氧元素和鹵族元素都能形成多種物質(zhì),我們可以利用所學(xué)物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的相關(guān)知識(shí)去認(rèn)識(shí)和理解.
(1)COCl2的空間構(gòu)型為
 
;溴的價(jià)電子排布式為
 

(2)已知CsICl2不穩(wěn)定,受熱易分解,傾向于生成晶格能更大的物質(zhì),則它按下列
 
式發(fā)生.
A. CsICl2=CsCl+ICl    B. CsICl2=CsI+Cl2
(3)根據(jù)下表提供的第一電離能數(shù)據(jù)判斷:最有可能生成較穩(wěn)定的單核陽(yáng)離子的鹵素原子是
 

第一電離能
(Kj/mol)
1681125111401008
(4)下列分子既不存在s-pσ鍵,也不存在p-pπ鍵的是
 

A. HCl   B.HF    C. SO2    D. SCl2
(5)已知ClO2一為角型,中心氯原子周圍有四對(duì)價(jià)層電子.ClO2-中心氯原子的雜化軌道類型為
 
,寫(xiě)出CN-的等電子體的分子式
 
(寫(xiě)出1個(gè)).
(6)鈣在氧氣中燃燒時(shí)得到一種鈣的氧化物品體,其結(jié)構(gòu)如圖所示:由此可判斷該鈣的氧化物的化學(xué)式為
 
.已知該氧化物的密度是ρg?cm-3,則品胞離得最近的兩個(gè)鈣離子間的距離為
 
cm(只要求列算式,不必計(jì)算出數(shù)值,阿伏加德羅常數(shù)為NA).
考點(diǎn):晶胞的計(jì)算,原子核外電子排布,判斷簡(jiǎn)單分子或離子的構(gòu)型,原子軌道雜化方式及雜化類型判斷
專題:化學(xué)鍵與晶體結(jié)構(gòu)
分析:(1)COCl2中C原子的價(jià)電子對(duì)數(shù)為
4+2
2
=3,C原子采取sp2雜化,中心原子無(wú)孤電子對(duì),C與O原子之間形成C=O雙鍵,其結(jié)構(gòu)式是,據(jù)此判斷分子空間構(gòu)型,溴是35號(hào)元素,最外層電子為其價(jià)電子,4s能級(jí)上排列2個(gè)電子,4p能級(jí)上排列5個(gè)電子,據(jù)此寫(xiě)出價(jià)電子排布式;
(2)在離子晶體中離子半徑越小,晶格能越大,據(jù)此判斷;
(3)第一電離能是指原子失去一個(gè)電子所需的能量,第一電離能越小,就越容易失去一個(gè)電子,據(jù)此答題;
(4)A. HCl中存在s-pσ鍵,B.HF中存在s-pσ鍵,C. SO2中存在p-pπ鍵,D. SCl2中存在p-pσ鍵,據(jù)此答題;
(5)根據(jù)中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)確定其雜化方式;等電子體是具有相同的價(jià)電子數(shù)和相同原子數(shù)的微粒;
(6)根據(jù)均攤法確定晶胞中各種原子的個(gè)數(shù),再確定其化學(xué)式,根據(jù)密度確定晶胞的體積,進(jìn)而求得晶胞的邊長(zhǎng),兩個(gè)離得最近的鈣是位于頂點(diǎn)和面心上的,它們的距離為晶胞邊長(zhǎng)的
2
2
,據(jù)此答題;
解答: 解:(1)COCl2中C原子的價(jià)電子對(duì)數(shù)為
4+2
2
=3,C原子采取sp2雜化,中心原子無(wú)孤電子對(duì),C與O原子之間形成C=O雙鍵,其結(jié)構(gòu)式是,所以它的空間構(gòu)型為平面三角形,溴是35號(hào)元素,最外層電子為其價(jià)電子,4s能級(jí)上排列2個(gè)電子,4p能級(jí)上排列5個(gè)電子,其價(jià)電子排布式為4s24p5,
故答案為:平面三角形;4s24p5;
(2)在離子晶體中離子半徑越小,晶格能越大,比較兩個(gè)反應(yīng)的產(chǎn)物可知,由于氯離子的半徑小于碘離子,所以CsCl的晶格能大于CsI的晶格能,故答案選A;
(3)第一電離能是指原子失去一個(gè)電子所需的能量,第一電離能越小,就越容易失去一個(gè)電子,比較表格中的數(shù)據(jù)可知,碘更容易形成較穩(wěn)定的單核陽(yáng)離子,故答案為:碘;
(4)A. HCl中存在s-pσ鍵,B.HF中存在s-pσ鍵,C. SO2中存在p-pπ鍵,D. SCl2中存在p-pσ鍵,
故答案為:D;
(5)因?yàn)槁仍又車兴膶?duì)價(jià)層電子,所以中心原子的雜化方式為sp3雜化;CN-中有兩個(gè)原子,價(jià)電子數(shù)為10個(gè),根據(jù)等電子體是具有相同的價(jià)電子數(shù)和相同原子數(shù)的微粒可知,它的等電子體分子是N2或 CO,
故答案為:sp3雜化;N2或 CO;
(6)根據(jù)均攤法可知晶胞中鈣離子的個(gè)數(shù)為
1
8
+6×
1
2
=4,過(guò)氧離子的個(gè)數(shù)為12×
1
4
+1
=4,故其化學(xué)式為CaO2,設(shè)晶胞的邊長(zhǎng)為a,根據(jù)ρ=
4×(40+32)
NA
a3
,得a=
3
72×4
ρNA
cm,兩個(gè)離得最近的鈣是位于頂點(diǎn)和面心上的,它們的距離為晶胞邊長(zhǎng)的
2
2
倍,即為
2
2
×
3
72×4
ρNA
cm,
故答案為:CaO2
2
2
×
3
72×4
ρNA
;
點(diǎn)評(píng):本題主要考查原子核外電子排布、晶格能、原子雜化軌道、晶胞的計(jì)算等知識(shí)點(diǎn),中等難度,解題時(shí)注意基礎(chǔ)知識(shí)的靈活運(yùn)用.
練習(xí)冊(cè)系列答案
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現(xiàn)代無(wú)機(jī)化學(xué)對(duì)硫-氮化合物的研究是最為活躍的領(lǐng)域之一.如圖是已經(jīng)合成的最著名的
硫-氮化合物的分子結(jié)構(gòu).下列說(shuō)法正確的是(  )
A、該物質(zhì)的分子式為SN
B、該物質(zhì)的分子中既有極性鍵又有非極性鍵
C、該物質(zhì)可能是離子化合物
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實(shí)驗(yàn)室需要配制0.55mol?L-1 NaOH溶液220mL.
按下列操作步驟填上適當(dāng)?shù)奈淖,以使整個(gè)操作完整.
(1)選擇儀器.完成本實(shí)驗(yàn)所必需的儀器有:托盤天平、藥匙、燒杯、玻璃棒、
 
