Question

【題目】工業(yè)上利用如下反應(yīng)制取P4：2Ca(PO4)2 +6SiO2+10C6CaSiO3+P4+10CO

回答下列問題：

(1)基態(tài)硅原子的核外電子排布式為___。

(2)Si、P、S元素第一電離能大小關(guān)系為___。

(3)P4中P原子的雜化方式是___ ，P4的空間結(jié)構(gòu)為___ ，鍵角∠PPP=___。

(4)與CO互為等電子的陰離子是___ (填化學(xué)式)。

(5)晶體硅與金剛石結(jié)構(gòu)相似，下圖為晶體硅的晶胞結(jié)構(gòu)。已知硅原子的半徑為r nm，晶體硅的密度是___g/cm3。

(6)硅的含氧化合物都以硅氧四面體(SiO4)作為基本結(jié)構(gòu)單元，如圖a所示，可簡(jiǎn)化為圖b。

硅、氧原子通過共用氧原子形成各種不同的硅酸根負(fù)離子，如圖c和圖d，圖c的化學(xué)式____________。在無限長(zhǎng)鏈的硅酸根中硅氧原子之比為____。

硅、氧原子除可形成長(zhǎng)鏈外，也可形成層狀和立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。在立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)中，硅、氧原子數(shù)之比為____。

Answer 1

【答案】1s22s22p63s23p2，或[Ne]3s23p2 P>S>Si或Si<S<P sp3 正四面體 60° CN－ Si2O76－ 1：3 1：2

【解析】

（1）Si位于第三周期IVA族，14號(hào)元素，核外電子排布式為1s22s22p63s23p2，或[Ne]3s23p2；

（2）同周期從左向右第一電離能增大，但IIA>IIIA、VA>VIA，因此第一電離能大小順序是P>S>Si或Si<S<P；

（3）白磷的空間構(gòu)型為正四面體形，即P原子的雜化方式是sp3，鍵角為60°；

（4）CO的價(jià)電子總數(shù)為10，原子數(shù)為2，因此N2、NO＋、CN－都與CO互為等電子體，陰離子是CN－；

（5）晶體硅與金剛石結(jié)構(gòu)相似，體對(duì)角線的1/4=2r，即體對(duì)角線為8r，得出晶胞的邊長(zhǎng)為×10－7cm，根據(jù)晶胞的結(jié)構(gòu)，晶胞中含有Si原子個(gè)數(shù)為8，因此晶胞的質(zhì)量為×28g，因此晶胞的密度為g/cm3；

（6）由圖可知，a圖的化學(xué)式為SiO44－，形成二聚硅酸根是兩個(gè)SiO44－通過共用1個(gè)O原子相連，可知圖c的化學(xué)式為Si2O76－；根據(jù)圖d結(jié)構(gòu)，每個(gè)SiO44－與兩個(gè)SiO44－均共用1個(gè)O原子，Si、O原子個(gè)數(shù)比為1：(2＋2×1/2)=1：3；在立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)中，每個(gè)SiO44－與四個(gè)SiO44－均共用1個(gè)O原子，Si、O原子個(gè)數(shù)比為1：(4×1/2)=1：2。