Question

【題目】元素單質及其化合物有廣泛用途，請根據(jù)周期表中第三周期元素相關知識回答下列問題：

（1）按原子序數(shù)遞增的順序(稀有氣體除外)，以下說法正確的是

a．原子半徑和離子半徑均減小

b．金屬性減弱，非金屬性增強

c．氧化物對應的水化物堿性減弱，酸性增強

d．單質的熔點降低

（2）原子最外層電子數(shù)與次外層電子數(shù)相同的元素名稱為 ，氧化性最弱的簡單陽離子是 。

（3）已知：

化合物	MgO	Al2O3	MgCl2	AlCl3
類型	離子化合物	離子化合物	離子化合物	共價化合物
熔點/℃	2800	2050	714	191

工業(yè)制鎂時，電解MgCl2而不電解MgO的原因是 ；

制鋁時，電解Al2O3而不電解AlCl3的原因是 。

（4）晶體硅(熔點1410 ℃)是良好的半導體材料。由粗硅制純硅過程如下：

寫出SiCl4的電子式： ；在上述由SiCl4制純硅的反應中，測得每生成1.12 kg純硅需吸收a kJ熱量，寫出該反應的熱化學方程式：

（5）P2O5是非氧化性干燥劑，下列氣體不能用濃硫酸干燥，可用P2O5干燥的是

a．NH3 b．HI c．SO2 d．CO2

（6）KClO3可用于實驗室制O2，若不加催化劑，400 ℃時分解只生成兩種鹽，其中一種是無氧酸鹽，另一種鹽的陰陽離子個數(shù)比為1∶1。寫出該反應的化學方程式：

（7）工業(yè)上，通過如下轉化可制得KClO3晶體：

完成Ⅰ中反應的總化學方程式：

Ⅱ該反應過程能析出KClO3晶體而無其他晶體析出的原因是 。

Answer 1

【答案】（1）b （1分） （2）氬（1分） Na＋(或鈉離子) （1分）

（3）MgO的熔點高，熔融時耗費更多能源，增加生產(chǎn)成本； AlCl3是共價化合物，熔融態(tài)難導電（2分）

（4） （1分） SiCl4(g)＋2H2(g)Si(s)＋4HCl(g) ΔH＝＋0.025a kJ·mol－1（2分）

（5）b（1分）（6）4KClO3KCl＋3KClO4（2分）（7）（2分）

室溫下，氯酸鉀在水中的溶解度明顯小于其他晶體（2分）

【解析】

試題分析：（1）a、原子序數(shù)遞增，離子半徑也可能增大，a錯誤；b、第三周期隨原子序數(shù)的遞增，金屬性減弱，非金屬性增強，b正確；c、沒有指明為最高價氧化物，c錯誤；d、單質的熔點也可能增大，d錯誤。答案選b。

（2）第三周期原子最外層電子數(shù)與次外層電子數(shù)相同的元素是氬，都是8；氧化性最弱的是簡單陽離子是Na的陽離子，Na+；

（3）MgO的熔點遠遠大于MgCl2的熔點，熔融時耗費更多資源，增加生產(chǎn)成本；AlCl3是共價化合物，熔融態(tài)難導電，所以不能電解熔融AlCl3。

（4）SiCl4中Si分別與Cl形成1對共用電子，所以電子式為：。生成1.12kg純硅需吸收akJ熱量，則生成28g純硅需吸收＝0.025 kJ，因此熱化學方程式為SiCl4(g)＋2H2(g)Si(s)＋4HCl(g) ΔH＝＋0.025a kJ·mol－1。

（5）NH3是堿性氣體，既不能用濃硫酸干燥，也不能用P2O5干燥；HI具有還原性，易被氧化，不能用濃硫酸干燥，可用P2O5干燥；SO2能用濃硫酸干燥，CO2能用濃硫酸干燥，答案選b。

（6）一種是無氧酸鹽，另一種鹽的陰陽離子個數(shù)比為1:1，根據(jù)氧化還原反應原理，這兩種鹽為KCl、KClO4，反應的化學方程式為4KClO3KCl＋3KClO4。

（7）電解時陽極氯離子放電，陰極是氫離子放電，則反應的方程式為NaCl＋3H2ONaClO3＋3H2↑。由于室溫下，氯酸鉀在水中的溶解度明顯小于其他晶體，因此該反應過程能析出KClO3晶體而無其他晶體析出。

【考點地位】本題主要是考查元素周期律、元素的推斷、電子式和熱化學方程式的書寫、干燥劑、氧化還原反應原理以及的電解原理的應用等。

【名師點晴】通過工業(yè)制鎂時，電解MgCl2而不電解MgO的原因的分析考查了學生分析問題的能力，第（6）小題書寫化學方程式考查了學生知識遷移能力和運用所學知識，進行發(fā)散性思維解決實際問題的能力�；卮鸨绢}的要點是：首先熟練掌握元素周期律，如酸堿性和非金屬性、原子半徑和離子半徑的遞變規(guī)律，根據(jù)電子排布和性質推斷元素，然后根據(jù)分析物質的性質和運用有關化學知識解答本題。