A. | Y與T形成的化合物中含有離子鍵 | |
B. | X、Z、T對應(yīng)的簡單離子半徑由大到小的順序為T>X>Z | |
C. | 1 mol Z的單質(zhì)與足量X的單質(zhì)反應(yīng),轉(zhuǎn)移電子物質(zhì)的量可能是2 mol,也可能是1 mol | |
D. | X與Y形成的共價化合物XY2不能溶于強堿溶液 |
分析 W、X、Y、Z、T均是短周期元素,W原子最外層電子數(shù)是內(nèi)層電子數(shù)的兩倍,原子只能有2個電子層,最外層電子數(shù)為4,故W為C元素;W和Y同主族,則Y為Si;X元素族序數(shù)是所在周期數(shù)的三倍,原子只能有2個電子層,處于VIA族,故X為O元素;X的陰離子與Z的陽離子的電子層結(jié)構(gòu)相同,則Z位于第三周期,Z的單質(zhì)與X的單質(zhì)在不同條件下反應(yīng),可生成Z2X或Z2X2,則Z為Na;T和Z同周期,且T是所在周期中原子半徑最小的元素,則T為Cl,據(jù)此進(jìn)行解答.
解答 解:W、X、Y、Z、T均是短周期元素,W原子最外層電子數(shù)是內(nèi)層電子數(shù)的兩倍,原子只能有2個電子層,最外層電子數(shù)為4,故W為C元素;W和Y同主族,則Y為Si;X元素族序數(shù)是所在周期數(shù)的三倍,原子只能有2個電子層,處于VIA族,故X為O元素;X的陰離子與Z的陽離子的電子層結(jié)構(gòu)相同,則Z位于第三周期,Z的單質(zhì)與X的單質(zhì)在不同條件下反應(yīng),可生成Z2X或Z2X2,則Z為Na;T和Z同周期,且T是所在周期中原子半徑最小的元素,則T為Cl,
A.Y與T形成的化合物為四氯化硅,四氯化硅為共價化合物,分子中只含有共價鍵,故A錯誤;
B.X、Z、T對應(yīng)的簡單離子分別為氧離子、鈉離子和氯離子,氯離子電子層最多,其離子半徑增大;氧離子和鈉離子都含有2個電子層,氧離子的核電荷數(shù)較小,則氧離子的離子半徑較大,所以離子半徑由大到小的順序為T>X>Z,故B正確;
C.1 mol Z(Na)的單質(zhì)與足量X的單質(zhì)(氧氣)反應(yīng),無論生成氧化鈉還是過氧化鈉,產(chǎn)物中鈉的化合價都是+1價,轉(zhuǎn)移電子的物質(zhì)的量一定為1mol,故C錯誤;
D.X與Y形成的共價化合物XY2為SiO2,二氧化硅為酸性氧化物,能夠溶于強堿溶液,故D錯誤;
故選B.
點評 本題考查了原子結(jié)構(gòu)與元素周期律的關(guān)系,題目難度中等,根據(jù)題干信息正確推斷元素為解答關(guān)鍵,注意掌握原子結(jié)構(gòu)與元素周期律之間的關(guān)系,試題側(cè)重考查學(xué)生的分析能力及靈活應(yīng)用能力.
科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | ①②③④ | B. | ③④⑤⑥⑦ | C. | ②③⑤⑥⑦ | D. | ①④⑤⑥⑦ |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 1:4 | B. | 10:11 | C. | 4:1 | D. | 5:22 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 75% | B. | >75% | C. | <75% | D. | 不能確定 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | Cl2與水反應(yīng)生成鹽酸和次氯酸:Cl2+H2O═2H++Cl-+ClO- | |
B. | 向氯化鋁溶液中加入足量氨水:Al3++4NH3•H2O═AlO2-+2H2O+4NH4+ | |
C. | 用醋酸除水垢:2CH3COOH+CaCO3═Ca2++2CH3COO-+H2O+CO2↑ | |
D. | 向NaHSO4溶液中逐滴加入Ba(OH)2溶液至呈中性:H++SO42-+Ba2++OH-═H2O+BaSO4↓ |
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