元素X 位于第四周期,其基態(tài)原子的內(nèi)層軌道全部排滿電子,且最外層電子數(shù)為2。元素Y基態(tài)原子的3p 軌道上有4個(gè)電子。元素Z 的原子最外層電子數(shù)是其內(nèi)層的3倍。
(1)X與Y所形成化合物晶體的晶胞如圖所示。

①在1個(gè)晶胞中,X離子的數(shù)目為     。
②該化合物的化學(xué)式為         。若其晶胞邊長(zhǎng)為540.0pm,則密度為                       ,X與最近的Y之間的距離為                 
(2)在Y的氫化物(H2Y)分子中,Y原子軌道的雜化類型是       。
(3)Y 與Z 可形成YZ42
①YZ42的空間構(gòu)型為          (用文字描述)。
②寫出一種與YZ42互為等電子體的分子的化學(xué)式:         。
(4)X的氯化物與氨水反應(yīng)可形成配合物[X(NH3)4]Cl2,1mol該配合物中含有σ鍵的數(shù)目為   。
(1)①4 ②ZnS ;4.1g/cm3;  (2)sp3
(3)①正四面體 ②CCl4或SiCl4等 (4)16NA或16×6. 02×1023個(gè)

試題分析:元素X 位于第四周期,其基態(tài)原子的內(nèi)層軌道全部排滿電子,且最外層電子數(shù)為2,所以X是Zn。元素Y基態(tài)原子的3p 軌道上有4個(gè)電子,則Y應(yīng)該是S元素。元素Z 的原子最外層電子數(shù)是其內(nèi)層的3倍,則Z是氧元素。
(1)①根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)冰依據(jù)均攤法可知,在1個(gè)晶胞中,X離子的數(shù)目為個(gè)。
②同樣計(jì)算可知,含有Y的數(shù)目也4個(gè),所以該化合物的化學(xué)式為ZnS。根據(jù)晶胞的結(jié)構(gòu)可知,若其晶胞邊長(zhǎng)為540.0pm,則密度=。根據(jù)晶胞的結(jié)構(gòu)可知,S原子周圍的4個(gè)鋅原子構(gòu)成正四面體型結(jié)構(gòu),則X與最近的Y之間的距離為。
(2)H2S是V形結(jié)構(gòu),則S原子是sp3雜化。
(3)①在SO42中中心原子S原子含有的孤對(duì)電子對(duì)數(shù)=(6+2-4×2)÷2=0,所以YZ42的空間構(gòu)型為正四面體。
②原子數(shù)和價(jià)電子數(shù)分別都相等的是等電子體,則和SO42互為等電子體的可以是CCl4或SiCl4等。
(4)X的氯化物與氨水反應(yīng)可形成配合物[X(NH3)4]Cl2,由于1個(gè)氨氣分子中含有3個(gè)σ鍵,另外又形成形成4個(gè)配位健,則含有的σ鍵數(shù)目是3×4+4=16,所以1mol該配合物中含有σ鍵的數(shù)目為16NA或16×6. 02×1023個(gè)
點(diǎn)評(píng):該題是中等難度試題的考查,也是高考中的常見題型。試題綜合性強(qiáng),貼近高考,側(cè)重對(duì)學(xué)生能力的培養(yǎng)和解題方法的指導(dǎo)與訓(xùn)練,旨在考查學(xué)生靈活運(yùn)用基礎(chǔ)知識(shí)解決實(shí)際問題的能力,有利于培養(yǎng)學(xué)生的應(yīng)試能力和邏輯推理能力以及空間的想象能力。有助于提升學(xué)生的學(xué)科素養(yǎng),提高學(xué)生的應(yīng)試能力。該題的難點(diǎn)是晶體的有關(guān)計(jì)算,所以熟練掌握好均攤法。
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

科技日?qǐng)?bào)報(bào)道:輝鉬(MoS2)在納米電子設(shè)備制造領(lǐng)域比硅或富勒烯(如C60)更有優(yōu)勢(shì)。從不同角度觀察MoS2的晶體結(jié)構(gòu)見圖。已知:Mo位于第五周期VIB族。

(1)晶體硅中硅原子的軌道雜化類型為______。
(2)電負(fù)性:C______S(填“>”或“<”)。
(3)晶體硅和C60比較,熔點(diǎn)較高的是______。
(4)Mo元素基態(tài)原子的價(jià)電子排布式為____________。
(5)根據(jù)MoS2的晶體結(jié)構(gòu)回答:
①每個(gè)Mo原子周圍距離最近的S原子數(shù)目為______。
②Mo-S之間的化學(xué)鍵為______(填序號(hào))。
A極性鍵;B非極性鍵;C配位鍵;D金屬鍵;E范德華力
③MoS2納米粒子具有優(yōu)異的潤(rùn)滑性能,其原因是______。

