生的化學(xué)方程式為:SiCl4+2H2+O2SiO2+4HCl. ② 由3 SiCl4(g)+2H24SiHCl3(g) 起始量(mol) n 0 變化量(mol) 3x 2x x 4x 平衡量(mol) n-2x 4x 4x=0.020mol/L×20L=0.4mol.n-2x=0.140mol/L20L=2.8mol.n=3.0mol.由2NaCl+2H2OCl2↑+H2↑+2NaOH.g:1mol=m=351g=0.351kg. (3)由NaCl轉(zhuǎn)化為NaClO3.失去電子數(shù)為6.H2O轉(zhuǎn)化為H2.得到的電子數(shù)為2.設(shè)產(chǎn)生的H2體積為V.由得失電子守恒有: 6×,V=134.4m3. 【查看更多】

 

題目列表(包括答案和解析)

（2009?重慶）工業(yè)上電解飽和食鹽能制取多種化工原料，其中部分原料可用于制備多晶硅．
（1）圖是離子交換膜法電解飽和食鹽水示意圖，電解槽陽極產(chǎn)生的氣體是
氯氣
氯氣
；NaOH溶液的出口為
a
a
（填字母）；精制飽和食鹽水的進(jìn)口為
d
d
（填字母）；干燥塔中應(yīng)使用的液體是
濃硫酸
濃硫酸
．

（2）多晶硅主要采用SiHCl3還原工藝生產(chǎn)，其副產(chǎn)物SiCl4的綜合利用收到廣泛關(guān)注．
①SiCl4可制氣相白炭黑（與光導(dǎo)纖維主要原料相同），方法為高溫下SiCl4與H2和O2反應(yīng)，產(chǎn)物有兩種，化學(xué)方程式為
SiCl4+2H2+O2
 高溫 
.
 
SiO2+4HCl
SiCl4+2H2+O2
 高溫 
.
 
SiO2+4HCl
．
②SiCl4可轉(zhuǎn)化為SiHCl3而循環(huán)使用．一定條件下，在20L恒容密閉容器中的反應(yīng)：3SiCl4（g）+2H2（g）+Si（g）4SiHCl3（g）達(dá)平衡后，H2與SiHCl3物質(zhì)的量濃度分別為0.140mol/L和0.020mol/L，若H2全部來源于離子交換膜法的電解產(chǎn)物，理論上需消耗純NaCl的質(zhì)量為
0.351
0.351
kg．
（3）采用無膜電解槽電解飽和食鹽水，可制取氯酸鈉，同時生成氫氣，現(xiàn)制得氯酸鈉213.0kg，則生成氫氣
134.4
134.4
M3（標(biāo)準(zhǔn)狀況）．

查看答案和解析>>

（2012?長寧區(qū)一模）Ⅰ．工業(yè)上電解飽和食鹽能制取多種化工原料，其中部分原料可用于制備多晶硅．
（1）原料粗鹽中常含有泥沙和Ca2+、Mg2+、Fe3+、SO42-等雜質(zhì)，必須精制后才能供電解使用．精制時，粗鹽溶于水過濾后，還要加入的試劑分別為①Na2CO3、②HCl（鹽酸）③BaCl2，這3種試劑添加的合理順序是
③①②
③①②
（填序號）洗滌除去NaCl晶體表面附帶的少量KCl，選用的試劑為
③
③
．（填序號）（①飽和Na2CO3溶液  ②飽和K2CO3溶液  ③75%乙醇�、芩穆然迹�
（2）如圖是離子交換膜（允許鈉離子通過，不允許氫氧根與氯離子通過）法電解飽和食鹽水示意圖，電解槽陽極產(chǎn)生的氣體是
氯氣
氯氣
；NaOH溶液的出口為
a
a
（填字母）；精制飽和食鹽水的進(jìn)口為
d
d
（填字母）；干燥塔中應(yīng)使用的液體是
濃硫酸
濃硫酸
．

Ⅱ．多晶硅主要采用SiHCl3還原工藝生產(chǎn)，其副產(chǎn)物SiCl4的綜合利用受到廣泛關(guān)注．
（1）SiCl4可制氣相白炭黑（與光導(dǎo)纖維主要原料相同），方法為高溫下SiCl4與H2和O2反應(yīng)，產(chǎn)物有兩種，化學(xué)方程式為
SiCl4+2H2+O2
 高溫 
.
 
