（2009?宿遷模擬）已知A、B、C、D、E都是周期表中前四周期的元素，它們的核電荷數(shù)A＜B＜C＜D＜E．其中B、D、E原子最外電子層的p能級（軌道）上的電子處于半滿狀態(tài)．通常情況下，A的一種氧化物分子為非極性分子，其晶胞結(jié)構(gòu)如右下圖所示．原子序數(shù)為31的元素鎵（Ga）與元素B形成的一種化合物是繼以C單質(zhì)為代表的第一代半導(dǎo)體材料和GaE為代表的第二代半導(dǎo)體材料之后，在近10年迅速發(fā)展起來的第三代新型半導(dǎo)體材料．
試回答下列問題：（答題時，A、B、C、D、E用所對應(yīng)的元素符號表示）
（1）基態(tài)Ga原子的核外電子排布式為．
（2）A、B、C的第一電離能由大到小的順序為．
（3）B元素的單質(zhì)分子中有個π鍵，與其互為等電子體的物質(zhì)的化學式可能為（任寫一種）．
（4）上述A的氧化物分子的中心原子采取雜化，其晶胞中微粒間的作用力為．
（5）EH₃分子的空間構(gòu)型為，其沸點與BH₃相比（填“高”或“低”），原因是．
（6）向CuSO₄溶液中逐滴加入BH₃的水溶液，得到深藍色的透明溶液．請寫出該反應(yīng)的離子方程式．

（2009?宿遷模擬）下列溶液中各微粒的濃度關(guān)系正確的是（　�。�

（2009?海口模擬）Mn、Fe均為第四周期過渡元素，兩元素的部分電離能（I）數(shù)據(jù)列于下表：

元素		Mn	Fe
電離能/kJ?mol-1	I1	717	759
	I2	1509	1561
	I3	3248	2957

回答下列問題：
（1）Mn元素價電子層的電子排布式為，比較兩元素的I₂、I₃可知，氣態(tài)Mn²⁺再失去一個電子比氣態(tài)Fe²⁺再失去一個電子難．對此，你的解釋是．
（2）Fe原子或離子外圍有較多能量相近的空軌道而能與一些分子或離子形成配合物，則與Fe原子或離子形成配合物的分子或離子應(yīng)具備的條件是．
（3）三氯化鐵常溫下為固體，熔點282℃，沸點315℃，在300℃以上易升華，易溶于水，也易溶于乙醚、丙酮等有機溶劑，據(jù)此判斷三氯化鐵晶體為晶體．
（4）金屬鐵的晶體在不同溫度下有兩種堆積方式，晶胞分別如圖所示．面心立方晶胞和體心立方晶胞中實際含有的Fe原子個數(shù)之比為，其中體心立方晶胞空間利用率為．

（2009?宿遷模擬）如圖是恒溫下某化學反應(yīng)的反應(yīng)速率隨反應(yīng)時間變化的示意圖，下列敘述不正確的是（　�。�

（2009?濱州模擬）下列表述正確的是（　�。