20.碳元素在自然界中分布很廣,在地殼中其豐富程度位列第14位,遠(yuǎn)低于氧、硅、鋁、鐵等元素.但是,碳卻是存在形式最復(fù)雜的元素,如煤、石油、天然氣、動(dòng)植物體、石灰石、白云石、二氧化碳等.請(qǐng)回答下列問題:
(1)基態(tài)碳原子的電子排布式為1s22s22p2
(2)在CO2分子中,碳原子采用sp雜化軌道與氧原子成鍵.
(3)COCl2俗稱光氣,分子中C原子采取sp2雜化成鍵,應(yīng)用價(jià)層電子對(duì)互斥理論,預(yù)測(cè)COCl2分子的空間構(gòu)型為平面三角形.
(4)二茂鐵(C5H52Fe是Fe2+與環(huán)戊二烯基形成的一類配合物,實(shí)驗(yàn)室測(cè)定鐵的含量:可用配位劑鄰二氮菲(),它能與Fe2+形成紅色配合物(如圖1),該配離子中Fe2+與氮原子形成配位鍵共有6個(gè).

(5)普魯士藍(lán)可用作染料,它的結(jié)構(gòu)如圖2所示.普魯士藍(lán)中,n(K+):n(Fe3+):n(Fe2+):n(CN-)=1:1:1:6.
(6)CaC2晶體的晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl晶體相似,但CaC2晶體中啞鈴C22-的存在,使晶胞沿一個(gè)方向拉長(zhǎng)(如圖3).CaC2中C22-與O22+互為等電子體,O22+的電子式可表示.已知CaC2晶體密度為ag•cm-3,NA表示阿伏加德羅常數(shù),則CaC2晶胞體積為$\frac{256}{a{N}_{A}}$cm3

分析 (1)基態(tài)C原子核外有6個(gè)電子,根據(jù)構(gòu)造原理書寫其基態(tài)原子核外電子排布式;
(2)CO2分子結(jié)構(gòu)式為O=C=O,碳原子雜化軌道數(shù)目為2;
(3)C原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)是3且不含孤電子對(duì),據(jù)此判斷其空間構(gòu)型;
(4)N原子含有1對(duì)孤對(duì)電子,與Fe2+形成配位鍵;
(5)利用均攤法計(jì)算結(jié)構(gòu)中Fe3+、Fe2+、CN-數(shù)目,結(jié)合電荷守恒計(jì)算K+數(shù)目;
(6)C22-與O22+互為等電子體,與N2也互為等電子體,等電子體結(jié)構(gòu)相似,O22+中O原子之間形成3對(duì)共用電子對(duì);
利用均攤法計(jì)算出晶胞中Ca2+、C22-數(shù)目,表示出晶胞質(zhì)量,再根據(jù)V=$\frac{m}{ρ}$計(jì)算.

解答 解:(1)基態(tài)C原子核外有6個(gè)電子,根據(jù)構(gòu)造原理知C元素基態(tài)原子核外電子排布式為1s22s22p2,
故答案為:1s22s22p2;
(2)CO2分子結(jié)構(gòu)式為O=C=O,碳原子雜化軌道數(shù)目為2,所以C原子采用sp雜化,
故答案為:sp;
(3)COCl2分子中C原子采取sp2雜化成鍵,C原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)是3且不含孤電子對(duì),所以其空間構(gòu)型為平面三角形,
故答案為:平面三角形;
(4)N原子含有1對(duì)孤對(duì)電子,與Fe2+形成配位鍵,由圖1可知,該配離子中Fe2+與氮原子形成配位鍵共有6個(gè),
故答案為:6;
(5)結(jié)構(gòu)中Fe3+離子的個(gè)數(shù)為:4×$\frac{1}{8}$=$\frac{1}{2}$,F(xiàn)e2+離子的個(gè)數(shù)為:4×$\frac{1}{8}$=$\frac{1}{2}$,CN-離子的個(gè)數(shù)為:12×$\frac{1}{4}$=3,
根據(jù)電荷守恒:N(K+)+N(Fe3+)×3+N(Fe2+)×2=N(CN-),得N(K+)=$\frac{1}{2}$,
普魯士藍(lán)中 n(K+):n(Fe3+):n(Fe2+):n(CN-)=1:1:1:6,
故答案為:1:1:1:6;
(6)C22-與O22+互為等電子體,與N2也互為等電子體,等電子體結(jié)構(gòu)相似,O22+中O原子之間形成3對(duì)共用電子對(duì),O22+的電子式為;CaC2晶胞含有Ca2+數(shù)目為12×$\frac{1}{4}$+1=4,含有C22-的數(shù)目為8×$\frac{1}{8}$+6×$\frac{1}{2}$=4,則每個(gè)晶胞的質(zhì)量為$\frac{4×64}{{N}_{A}}$g,晶胞的體積為
V=$\frac{\frac{4×64}{{N}_{A}}g}{{ag•cm}^{-3}}$=$\frac{256}{a{N}_{A}}$cm3;
故答案為:;$\frac{256}{a{N}_{A}}$cm3

點(diǎn)評(píng) 本題考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)和性質(zhì),涉及晶胞計(jì)算、核外電子排布式的書寫、微?臻g構(gòu)型判斷、等電子體等知識(shí)點(diǎn),掌握均攤法進(jìn)行晶胞有關(guān)計(jì)算,題目難度中等.

