Ⅰ. 砷化鎵為第三代半導(dǎo)體.以其為材料制造的燈泡壽命長.耗能少.已知砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示.請回答下列問題: (1)下列說法正確的是 A.砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同 B.第一電離能 As>Ga C.電負(fù)性 As>Ga D.原子半徑 As>Ga (2)砷化鎵可由(CH3)3Ga和AsH3在700℃下反應(yīng)制得.反應(yīng)的方程式為 , (3)AsH3空間形狀為 , 已知(CH3)3Ga為非極性分子.則其中鎵原子的雜化方式為 , Ⅱ. 金屬銅的導(dǎo)電性僅次于銀.居金屬中的第二位.大量用于電氣工業(yè). (4)請解釋金屬銅能導(dǎo)電的原因 . Cu2+的核外電子排布式為 . (5)在硫酸銅溶液中通入過量的氨氣.小心蒸發(fā).最終得到的[Cu(NH3)4]SO4晶體中含有的化學(xué)鍵除了普通共價(jià)鍵外.還有 和 . 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

(10分)Ⅰ. 砷化鎵為第三代半導(dǎo)體,以其為材料制造的燈泡壽命長、耗能少。已知砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。請回答下列問題:

(1)下列說法正確的是__________(填序號)

A.砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同

B.第一電離能 As>Ga

C.電負(fù)性 As>Ga

D.原子半徑 As>Ga

(2)砷化鎵可由(CH33Ga和AsH3在700℃下反應(yīng)制得,反應(yīng)的方程式為

_____________________________________________________________;

(3)AsH3空間形狀為________________;

已知(CH33Ga為非極性分子,則其中鎵原子的雜化方式為____________;

Ⅱ. 金屬銅的導(dǎo)電性僅次于銀,居金屬中的第二位,大量用于電氣工業(yè)。

(4)請解釋金屬銅能導(dǎo)電的原因                                               

 Cu2+的核外電子排布式為__________________________。

(5)在硫酸銅溶液中通入過量的氨氣,小心蒸發(fā),最終得到的[Cu(NH3)4]SO4晶體中含有的化學(xué)鍵除了普通共價(jià)鍵外,還有                           。

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精英家教網(wǎng)Ⅰ.砷化鎵為第三代半導(dǎo)體,以其為材料制造的燈泡壽命長.耗能少.已知砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示.請回答下列問題:
(1)下列說法正確的是
 
(填序號)
A.砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同 B.第一電離能 As>Ga C.電負(fù)性 As>Ga D.原子半徑 As>Ga
(2)AsH3空間形狀為
 
;已知(CH33Ga為非極性分子,則其中鎵原子的雜化方式為
 
;
Ⅱ.金屬銅的導(dǎo)電性僅次于銀,居金屬中的第二位,大量用于電氣工業(yè).
(3)Cu2+的核外電子排布式為
 

(4)在硫酸銅溶液中通入過量的氨氣,小心蒸發(fā),最終得到深藍(lán)色的[Cu(NH34]SO4晶體,晶體中含有的化學(xué)鍵除普通共價(jià)鍵外,還有
 
 

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Ⅰ.砷化鎵為第三代半導(dǎo)體,以其為材料制造的燈泡壽命長,耗能少。已知砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。請回答下列問題:
 (1)下列說法正確的是____(填序號)。
A.砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同
B.第一電離能As>Ga
C.電負(fù)性As>Ga
D.原子半徑As>Ga
(2)砷化鎵可由(CH3)3Ga和AsH3在700℃下反應(yīng)制得,反應(yīng)的方程式為_________________;
(3)AsH3空間形狀為_______;已知(CH3)3Ga為非極性分子,則其中鎵原子的雜化方式為____________;
Ⅱ.金屬銅的導(dǎo)電性僅次于銀,居金屬中的第二位,大量用于電氣工業(yè)。
(4)請解釋金屬銅能導(dǎo)電的原因___________,Cu2+的核外電子排布式為_________________
(5)在硫酸銅溶液中通入過量的氨氣,小心蒸發(fā),最終得到深藍(lán)色的[Cu(NH3)4]SO4晶體,晶體中含有的化學(xué)鍵除普通共價(jià)鍵外,還有___________和____________。

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(15分)

Ⅰ. 砷化鎵為第三代半導(dǎo)體,以其為材料制造的燈泡壽命長.耗能少。已知砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。請回答下列問題:

   (1)下列說法正確的是__________(填序號)

A.砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同        B.第一電離能 As>Ga

C.電負(fù)性 As>Ga                              D.原子半徑 As>Ga

   (2)砷化鎵可由(CH33Ga和AsH3在700℃下反應(yīng)制得,反應(yīng)的方程式為__________;

   (3)AsH3空間形狀為___________;已知(CH33 Ga為非極性分子,則其中鎵原子的雜化方式為____________;

Ⅱ. 金屬銅的導(dǎo)電性僅次于銀,居金屬中的第二位,大量用于電氣工業(yè)。

   (4)請解釋金屬銅能導(dǎo)電的原因                     , Cu2+的核外電子排布式為__________________________。

   (5)在硫酸銅溶液中通入過量的氨氣,小心蒸發(fā),最終得到深藍(lán)色的[Cu(NH34]SO4晶體,晶體中含有的化學(xué)鍵除普通共價(jià)鍵外,還有                  。

 

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(15分)
Ⅰ. 砷化鎵為第三代半導(dǎo)體,以其為材料制造的燈泡壽命長.耗能少。已知砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。請回答下列問題:

(1)下列說法正確的是__________(填序號)

A.砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同B.第一電離能 As>Ga
C.電負(fù)性 As>GaD.原子半徑 As>Ga
(2)砷化鎵可由(CH33Ga和AsH3在700℃下反應(yīng)制得,反應(yīng)的方程式為__________;
(3)AsH3空間形狀為___________;已知(CH33Ga為非極性分子,則其中鎵原子的雜化方式為____________;
Ⅱ.金屬銅的導(dǎo)電性僅次于銀,居金屬中的第二位,大量用于電氣工業(yè)。
(4)請解釋金屬銅能導(dǎo)電的原因                     , Cu2+的核外電子排布式為__________________________。
(5)在硫酸銅溶液中通入過量的氨氣,小心蒸發(fā),最終得到深藍(lán)色的[Cu(NH34]SO4晶體,晶體中含有的化學(xué)鍵除普通共價(jià)鍵外,還有                

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