SiO2+4HCl
SiCl4+2H2+O2
 高溫 
.
 
SiO2+4HCl
．
（2）SiCl4可轉(zhuǎn)化為SiHCl3而循環(huán)使用．一定條件下，在20L恒容密閉容器中的反應(yīng)：
3SiCl4（g）+2H2（g）+Si（s）?4SiHCl3（g）
達(dá)平衡后，H2與SiHCl3物質(zhì)的量濃度分別為0.140mol/L和0.020mol/L，若H2全部來源于離子交換膜法的電解產(chǎn)物，理論上需消耗純NaCl的質(zhì)量為
0.351
0.351
kg．
（3）實(shí)驗(yàn)室制備H2和Cl2通常采用下列反應(yīng)：
Zn+H2SO4→ZnSO4+H2↑；MnO2+4HCl（濃）
△
MnCl2+Cl2↑+2H2O
據(jù)此，從下列所給儀器裝置中選擇制備并收集H2的裝置
e
e
（填代號）和制備并收集干燥、純凈Cl2的裝置
d
d
（填代號）．
可選用制備氣體的裝置：

（4）采用無膜電解槽電解飽和食鹽水，可制取氯酸鈉，同時生成氫氣，現(xiàn)制得氯酸鈉213.0kg，則生成氫氣
134.4
134.4
m3（標(biāo)準(zhǔn)狀況）．（忽略可能存在的其他反應(yīng)）
某工廠生產(chǎn)硼砂過程中產(chǎn)生的固體廢料，主要含有MgCO3、MgSiO3、CaMg（CO3）2、Al2O3和Fe2O3等，回收其中鎂的工藝流程如下：

沉淀物 Fe（OH）3 Al（OH）3 Mg（OH）2
PH 3.2 5.2 12.4
Ⅲ．部分陽離子以氫氧化物形式完全沉淀時溶液的pH見上表，請回答下列問題：
（1）“浸出”步驟中，為提高鎂的浸出率，可采取的措施有
適當(dāng)提高反應(yīng)溫度、增加浸出時間
適當(dāng)提高反應(yīng)溫度、增加浸出時間
（要求寫出兩條）．
（2）濾渣I的主要成分是
Fe（OH）3、Al（OH）3
Fe（OH）3、Al（OH）3
．
Mg（ClO3）2在農(nóng)業(yè)上可用作脫葉劑、催熟劑，可采用復(fù)分解反應(yīng)制備：
MgCl2+2NaClO3→Mg（ClO3）2+2NaCl
已知四種化合物的溶解度（S）隨溫度（T）變化曲線如圖所示：

（3）將反應(yīng)物按化學(xué)反應(yīng)方程式計量數(shù)比混合制備Mg（ClO3）2．簡述可制備Mg（ClO3）2的原因：
在某一溫度時，NaCl最先達(dá)到飽和析出；Mg（ClO3）2的溶解度隨溫度變化的最大，NaCl的溶解度與其他物質(zhì)的溶解度有一定的差別；
在某一溫度時，NaCl最先達(dá)到飽和析出；Mg（ClO3）2的溶解度隨溫度變化的最大，NaCl的溶解度與其他物質(zhì)的溶解度有一定的差別；
．
（4）按題（3）中條件進(jìn)行制備實(shí)驗(yàn)．在冷卻降溫析出Mg（ClO3）2過程中，常伴有NaCl析出，原因是：
降溫前，溶液中NaCl已達(dá)飽和，降低過程中，NaCl溶解度會降低，會少量析出；
降溫前，溶液中NaCl已達(dá)飽和，降低過程中，NaCl溶解度會降低，會少量析出；
．除去產(chǎn)品中該雜質(zhì)的方法是：
重結(jié)晶
重結(jié)晶
．

查看答案和解析>>

工業(yè)上電解飽和食鹽能制取多種化工原料，其中部分原料可用于制備多晶硅。

（1）題26圖是離子交換膜法電解飽和食鹽水示意圖，電解槽陽極產(chǎn)生的氣體是     ；NaOH溶液的出口為       （填字母）；精制飽和食鹽水的進(jìn)口為       （填字母）；干燥塔中應(yīng)使用的液體是      。