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題

10.有X、Y、Z、W四種短周期元素,已知:
①Z+與W的氣態(tài)氫化物分子具有相同的電子數(shù);X2-、Y-與Y的氣態(tài)氫化物分子具有相同的電子數(shù);②X單質(zhì)在空氣中燃燒產(chǎn)生氣體R;③Y的氣態(tài)氫化物與W的氣態(tài)氫化物相遇時(shí)有白煙生成.請(qǐng)回答:
(1)畫出X2-的原子結(jié)構(gòu)示意圖
(2)Z的單質(zhì)在空氣中燃燒產(chǎn)物的電子式為:
(3)實(shí)驗(yàn)室制取W的氣態(tài)氫化物的反應(yīng)方程式為:2NH4Cl+Ca(OH)2$\frac{\underline{\;\;△\;\;}}{\;}$CaCl2+2NH3↑+2H2O.
(4)向Y單質(zhì)的水溶液中通入過量氣體R的離子反應(yīng)方程式為Cl2+SO2+2H2O=4H++SO42-+2Cl-

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題

11.氮的重要化合物如氨(NH3)、肼(N2H4)、三氟化氮(NF3)等,在生產(chǎn)、生活中具有重要作用.
(1)利用NH3的還原性可消除氮氧化物的污染,相關(guān)熱化學(xué)方程式如下:
H2O(l)═H2O(g)△H1=44.0kJ•mol-1
N2(g)+O2(g)═2NO(g)△H2=229.3kJ•mol-1
4NH3(g)+5O2(g)═4NO(g)+6H2O(g)△H3=-906.5kJ•mol-1
4NH3(g)+6NO(g)═5N2(g)+6H2O(l)△H4
則△H4=-2317kJ•mol-1
(2)使用NaBH4為誘導(dǎo)劑,可使Co2+與肼在堿性條件下發(fā)生反應(yīng),制得高純度納米鈷,該過程不產(chǎn)生有毒氣體.
①寫出該反應(yīng)的離子方程式:2Co2++N2H4+4OH-=2Co↓+N2↑+4H2O;
②在納米鈷的催化作用下,肼可分解生成兩種氣體,其中一種能使?jié)駶?rùn)的紅色石蕊試紙變藍(lán).若反應(yīng)在不同溫度下達(dá)到平衡時(shí),混合氣體中各組分的體積分?jǐn)?shù)如下圖1所示,則N2H4發(fā)生分解反應(yīng)的化學(xué)方程式為:3N2H4N2+4NH3;為抑制肼的分解,可采取的合理措施有降低反應(yīng)溫度(任寫一種).

(3)在微電子工業(yè)中NF3常用作半導(dǎo)體、液晶和薄膜太陽能電池等生產(chǎn)過程的蝕刻劑,在對(duì)硅、氮化硅等材料進(jìn)行蝕刻時(shí)具有非常優(yōu)異的蝕刻速率和選擇性,在被蝕刻物表明不留任何殘留物,對(duì)表面物污染.工業(yè)上通過電解含NH4F等的無水熔融物生產(chǎn)NF3,其電解原理如上圖2所示.
①a電極為電解池的陽(填“陰”或“陽”)極,寫出該電極的電極反應(yīng)式:NH4++3F--6e-=NF3+4H+;
②以NF3對(duì)氮化硅(Si3N4)材料的蝕刻為例,用反應(yīng)方程式來解釋為什么在被蝕刻物表面不留任何殘留物4NF3+Si3N4=4N2↑+3SiF4↑.
③氣體NF3不可燃但可助燃,故氣體NF3應(yīng)遠(yuǎn)離火種且與還原劑、易燃或可燃物等分開存放,結(jié)構(gòu)決定性質(zhì),試從結(jié)構(gòu)角度加以分析NF3分子中N為+3價(jià),有較強(qiáng)氧化性.
④能與水發(fā)生反應(yīng),生成兩種酸及一種氣態(tài)氧化物,試寫出相應(yīng)的化學(xué)方程式3NF3+5H2O=2NO↑+9HF+HNO3

