Question

5．如表所示的五種元素中，W、X、Y、Z為短周期元素，這四種元素的原子最外層電子數(shù)之和為22．下列說法正確的是（　�。�

	X	Y
W			Z
T

• A． 原子半徑的大小順序為：r_Z＞r_W＞r_Y＞r_X
• B． 離子Y^2-和X^3-的核外電子數(shù)和電子層數(shù)都不相同
• C． 物質WY₂、WZ₄均有熔點高、硬度大的特性
• D． T元素的單質具有半導體的特性，T與Z元素可形成化合物TZ₄

Answer 1

分析 W、X、Y、Z為短周期元素，由元素在周期表中位置可知，X、Y處于第二周期，W、Z處于第三周期，令W的最外層電子數(shù)為a，則X、Y、Z最外層電子數(shù)分別為a+1、a+2、a+3，故a+a+1+a+2+a+3=22，解得a=4，故W為Si、X為N、Y為O、Z為Cl、T為Ge，以此解答該題．

解答 解：W、X、Y、Z為短周期元素，由元素在周期表中位置可知，X、Y處于第二周期，W、Z處于第三周期，令W的最外層電子數(shù)為a，則X、Y、Z最外層電子數(shù)分別為a+1、a+2、a+3，故a+a+1+a+2+a+3=22，解得a=4，故W為Si、X為N、Y為O、Z為Cl、T為Ge，
A．電子層越多，原子半徑越大，電子層相同時原子序數(shù)越大，原子半徑越小，則原子半徑的大小順序為：r_w＞r_Z＞r_N＞r_O，故A錯誤；
B．離子O^2-和N^3-的核外電子數(shù)為10，電子層數(shù)都為2，所以相同，故B錯誤；
C．SiO₂屬于原子晶體，熔點高，硬度大，SiCl₄屬于分子晶體，熔點低，硬度小，故C錯誤；
D．Ge位于金屬、非金屬的分界線附近，元素的單質具有半導體的特性，與Cl元素可形成化合物GeCl₄，故D正確．
故選D．

點評 本題考查位構性知識，把握短周期及最外層電子數(shù)的關系推斷元素為解答的關鍵，涉及氫鍵、化學鍵、晶體類型及性質、元素周期律等，綜合性較強，題目難度不大．