Question

拆開(kāi)1mol化學(xué)鍵所吸收的能量是該化學(xué)鍵的鍵能，它的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱．

化學(xué)鍵	Si﹣O	Si﹣Cl	H﹣H	H﹣Cl	Si﹣Si	Si﹣C
鍵能/kJ•mol﹣1	460	360	436	431	176	347

下列說(shuō)法中錯(cuò)誤的是（　�。�

	A．	SiCl4的熔點(diǎn)比SiC低
	B．	拆開(kāi)1 mol晶體硅中的化學(xué)鍵所吸收的能量為176kJ
	C．	HCl的熔點(diǎn)比H2高
	D．	拆開(kāi)1 mol晶體SiC中的化學(xué)鍵所吸收的能量為1388kJ

　

Answer 1

考點(diǎn)：

鍵能、鍵長(zhǎng)、鍵角及其應(yīng)用．

專題：

化學(xué)鍵與晶體結(jié)構(gòu)．

分析：

A．SiCl₄的是分子晶體，SiC是原子晶體，熔點(diǎn)原子晶體＞分子晶體；

B．晶體硅中1個(gè)Si原子與周?chē)��?個(gè)Si形成正四面體空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，每個(gè)Si原子形成4個(gè)Si﹣Si鍵，每個(gè)Si﹣Si鍵為1個(gè)

Si原子通過(guò)Si﹣Si鍵，所以1mol晶體硅中含有Si﹣Si鍵為1mol×4×=2mol；

C．范德華力越大熔沸點(diǎn)越高；

D．晶體SiC中1個(gè)Si原子與周?chē)��?個(gè)C形成正四面體空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，每個(gè)Si原子形成4個(gè)Si﹣C鍵，每個(gè)Si﹣C鍵為1個(gè)Si原子通過(guò)Si﹣C鍵，所以1mol晶體硅中含有Si﹣C鍵為1mol×4×=2mol．

解答：

解：A．SiCl₄的是分子晶體，SiC是原子晶體，熔點(diǎn)原子晶體＞分子晶體，所以SiCl₄的熔點(diǎn)比SiC熔點(diǎn)低，故A正確；

B．晶體硅中1個(gè)Si原子與周?chē)��?個(gè)Si形成正四面體空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，每個(gè)Si原子形成4個(gè)Si﹣Si鍵，每個(gè)Si﹣Si鍵為1個(gè)

Si原子通過(guò)Si﹣Si鍵，所以1mol晶體硅中含有Si﹣Si鍵為1mol×4×=2mol，拆開(kāi)1mol晶體硅中的化學(xué)鍵所吸收的能量為176kJ/mol×2mol=352kJ，故B錯(cuò)誤；

C．相對(duì)分子質(zhì)量越大，范德華力越大，熔沸點(diǎn)越高，故C正確；

D．晶體硅中1個(gè)Si原子與周?chē)��?個(gè)C形成正四面體空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，每個(gè)Si原子形成4個(gè)Si﹣C鍵，每個(gè)Si﹣C鍵為1個(gè)Si原子通過(guò)Si﹣C鍵，所以1mol晶體硅中含有Si﹣C鍵為1mol×4×=2mol，拆開(kāi)1mol晶體硅中的化學(xué)鍵所吸收的能量為347kJ/mol×2mol=694kJ，故D正確．

故選B．

點(diǎn)評(píng)：

本題考查晶體類(lèi)型與性質(zhì)、鍵能概念及鍵能鍵長(zhǎng)的運(yùn)用等，難度中等，BD選項(xiàng)為易錯(cuò)點(diǎn)，要根據(jù)晶體結(jié)構(gòu)判斷1mol晶體硅中含有Si﹣Si鍵為2mol．