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題

8.N、P、As、Ga、Cr等元素化合物種類繁多,具有重要的研究?jī)r(jià)值和應(yīng)用價(jià)值.請(qǐng)回答下列問題:
(1)N元素與Al、Si等元素在一定條件下生成AlN和Si3N4,實(shí)驗(yàn)測(cè)得二者在真空條件下的穩(wěn)定存在的最高溫度2200℃和1900℃,硬度類似金剛石,常用作耐高溫和耐磨材料.請(qǐng)推測(cè)它們屬于原子晶體類型.
(2)PCl3和PCl5是磷元素形成的兩種重要化合物,請(qǐng)根據(jù)價(jià)電子互斥理論推測(cè)PCl3的空間構(gòu)型三角錐形.
(3)As的核外電子排布式中不同類型(s、p、d、f等)的電子比是s電子:p電子:d電子=8:15:10.
(4)Cr元素價(jià)電子排布式為3d54s1
(5)砷化鎵以第三代半導(dǎo)體著稱,性能比硅更優(yōu)良,廣泛用于雷達(dá)、電子計(jì)算機(jī)、人造衛(wèi)星、宇宙飛船等尖端技術(shù)中已知砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,則砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl晶胞不同(填“相同”或“不同”).
(6)根據(jù)As和Ga在元素周期表中的位置判斷,第一電離能As>Ga(填“<”“>”或“=”).
(7)(CH33Ga中鎵原子的雜化類型為sp2雜化.

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15.下列有機(jī)反應(yīng)類型的判斷不正確的是( 。
A.2CH3CH2OH+2Na→2CH3CH2ONa+H2↑(取代反應(yīng))
B.CH2═CH2+H2O$\stackrel{催化劑}{→}$CH3CH2OH(加成反應(yīng))
C.CH3COOH+CH3CH2OH$?_{△}^{濃H_{2}SO_{4}}$CH3COOCH2CH3+H2O(取代反應(yīng))
D.2CH3CH2OH+O2$→_{△}^{催化劑}$2CH3CHO+2H2O(加成反應(yīng))

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5.如圖是部分短周期元素原子半徑與原子序數(shù)的關(guān)系圖.下列說法正確的是( 。
A.最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物的堿性:Z<M
B.Y、R兩種元素氣態(tài)氫化物的沸點(diǎn):Y<R
C.X、N兩種元素組成的化合物不與任何酸反應(yīng)
D.簡(jiǎn)單離子的半徑:Z<X<R

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12.下列離子方程式書寫不正確的是( 。
A.AlCl3溶液與燒堿溶液反應(yīng),當(dāng)n(OH-):n(Al3+)=7:2時(shí),2Al3++7OH-═Al(OH)3↓+AlO2-+2H2O
B.CuCl2溶液與NaHS溶液反應(yīng),當(dāng)n(CuCl2):n(NaHS)=1:2時(shí),Cu2++2HS-═CuS↓+H2S↑
C.Cl2與FeBr2溶液反應(yīng),當(dāng)n(Cl2):n(FeBr2)=1:1時(shí),2Fe2++4Br-+3Cl2═2Fe3++2Br2+6Cl-
D.Fe與稀硝酸反應(yīng),當(dāng)n(Fe):n(HNO3)=1:2時(shí),3Fe+2NO3-+8H+═3Fe2++2NO↑+4H2O

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9.有甲()、乙()兩種有機(jī)物,下列說法中不正確的是( 。
A.可用新制的氫氧化銅懸濁液區(qū)分這兩種有機(jī)物
B.1 mol甲與H2在一定條件下反應(yīng),最多消耗3 mol H2
C.甲、乙互為同分異構(gòu)體
D.等物質(zhì)的量的甲、乙分別與足量NaOH溶液反應(yīng)消耗NaOH的量相同

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10.食鹽加碘劑的主要成份是碘酸鉀(KIO3).工業(yè)上可用碘為原料通過電解制備碘酸鉀.
【實(shí)驗(yàn)一】在已經(jīng)提取氯化鈉、溴、鎂等化學(xué)物質(zhì)后的富碘鹵水中,采用下面的工藝流程生產(chǎn)單質(zhì)碘:

(1)寫出步驟②的離子方程式2Fe2++4I-+3Cl2=2Fe3++2I2+6Cl-
(2)上述生產(chǎn)流程中,可以利用的副產(chǎn)物是Ag.
(3)分離I2和丁的方法是萃。
【實(shí)驗(yàn)二】電解制取KIO3,電解前,先將一定量的精制碘溶于過量氫氧化鉀溶液,溶解時(shí)發(fā)生反應(yīng):3I2+6KOH═5KI+KIO3+3H2O,將該溶液加入陽極區(qū).另將氫氧化鉀溶液加入陰極區(qū),電解槽用水冷卻.
(4)電解時(shí),陽極上發(fā)生反應(yīng)的電極反應(yīng)式為2I--2e-=I2 或I-+6OH--6e-=IO3-+3H2O;電解過程中陰極附近溶液pH變大(填“變大”、“變小”或“不變”).
【實(shí)驗(yàn)三】電解完畢,從電解液中得到碘酸鉀晶體的實(shí)驗(yàn)過程如下:

(5)步驟②的操作名稱冷卻結(jié)晶,步驟④洗滌晶體的目的是洗去吸附在碘酸鉀晶體上的氫氧化鉀等雜質(zhì).

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