3.2014年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)得主的貢獻(xiàn)是發(fā)明了一種高效而環(huán)保的光源--藍(lán)色發(fā)光二極管(LED).某同學(xué)對此非常感興趣,請你幫助某同學(xué)完成資料收集的工作.
(一)LED研究起始于對碳化硅晶體的研究.1907年,英國科學(xué)家Henry Joseph Round發(fā)現(xiàn)在施加電流時(shí)能夠在碳化硅晶體中發(fā)現(xiàn)發(fā)光現(xiàn)象.
(1)碳化硅晶體屬于原子晶體.
(2)碳化硅的晶胞結(jié)構(gòu)與金剛石的相似,在碳化硅晶體中,碳原子所連接最小的環(huán)由3個(gè)碳原子和3個(gè)硅原子組成,每個(gè)碳原子連接12個(gè)這樣的環(huán).
(3)碳化硅中,碳原子采取sp3雜化方式,與周圍的硅原子形成的鍵角為109°28’.
(4)請結(jié)合原子結(jié)構(gòu)的知識解釋發(fā)光的原因:電子從能量較高的軌道躍遷到能量較低的軌道時(shí),以光的形式釋放能量.
(二)準(zhǔn)現(xiàn)代LED.1962年,GE公司使用磷砷化鎵(GaAsxP1-x)材料制成了紅色發(fā)光二極管.這是第一顆可見光LED,被視為現(xiàn)代LED之祖.隨后又出現(xiàn)了綠色LED磷化鎵(GaP)和黃色LED碳化硅,使光譜拓展到橙光、黃光和綠光.
(5)鎵在元素周期表的位置是第四周期ⅢA族,其基態(tài)原子的價(jià)電子排布式為4s24p1
(6)人們發(fā)現(xiàn)在磷砷化鎵或磷化鎵中摻雜氮(利用氮代替磷或砷的位置),可以提高其發(fā)光效率.其原因不可能為BC(多選).
A、氮的半徑比磷和砷的半徑小,用氮代替部分磷或砷的位置不會(huì)影響晶體的構(gòu)型.
B、N的第一電離能大于磷和砷,容易失去電子,發(fā)生電子躍遷.
C、N的電負(fù)性大,摻雜后得到的位置中存在氫鍵.
D、N是與砷、磷具有相同價(jià)電子結(jié)構(gòu)的雜質(zhì),但對電子束縛能力較磷和砷強(qiáng),造成等電子陷阱.
(三)1993年,中村修二等人開發(fā)出首個(gè)明亮藍(lán)光的氮化鎵LED.憑借此成就,他獲得了2014年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng).
(7)為測試氮化鎵綠色LED光強(qiáng)與電流的關(guān)系,得到如圖,從圖中你能得到規(guī)律其他條件相同時(shí),當(dāng)電流小于153.0 mA時(shí),氮化鎵綠色LED光強(qiáng)隨著電流的增加而增強(qiáng),當(dāng)電流大于153.0 mA時(shí),光強(qiáng)隨著電流的增強(qiáng)而減弱(寫一條即可)

分析 (1)碳化硅晶體屬于原子晶體;
(2)金剛石晶體中,碳原子所連接最小的環(huán)含有6個(gè)碳原子,碳化硅晶體中最小的環(huán)含有6個(gè)原子,且C、Si原子數(shù)目之比為1:1;
每個(gè)C原子形成4個(gè)C-Si鍵,任意2個(gè)C-Si決定2個(gè)六元環(huán),4個(gè)C-Si鍵有6種組合;
(3)碳化硅中,碳原子形成4個(gè)C-Si鍵,雜化軌道數(shù)目為4,C原子與周圍的4個(gè)Si原子形成正四面體結(jié)構(gòu);
(4)電子從能量較高的軌道躍遷到能量較低的軌道時(shí),以光的形式釋放能量;
(5)鎵在元素周期表的位置是:第四周期ⅢA族;
(6)第一電離能越大,越不容易失去電子,磷砷化鎵或磷化鎵中沒有H原子,摻雜N原子不能形成氫鍵;
(7)由圖可知,其他條件相同時(shí),當(dāng)電流小于153.0 mA時(shí),氮化鎵綠色LED光強(qiáng)隨著電流的增加而增強(qiáng),當(dāng)電流大于153.0 mA時(shí),光強(qiáng)隨著電流的增強(qiáng)而減弱.

解答 解:(1)碳化硅晶體屬于原子晶體,故答案為:原子;
(2)金剛石晶體中,碳原子所連接最小的環(huán)含有6個(gè)碳原子,碳化硅晶體中最小的環(huán)含有6個(gè)原子,且C、Si原子數(shù)目之比為1:1,則在碳化硅晶體中,碳原子所連接最小的環(huán)由3個(gè)碳原子和3個(gè)硅原子組成,每個(gè)C原子形成4個(gè)C-Si鍵,任意2個(gè)C-Si決定2個(gè)六元環(huán),4個(gè)C-Si鍵有6種組合,所以每個(gè)碳原子連接2×6=12 個(gè)這樣的環(huán),
故答案為:3;3;12;
(3)碳化硅中,碳原子形成4個(gè)C-Si鍵,雜化軌道數(shù)目為4,C原子采取sp3雜化,C原子與周圍的4個(gè)Si原子形成正四面體結(jié)構(gòu),鍵角為:109°28’,
故答案為:sp3;109°28’;
(4)電子從能量較高的軌道躍遷到能量較低的軌道時(shí),以光的形式釋放能量,
故答案為:電子從能量較高的軌道躍遷到能量較低的軌道時(shí),以光的形式釋放能量;
(5)鎵在元素周期表的位置是:第四周期ⅢA族,其基態(tài)原子的價(jià)電子排布式為4s24p1,
故答案為:第四周期ⅢA族;4s24p1
(6)A.氮的半徑比磷和砷的半徑小,用氮代替部分磷或砷的位置不會(huì)影響晶體的構(gòu)型,可能正確;
B.N的第一電離能大于磷和砷,不容易失去電子,故不可能正確;
C.磷砷化鎵或磷化鎵中沒有H原子,摻雜N原子不能形成氫鍵,不可能正確;
N的電負(fù)性大,摻雜后得到的位置中存在氫鍵.
D.N是與砷、磷具有相同價(jià)電子結(jié)構(gòu)的雜質(zhì),N引導(dǎo)電負(fù)性較大,但對電子束縛能力較磷和砷強(qiáng),造成等電子陷阱,可能正確,
故選:BC;
(7)由圖可知,其他條件相同時(shí),當(dāng)電流小于153.0 mA時(shí),氮化鎵綠色LED光強(qiáng)隨著電流的增加而增強(qiáng),當(dāng)電流大于153.0 mA時(shí),光強(qiáng)隨著電流的增強(qiáng)而減弱,
故答案為:其他條件相同時(shí),當(dāng)電流小于153.0 mA時(shí),氮化鎵綠色LED光強(qiáng)隨著電流的增加而增強(qiáng),當(dāng)電流大于153.0 mA時(shí),光強(qiáng)隨著電流的增強(qiáng)而減弱.

點(diǎn)評 本題考查晶胞結(jié)構(gòu)、雜化方式、結(jié)構(gòu)與位置關(guān)系等,屬于拼合型題目,(6)中為易錯(cuò)點(diǎn)、難點(diǎn),注意利用排除法解答.

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