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5.原子序數依次增大的X、Y、Z、G、Q、R、T七種元素,核電荷數均小于36.已知X的一種:1:2型氫化物分子中既有σ鍵又有π鍵,且所有原子共平面;Z的L層上有2個未成對電子;Q原子的s能級與p能級電子數相等;R單質是制造各種計算機、微電子產品的核心材料;T處于周期表的ds區(qū),原子中只有一個未成對電子.
(1)Y原子核外共有7種不同運動狀態(tài)的電子,基態(tài)T原子有7種不同能級的電子.
(2)X、Y、Z的第一電離能由小到大的順序為C<O<N(用元素符號表示).
(3)由X、Y、Z形成的離子ZXY-與XZ2互為等電子體,則ZXY-中X原子的雜化方式為sp雜化.
(4)G、Q、R氟化物的熔點如表,造成熔點差異的原因為NaF與MgF2為離子晶體,SiF4為分子晶體,故SiF4的熔點低;Mg2+的半徑比Na+的半徑小、電荷數高,晶格能MgF2>NaF,故MgF2的熔點比NaF高.
氟化物G的氟化物Q的氟化物R的氟化物
熔點/K9931539183
(5)向T的硫酸鹽溶液中逐漸滴加入Y的氫化物的水溶液至過量,反應的離子方程式為Cu2++2NH3•H2O=Cu(OH)2↓+2NH4+、Cu(OH)2+4NH3=[Cu(NH34]2++2OH-
(6)X單質的一種晶胞如圖所示,一個X晶胞中有8個X原子;若該晶體的密度為ρ g/cm3,何伏加德羅常數的值為NA,則晶體中最近的兩個X原子核之間的距離為$\frac{\sqrt{2}×\root{3}{\frac{12}{ρ{N}_{A}}}}{2sin\frac{109°28′}{2}}$(或$\frac{\sqrt{3}}{4}×\root{3}{\frac{96}{ρ{N}_{A}}}$)cm(用含ρ、NA代數式表示).

分析 X的一種1:2型氫化物分子中既有σ鍵又有π鍵,所有原子共平面,說明該氫化物中含有雙鍵或三鍵,氫化物中乙烯中含有σ鍵和π鍵,且是1:2型氫化物,所以x是C元素;Z的L層上有2個未成對電子,則L層上有6個電子,所以Z為O元素;Q原子s能級與P能級電子數相等,則Q的電子排布為1s22s22p63s2,所以Q為Mg元素;R單質是制造各種計算機、微電子產品 的核心材料,則R為Si元素;T處于周期表的ds區(qū),原子中只有一個未成對電子,則T為Cu元素;X、Y、Z、G、Q、R、T原子序數依次增大,Y為N元素;G能形成氟化物,且其原子序數小于Mg,則G為Na元素,根據以上元素的性質,結合選項分析解答.

解答 解:X的一種1:2型氫化物分子中既有σ鍵又有π鍵,所有原子共平面,說明該氫化物中含有雙鍵或三鍵,氫化物中乙烯中含有σ鍵和π鍵,且是1:2型氫化物,所以x是C元素;Z的L層上有2個未成對電子,則L層上有6個電子,所以Z為O元素;Q原子s能級與P能級電子數相等,則Q的電子排布為1s22s22p63s2,所以Q為Mg元素;R單質是制造各種計算機、微電子產品 的核心材料,則R為Si元素;T處于周期表的ds區(qū),原子中只有一個未成對電子,則T為Cu元素;X、Y、Z、G、Q、R、T原子序數依次增大,Y為N元素;G能形成氟化物,且其原子序數小于Mg,則G為Na元素,
(1)Y為N元素,其電子排布圖為:,所以其原子核外共有7種不同運動狀態(tài)的電子;Cu原子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s1,所以Cu原子有7種不同能級的電子,
故答案為:7;7;
(2)C、N、O為同周期元素,同周期元素第一電離能從左到右依次增大,但是第IIA族與第IIIA族反常,第VA族與第VIA族反常,所以)C、N、O的第一電離能由小到大的順序為:C<O<N,故答案為:C<O<N;
(3)已知CO2與CNO-為等電子體,則二者的空間結構和和雜化方式相同,已知為CO2直線形,C為sp雜化,所以CNO-中C為sp雜化,故答案為:sp雜化;
(4)不同晶體熔點的一般規(guī)律是:離子晶體的熔點>分子晶體的熔點,離子晶體中半徑越小,所帶電荷越多,熔點越高,NaF與MgF2為離子晶體,SiF4為分子晶體,故SiF4的熔點低;Mg2+的半徑比Na+的半徑小、電荷數高,晶格能MgF2>NaF,故MgF2的熔點比NaF高;
故答案為:NaF與MgF2為離子晶體,SiF4為分子晶體,故SiF4的熔點低;Mg2+的半徑比Na+的半徑小、電荷數高,晶格能MgF2>NaF,故MgF2的熔點比NaF高;
(5)向Cu的硫酸鹽溶液中逐滴加入氨水至過量,開始生成氫氧化銅沉淀,后來沉淀溶解生成四氨合銅離子,其反應的離子方程式為:Cu2++2NH3•H2O=Cu(OH)2↓+2NH4+、Cu(OH)2+4NH3=[Cu(NH34]2++2OH-,
故答案為:Cu2++2NH3•H2O=Cu(OH)2↓+2NH4+、Cu(OH)2+4NH3=[Cu(NH34]2++2OH-;
(6)C單質的晶胞如圖所示,在頂點上8個原子,面心上2個原子,晶體內部為4個原子,所以一個C晶胞中原子數為:8×$\frac{1}{8}$+6×$\frac{1}{2}$+4=8,設晶體中最近的兩個X原子之間的距離為xcm,晶胞的邊長為acm,則a3=$\frac{\frac{12×8}{{N}_{A}}}{ρ}$,由晶胞圖可知a2+a2=(4x•sin$\frac{109°28′}{2}$)2,所以2$\root{3}{\frac{12}{ρ{N}_{A}}}$=2$\sqrt{2}$x•sin$\frac{109°28′}{2}$;
所以x=$\frac{\sqrt{2}×\root{3}{\frac{12}{ρ{N}_{A}}}}{2sin\frac{109°28′}{2}}$(或$\frac{\sqrt{3}}{4}×\root{3}{\frac{96}{ρ{N}_{A}}}$),
故答案為:8;$\frac{\sqrt{2}×\root{3}{\frac{12}{ρ{N}_{A}}}}{2sin\frac{109°28′}{2}}$(或$\frac{\sqrt{3}}{4}×\root{3}{\frac{96}{ρ{N}_{A}}}$).

點評 本題考查了元素的推斷,涉及了電子的運動狀態(tài)的判斷,電負性的比較,物質熔沸點的比較,離子方程式的書寫,晶胞的有關計算,考查的知識點較多,題目難度較大.

練習冊系列答案
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