（2）多晶硅主要采用SiHCl3還原工藝生產(chǎn)，其副產(chǎn)物SiCl4的綜合利用收到廣泛關(guān)注。

①SiCl4可制氣相白炭黑（與光導(dǎo)纖維主要原料相同），方法為高溫下SiCl4與H2和O2反應(yīng)，產(chǎn)物有兩種，化學(xué)方程式為                                     。

②SiCl4可轉(zhuǎn)化為SiHCl3而循環(huán)使用。一定條件下，在20L恒容密閉容器中的反應(yīng)：

   3 SiCl4（g）+2H2（g）+Si（s）4SiHCl3（g）

達(dá)平衡后，H2與SiHCl3物質(zhì)的量濃度分別為0.140mol/L和0.020mol/L，若H2全部來源于離子交換膜法的電解產(chǎn)物，理論上需消耗純NaCl的質(zhì)量為   kg。

（3）采用無膜電解槽電解飽和食鹽水，可制取氯酸鈉，同時生成氫氣，現(xiàn)制得氯酸鈉213.0kg，則生成氫氣      （標(biāo)準(zhǔn)狀況）。

 

查看答案和解析>>

工業(yè)上電解飽和食鹽能制取多種化工原料，其中部分原料可用于制備多晶硅。

（1）題26圖是離子交換膜法電解飽和食鹽水示意圖，電解槽陽極產(chǎn)生的氣體是     ；NaOH溶液的出口為       （填字母）；精制飽和食鹽水的進(jìn)口為       （填字母）；干燥塔中應(yīng)使用的液體是      。

（2）多晶硅主要采用SiHCl3還原工藝生產(chǎn)，其副產(chǎn)物SiCl4的綜合利用收到廣泛關(guān)注。

①SiCl4可制氣相白炭黑（與光導(dǎo)纖維主要原料相同），方法為高溫下SiCl4與H2和O2反應(yīng)，產(chǎn)物有兩種，化學(xué)方程式為                                     。

②SiCl4可轉(zhuǎn)化為SiHCl3而循環(huán)使用。一定條件下，在20L恒容密閉容器中的反應(yīng)：

   3 SiCl4（g）+2H2（g）+Si（s）4SiHCl3（g）

達(dá)平衡后，H2與SiHCl3物質(zhì)的量濃度分別為0.140mol/L和0.020mol/L，若H2全部來源于離子交換膜法的電解產(chǎn)物，理論上需消耗純NaCl的質(zhì)量為   kg。

（3）采用無膜電解槽電解飽和食鹽水，可制取氯酸鈉，同時生成氫氣，現(xiàn)制得氯酸鈉213.0kg，則生成氫氣      （標(biāo)準(zhǔn)狀況）。

查看答案和解析>>

工業(yè)上電解飽和食鹽能制取多種化工原料，其中部分原料可用于制備多晶硅。

（1）題26圖是離子交換膜法電解飽和食鹽水示意圖，電解槽陽極產(chǎn)生的氣體是     ；NaOH溶液的出口為       （填字母）；精制飽和食鹽水的進(jìn)口為      （填字母）；干燥塔中應(yīng)使用的液體是      。

（2）多晶硅主要采用SiHCl3還原工藝生產(chǎn)，其副產(chǎn)物SiCl4的綜合利用收到廣泛關(guān)注。

①SiCl4可制氣相白炭黑（與光導(dǎo)纖維主要原料相同），方法為高溫下SiCl4與H2和O2反應(yīng)，產(chǎn)物有兩種，化學(xué)方程式為                                    。

②SiCl4可轉(zhuǎn)化為SiHCl3而循環(huán)使用。一定條件下，在20L恒容密閉容器中的反應(yīng)：

   3 SiCl4（g）+2H2（g）+Si（s）4SiHCl3（g）

達(dá)平衡后，H2與SiHCl3物質(zhì)的量濃度分別為0.140mol/L和0.020mol/L，若H2全部來源于離子交換膜法的電解產(chǎn)物，理論上需消耗純NaCl的質(zhì)量為   kg。

（3）采用無膜電解槽電解飽和食鹽水，可制取氯酸鈉，同時生成氫氣，現(xiàn)制得氯酸鈉213.0kg，則生成氫氣      （標(biāo)準(zhǔn)狀況）。

 

查看答案和解析>>


同步練習(xí)冊答案