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科目： 來源：gzwl 題型：

質(zhì)量不同而具有相同動能的兩個物體，在動摩擦因數(shù)相同的水平面上滑行到停止，則（　�。�
A．質(zhì)量大的滑行的距離大
B．質(zhì)量大的滑行的時間長
C．質(zhì)量大的滑行的加速度小
D．它們克服阻力做的功一樣多

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科目： 來源：gzwl 題型：

下圖中分別標明了通電直導(dǎo)線中電流I、勻強磁場的磁感應(yīng)強度B和電流所受安培力F的方向，其中正確的是（　�。�
A．
魔方格
B．
魔方格
C．
魔方格
D．
魔方格

試題詳情

科目： 來源：gzwl 題型：

如圖所示，在兩平行金屬板間有正交的勻強電場和勻強磁場，一個帶電粒子垂直于電場和磁場方向射入場中，射出時粒子的動能減小了，為了使粒子射出時比射入時的動能增大，在不計重力的情況下，可采取的方法是（其它條件不變）（　�。�
A．減小粒子射入時的速度B．增大磁場的磁感應(yīng)強度
C．增大電場的電場強度D．改變粒子的帶電性質(zhì)
魔方格

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科目： 來源：gzwl 題型：

圖中給出了四個電場的電場線，則每一幅圖中在M、N處電場強度相同的是（　�。�
A．
魔方格
B．
魔方格
C．
魔方格
D．
魔方格

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科目： 來源：gzwl 題型：

在兩種介質(zhì)的界面處發(fā)生全反射，由此可判定：（　�。�
①光由光密介質(zhì)射向光疏介質(zhì)    ②光由光疏介質(zhì)射向光密介質(zhì)
③入射角等于或大于臨界角      ④入射角小于臨界角．
A．①③B．②④C．①④D．②③

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科目： 來源：gzwl 題型：

下列關(guān)于電場線的說法中，正確的是（　�。�
A．電場線是電場中實際存在的線
B．在復(fù)雜電場中的電場線是可以相交的
C．沿電場線方向，電勢必定越來越低
D．電場線越密的地方，同一試探電荷所受的電場力越大

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科目： 來源：gzwl 題型：

用中子轟擊鋁
 2713
Al，產(chǎn)生鈉
 2411
Na和x；鈉
 2411
Na具有放射性，它衰變后變成鎂
 2412
Mg和y．其方程式為
 2713
Al
+10
n
→2411
Na+x和
 2411
Na
→2412
Mg+y，則x和y分別表示（　　）
A．質(zhì)子和α粒子B．電子和α粒子?
C．α粒子和中子D．α粒子和電子

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科目： 來源：gzwl 題型：

下列說法中正確的是（　�。�
A．康普頓效應(yīng)和光電效應(yīng)表明，光具有波動性
B．光的雙逢干涉實驗和光的衍射實驗表明，光具有粒子性
C．可用降溫的方法改變放射性元素的半衰期
D．同一元素的兩種同位素，其原子核內(nèi)的質(zhì)子數(shù)相同而中子數(shù)不同

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科目： 來源：gzwl 題型：

 23490
Th核中有（　�。�
A．234個核子B．90個中子C．144個質(zhì)子D．144個核子

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科目： 來源：gzwl 題型：

在圖所示的勻強電場中，水平等距離的虛線表示其等勢面，帶電量Q=-0.5×10-10C的粒子（不考慮粒子所受重力）在電場力作用下從A點運動到B點，動能增加0.5×10-9J，A點電勢為-10V，下列關(guān)于粒子的運動軌跡和B點電勢的說法中正確的是（　�。�
A．粒子沿軌道1運動，B點電勢為零
B．粒子沿軌道2運動，B點電勢為20V
C．粒子沿軌道1運動，B點電勢為-20V
D．粒子沿軌道2運動，B點電勢為-20V
魔方格

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