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:推斷題

W、Y、Z、Q、R是周期表中前四周期的元素,且原子序數(shù)依次增大。W原子核外有2個(gè)未成對(duì)電子,Q是電負(fù)性最大的元素,R元素的原子核外的未成對(duì)電子數(shù)是W原子核外未成對(duì)電子數(shù)的2倍。請(qǐng)回答下列問題(答題時(shí),W、Y、Z、Q、R用所對(duì)應(yīng)的元素符號(hào)表示):
(l)W、Y、Z 三種元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?u>    。在上述三種元素的原子中,寫出與WZ2互為等電子體的分子式            
(2)已知Y2Q2分子存在如下所示的兩種結(jié)構(gòu)(球棍模型,短線不一定代表單鍵)

該分子中Y原子的雜化方式是          雜化。
(3)W2-2陰離子的電子式為       ,Z原子最外層電子排布式為            。
(4)YQ3分子的空間構(gòu)型為         ,Y和Q兩元素的氫化物的沸點(diǎn)相比較,高者是    (寫分子式).往硫酸銅溶液中通入過量的YH3(Y的氫化物分子式),可生成配離子[Cu(YH34]2+,但YQ3不易與Cu2+形成配離子,其原因是                            
(5)科學(xué)家通過X射線探明RZ的晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體結(jié)構(gòu)相似。那么在RZ晶體中距離R2+最近且等距離的R2+    個(gè)。若在RZ晶體中陰陽離子間最近距離為a cm,晶體密度為ρg/cm3,則阿伏伽德羅常數(shù)NA的表達(dá)式為      mol-1
(6)已知非整數(shù)比化合物R0.95­Z,其晶體結(jié)構(gòu)與NaCI相似,但由于R、Z離子個(gè)數(shù)比小于1:1,故晶體存在缺陷。R0.95Z可表示為(   )

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

金屬銅廣泛地應(yīng)用于電氣、機(jī)械制造、國(guó)防等領(lǐng)域。
(1)Cu是元素周期表中第29號(hào)元素,寫出第三周期基態(tài)原子未成對(duì)電子數(shù)與Cu相同且電負(fù)性最大的元素是          (填元素名稱)。
(2)CuO受熱易分解為Cu2O和O2,請(qǐng)從銅的原子結(jié)構(gòu)來說明CuO受熱易分解的原因:
                                                    。
(3)下圖是銅的某種氧化物的晶胞示意圖。已知該晶胞的邊長(zhǎng)為a cm,阿伏加德羅常數(shù)為NA,該晶體的密度為                               。

(4)向硫酸銅溶液中滴加氨水會(huì)生成藍(lán)色沉淀,在滴加氨水到沉淀剛好全部溶解可得到深藍(lán)色溶液,繼續(xù)向其中加入極性較小的乙醇可以生成深藍(lán)色的[Cu(NH3)4]SO4·H2O沉淀。
①SO42中S原子的雜化方式為                       。
②NH3分子內(nèi)的H—N—H鍵角     (填“大于”“等于”或“小于”)H2O分子內(nèi)的H—O—H鍵角。
③S、N、O三種元素第一電離能由大到小的順序?yàn)?u>                           。

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

下表是Na、Mg、Si、S、Br五種元素的單質(zhì)的沸點(diǎn),其中b、e均是熱和電的良導(dǎo)體。
單質(zhì)
a
b
c
d
e
沸點(diǎn)(℃)
58.8
882.9
444.7
2 355
1 107
(1) a的元素在元素周期表中的位置為________。
(2) 寫出d的元素原子的電子式________;其最高價(jià)氧化物形成的晶體為________晶體(填類型),溶于強(qiáng)堿的離子方程式為________________________________________。
(3) c與氫形成的分子X的空間構(gòu)型為________;寫出X的水溶液與足量b元素的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物反應(yīng)的離子方程式___________________________________。
(4) 上述元素所能形成的簡(jiǎn)單離子中半徑最小的是________(填離子符號(hào)),最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物酸性最強(qiáng)的是________(填分子式),e元素與N元素形成化合物的電子式為____________________________。
(5) b元素與氯元素形成的化合物Y的晶體中,1個(gè)晶胞內(nèi)含有的基本微粒及個(gè)數(shù)是________。