、
 

(2)計(jì)算.配制該溶液需取NaOH晶體
 
g.
(3)稱量.
①天平調(diào)平后,應(yīng)將天平的游碼調(diào)至某個(gè)位置,請(qǐng)?jiān)谌鐖D中用一根豎線標(biāo)出游碼左邊緣所處的位置:

②稱量過(guò)程中NaOH晶體應(yīng)放于天平的
 
(填“左盤”或“右盤”).
(4)溶解、冷卻,該步實(shí)驗(yàn)中需要使用玻璃棒,目的是
 

(5)轉(zhuǎn)移、洗滌.在轉(zhuǎn)移時(shí)應(yīng)使用玻璃棒引流,應(yīng)注意
 
需要洗滌燒杯2~3次是為了
 

(6)定容、搖勻.
(7)將配好的溶液靜置一段時(shí)間后,倒入指定的試劑瓶,貼好標(biāo)簽,注明溶液名稱、濃度及配制的時(shí)間.
(8)下列操作使所配溶液濃度偏大的有
 
(填字母,下同);偏小的有
 
;無(wú)影響的有
 

A、稱量時(shí)用生銹的砝碼  
B、將NaOH放在紙上稱量
C、NaOH在燒杯中溶解后,未冷卻就立即轉(zhuǎn)移到容量瓶中 
D、往容量瓶轉(zhuǎn)移時(shí)有少量液體濺出
E、未洗滌溶解NaOH的燒杯 
F、定容時(shí)仰視刻度線
G、容量瓶未干燥就用來(lái)配制溶液.

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

下列物質(zhì)中,無(wú)天然存在的是( 。
A、碳酸鈉晶體B、過(guò)氧化鈉
C、芒硝D、氯化鈉

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

下列有關(guān)硅的敘述中,不正確的是( 。
A、硅是一種親氧元素,在自然界中大多以氧化物和硅酸鹽的形式存在
B、硅在地殼中的含量居第一位
C、利用硅的半導(dǎo)體性能,可以制作光電池
D、硅晶體的結(jié)構(gòu)與金剛石類似

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

1.56g某堿金屬單質(zhì)與足量鹽酸反應(yīng),得到標(biāo)準(zhǔn)狀況下的H2448mL[ρ(H2)=0.0893g?L-1,該金屬的相對(duì)原子質(zhì)量為( 。
A、85B、24C、39D、7

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

物質(zhì)的量濃度相同的下列溶液中,NH4+濃度最大的是( 。
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

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