Question

16．下列說(shuō)法中正確的是（　　）

• A． 干冰與二氧化硅晶體熔化時(shí)，所克服的微粒間相互作用相同
• B． 晶體的熔點(diǎn)由高到低排列順序?yàn)镾iO₂、CsCl、CBr₄、CF₄
• C． 1molNaCl中有N_A個(gè)NaCl分子
• D． 任何晶體中，若含有陽(yáng)離子就一定含有陰離

Answer 1

分析 A、干冰為分子晶體，二氧化硅為原子晶體；
B、一般情況下，原子晶體的熔點(diǎn)最高，其次是離子晶體，最小的是分子晶體．對(duì)應(yīng)組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，其熔點(diǎn)和分子間作用力大小有關(guān)，相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間作用力越強(qiáng)，熔點(diǎn)越高；
C、氯化鈉是離子晶體，構(gòu)成微粒是陰陽(yáng)離子；
D、金屬晶體是由金屬陽(yáng)離子和自由電子構(gòu)成的．

解答 解：A、干冰為分子晶體，熔化時(shí)克服分子間作用力，二氧化硅為原子晶體，熔化時(shí)克服共價(jià)鍵，故A錯(cuò)誤；
B、一般情況下，原子晶體的熔點(diǎn)最高，其次是離子晶體，最小的是分子晶體．對(duì)應(yīng)組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，其熔點(diǎn)和分子間作用力大小有關(guān)，相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間作用力越強(qiáng)，熔點(diǎn)越高，則SiO₂（原子晶體）、CBr₄（分子晶體）、CF₄（分子晶體）、CsCl（離子晶體）晶體的熔點(diǎn)由高到低排列的順序?yàn)镾iO₂、CsCl、CBr₄、CF₄，故B正確；
C、氯化鈉是離子晶體，構(gòu)成微粒是陰陽(yáng)離子，所以不存在分子，故C錯(cuò)誤；
D、金屬晶體是由金屬陽(yáng)離子和自由電子構(gòu)成的，所以含有陽(yáng)離子不一定含有陰離子，故D錯(cuò)誤．
故選B．

點(diǎn)評(píng) 本題考查晶體的構(gòu)成和性質(zhì)，注意把握組成微粒和粒子間的作用力，側(cè)重于基礎(chǔ)知識(shí)的考查，難度不大．