Question

有關(guān)晶體的下列說(shuō)法中不正確的是（　�。�

	A．	在NaCl晶體中，距Na+最近的Cl﹣形成正八面體
	B．	在NaCl晶體中，每個(gè)晶胞平均占有4個(gè)Na+
	C．	在CsCl晶體中，每個(gè)晶胞平均占有8個(gè)Cs+
	D．	銅晶體為面心立方堆積，銅原子的配位數(shù)（距離一個(gè)銅原子最近的其它銅原子的個(gè)數(shù)）為12

　

Answer 1

考點(diǎn)：

離子晶體；金屬晶體的基本堆積模型．

專題：

化學(xué)鍵與晶體結(jié)構(gòu)．

分析：

A．氯化鈉晶體中，鈉離子的配位數(shù)是6，6個(gè)氯離子形成正八面體結(jié)構(gòu)；

B．利用均攤法計(jì)算每個(gè)晶胞含有的鈉離子個(gè)數(shù)；

C．利用均攤法計(jì)算每個(gè)晶胞中含有的銫離子個(gè)數(shù)；

D．銅晶體是面心立方堆積，采用沿X、Y、Z三軸切割的方法確定其配位數(shù)．

解答：

解：A．氯化鈉晶體中，距Na⁺最近的Cl^﹣是6個(gè)，即鈉離子的配位數(shù)是6，6個(gè)氯離子形成正八面體結(jié)構(gòu)，故A正確；

B．在NaCl晶體中，每個(gè)晶胞平均占有的Na⁺個(gè)數(shù)=1+12×=4，故B正確；

C．在CsCl晶體中，銫離子在晶胞的體心上，所以每個(gè)晶胞平均占有Cs⁺個(gè)數(shù)是1，故C錯(cuò)誤；

D．銅晶體是面心立方堆積，采用沿X、Y、Z三軸切割的方法知，每個(gè)平面上銅原子的配位數(shù)是4，三個(gè)面共有4×3=12個(gè)銅原子，所以每個(gè)銅原子的配位數(shù)是12，故D正確；

故選C．

點(diǎn)評(píng)：

本題考查了晶體的結(jié)構(gòu)，難度較大，具有豐富的空間想象能力是解本題的關(guān)鍵，易錯(cuò)選項(xiàng)是D，采用沿X、Y、Z三軸切割的方法即可確定其配位數(shù)．