14．下列說(shuō)法不正確的是（　�。�
A．因SiO2不溶于水，故H2SiO3不是SiO2對(duì)應(yīng)的酸或者SiO2不是H2SiO3的酸酐
B．CO2通入水玻璃，可以得到硅酸沉淀
C．SiO2是一種空間立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的晶體，熔點(diǎn)高，硬度大
D．氫氟酸能夠腐蝕玻璃，故不能用玻璃瓶來(lái)裝氫氟酸

分析 A．二氧化硅不溶于水，但二氧化硅是硅酸的酸酐；
B．碳酸酸性強(qiáng)于硅酸，通入水玻璃中得到硅酸沉淀；
C．二氧化硅中每個(gè)硅原子周圍連有四個(gè)氧原子，每個(gè)氧原子周圍連有2個(gè)硅原子，形成原子晶體；
D．氫氟酸（HF）對(duì)玻璃有腐蝕作用，故不能用玻璃瓶來(lái)盛放氫氟酸．

解答 解：A．含氧酸的分子中，氫、氧原子以水分子的組成比失去后，形成的氧化物叫做該酸的酸酐，所以硅酸（H2SiO3）的酸酐是二氧化硅（SiO2），故A錯(cuò)誤；
B．根據(jù)強(qiáng)酸制弱酸，二氧化碳通入水玻璃中發(fā)生Na2SiO3+H2O+CO2=Na2CO3+H2SiO3↓，故B正確；
C．二氧化硅晶體中Si與O以共價(jià)鍵結(jié)合，每個(gè)Si原子能形成4個(gè)共價(jià)鍵，即每個(gè)Si原子結(jié)合4個(gè)O原子，并向空間伸展成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)是屬于原子晶體，原子晶體熔點(diǎn)高，硬度大，故C正確；
D．氫氟酸能和玻璃成分二氧化硅反應(yīng)4HF+SiO2═SiF4↑+2H2O，能夠雕刻玻璃，故不能用玻璃瓶來(lái)盛放氫氟酸，故D正確；
故選A．

點(diǎn)評(píng) 本題主要考查硅及其化合物的性質(zhì)與應(yīng)用，注意二氧化硅的晶體類型及性質(zhì)，側(cè)重于基礎(chǔ)知識(shí)的考查，題目難度不大．

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：選擇題

9．關(guān)于單質(zhì)硫的敘述：①通常情況下為黃色粉末 ②不溶于水，易溶于酒精和CS2 ③氧化性比氯弱④只能被還原不能被氧化⑤醫(yī)藥上用來(lái)做硫磺軟膏，治療某些皮質(zhì)病，其中正確的是（　　）
A．①②③⑤B．②③⑤C．③④⑤D．①③⑤

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：選擇題

10．下列氣體組（括號(hào)內(nèi)為混有的少量雜質(zhì)），最適宜用CuSO4溶液進(jìn)行提純的是（　　）
A．HCl（H2S）B．O2（N2）C．CO（H2S）D．H2S（HCl）

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：選擇題

2．物質(zhì)的量濃度相同的下列溶液，pH由大到小排列正確的是（　�。�
A．Ba（OH）2、Na2S03、FeCl3、KClB．Na2Si03、Na2C03、KN03、NH4Cl
C．NH3、H20、H3P04、Na2S04、H2S04D．HCl、CH2COOH、C2H5OH、Na2SiO3