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

已知:①紅磷在氯氣中燃燒可以生成兩種化合物——PCl3和PCl5,氮與氫也可形成兩種化合物——NH3和NH5
②PCl5分子中,P原子的1個(gè)3s軌道、3個(gè)3p軌道和1個(gè)3d軌道發(fā)生雜化形成5個(gè)sp3d雜化軌道,PCl5分子呈三角雙錐形()。
(1)NH3、PCl3和PCl5分子中,所有原子的最外層電子數(shù)都是8個(gè)的是________(填分子式),該分子空間構(gòu)型是______________。
(2)有同學(xué)認(rèn)為,NH5與PCl5類似,N原子的1個(gè)2s軌道、3個(gè)2p軌道和1個(gè)2d軌道可能發(fā)生sp3d雜化。請(qǐng)你對(duì)該同學(xué)的觀點(diǎn)進(jìn)行評(píng)價(jià)__________________________
(3)經(jīng)測(cè)定,NH5中存在離子鍵,N原子最外層電子數(shù)是8,所有氫原子的最外層電子數(shù)都是2,則NH5的電子式是________。
(4)肼(N2H4)分子可視為NH3分子中的一個(gè)氫原子被——NH2(氨基)取代形成的另一種氮的氫化物。
①NH3分子空間構(gòu)型為       ,N2H4分子中氮原子軌道的雜化類型是    。
②肼可用作火箭燃料,燃燒時(shí)發(fā)生的反應(yīng)是:
N2O4(l)+2N2H4(l)===3N2(g)+4H2O(g);△H=-1 038.7 kJ·mol-1
若該反應(yīng)中有4 mol N-H鍵斷裂,則形成的π鍵有   mol。
③肼能與硫酸反應(yīng)生成N2H6SO4N2H6SO4晶體類型與硫酸銨相同,則N2H6SO4的晶體內(nèi)不存在    (填標(biāo)號(hào))。
a.離子鍵         b.共價(jià)鍵
c.配位鍵               d.范德華力

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

水是生命之源,它與我們的生活密切相關(guān)。在化學(xué)實(shí)驗(yàn)和科學(xué)研究中,水也是一種常用的試劑。
(1)水分子中氧原子核外電子排布圖為______________________________;
(2)寫出與H2O分子互為等電子體的微粒______________________(填2種);
(3)水分子在特定條件下容易得到一個(gè)H,形成水合氫離子(H3O+)。下列對(duì)上述過程的描述不合理的是___________;
A.氧原子的雜化類型發(fā)生了改變B.微粒的形狀發(fā)生了改變
C.微粒的化學(xué)性質(zhì)發(fā)生了改變D.微粒中的鍵角發(fā)生了改變
(4)在冰晶體中,以一個(gè)水分子為中心,畫出水分子間最基本的連接方式(水分子用結(jié)構(gòu)式表示);
(5)下列是鉀、碘、金剛石、氯化鈉晶體的晶胞圖(未按順序排序)。與冰的晶體類型相同的是_____,D晶體的空間利用率為      。

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

下列各項(xiàng)中指定的比值是2∶1的是
A.C2H4在氧氣中充分燃燒生成的CO2與H2O的物質(zhì)的量之比
B.K2S溶液中c(K)與c(S2)之比
C.Na2O2晶體中陽離子與陰離子的物質(zhì)的量之比
D.16O原子的中子數(shù)和質(zhì)量數(shù)之比

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

(13分)下表為周期表的一部分,表中所列的字母分別代表一種化學(xué)元素。
a
 
 
 
 
 
 
 
 
b
c
d
 
 
 
 
 
 
 
e
f
 
 
 
 
 
 
 
g
 
h
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
用化學(xué)用語回答下列問題:
(1)寫出元素g的基態(tài)原子核外電子排布式___________________________,
h2+中未成對(duì)電子數(shù)為                。
(2)在b2a2分子中,元素b為    雜化,該分子是       分子(填“極性”或“非極性”),該分子中σ鍵和π鍵的數(shù)目比為          
(3) bd2與bf2比較,沸點(diǎn)較高的是_______(填分子式),原因是                    。
(4)下列關(guān)于元素在元素周期表中的位置以及元素原子的外圍電子排布特點(diǎn)的有關(guān)敘正確是             。
A.h位于元素周期表中第四周期第VIII族,屬于d區(qū)元素
B.e的基態(tài)原子中,3p能級(jí)為半充滿,屬于p區(qū)元素
C.最外層電子排布式為4s2,一定屬于IIA族
D.最外層電子排布式為ns2np1,該元素可能是ⅢA族或ⅢB族
(5)科學(xué)研究表明,元素b與元素c可以形成一種超硬、耐磨、耐高溫的新型無機(jī)非金屬材料,其化學(xué)式為          ,其熔點(diǎn)比金剛石           (填“高”或“低”)。

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