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：解答題

9．乙醇是重要的化工產(chǎn)品和液體燃料，可以利用下列反應(yīng)制取乙醇
2CO2（g）+6H2（g）?CH3CH2OH（g）+3H2O（g）25℃時(shí)，K=2.95×1011①
2CO（g）+4H2（g）?CH3CH2OH（g）+H2O（g）    25℃時(shí)，K=1.71×1022②
（1）寫(xiě)出反應(yīng)①的平衡常數(shù)表達(dá)式K=$\frac{c（{C}_{2}{H}_{5}OH）•{c}^{3}（{H}_{2}O）}{{c}^{2}（C{O}_{2}）•{c}^{6}（{H}_{2}）}$．
（2）條件相同時(shí)，反應(yīng)①與反應(yīng)②相比，轉(zhuǎn)化程度更大的是②．
（3）在一定壓強(qiáng)下，測(cè)得反應(yīng)①的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)如表．
根據(jù)表中數(shù)據(jù)分析：
溫度（K）CO2
轉(zhuǎn)化率（%）
n（H2）/n（CO2）		500600700800
1.545332012
260432815
383623722
①溫度升高，K值減小（填“增大”、“減小”或“不變”）．
②提高氫碳比[n（H2）/n（CO2）]，K值不變（填“增大”、“減小”或“不變”），對(duì)生成乙醇有利（填“有利”或“不利”）．

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：選擇題

19．在強(qiáng)酸性溶液中能大量共存的透明離子組是（　　）
A．K+  Na+   NO3-  CO32-B．Na十  Fe3+   SCN-  SO42-
C．K+  Na十  Cl-   AlO2-D．Al3+  Na+   Cl-  SO42-

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：解答題

6．硅是帶來(lái)人類文明的重要元素之一，從傳統(tǒng)材料到信息材料的發(fā)展過(guò)程中創(chuàng)造了一個(gè)有一個(gè)奇跡．
（1）新型陶瓷Si3N4的熔點(diǎn)高、硬度大、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定．工業(yè)上可以采用化學(xué)氣相沉積法，在H2的保護(hù)下，使SiCl4與N2反應(yīng)生成Si3N4沉積在石墨表面，寫(xiě)出該反應(yīng)的化學(xué)方程式3SiCl4+2N2+6H2$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$Si3N4+12HCl．
（2）一種用工業(yè)硅（含少量鉀、鈉、鐵、銅的氧化物），已知硅的熔點(diǎn)是1420℃，高溫下氧氣及水蒸氣能明顯腐蝕氮化硅．一種合成氮化硅的工藝主要流程如圖：

①凈化N2和H2時(shí)，銅屑的作用是：除去原料氣中的氧氣；硅膠的作用是除去生成的水蒸氣．
②在氮化爐中3SiO2（s）+2N2（g）═Si3N4（s）△H=-727.5kJ/mol，開(kāi)始時(shí)為什么要嚴(yán)格控制氮?dú)獾牧魉僖钥刂茰囟仍摲磻?yīng)為放熱反應(yīng)，防止局部過(guò)熱，導(dǎo)致硅熔化熔合成團(tuán)，阻礙與N2的接觸；體系中要通入適量的氫氣是為了將體系中的氧氣轉(zhuǎn)化為水蒸氣，而易被除去（或?qū)⒄麄�(gè)體系中空氣排盡）．
③X可能是硝酸（選填：“鹽酸”、“硝酸”、“硫酸”、“氫氟酸”）．
（3）工業(yè)上可以通過(guò)如圖所示的流程制取純硅：

①整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧．SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)，寫(xiě)出該反應(yīng)的化學(xué)方程式3SiHCl3+3H2O═H2SiO3+H2↑+3HCl．
②假設(shè)每一輪次制備1mol純硅，且生產(chǎn)過(guò)程中硅元素沒(méi)有損失，反應(yīng)Ⅰ中HCl的利用率為90%，反應(yīng)Ⅱ中H2的利用率為93.75%．則在第二輪次的生產(chǎn)中，補(bǔ)充投入HCl和H2的物質(zhì)的量之比是5：1．

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：填空題

3．已知25℃時(shí)有關(guān)弱酸的電離平衡常數(shù)：
弱酸化學(xué)式HSCNCH3COOHHCNH2CO3
電離平衡常數(shù)1.3×10-11.8×10-54.9×10-10K1=4.3×10-7
K2=5.6×10-11
（1）同溫度下，等pH值的a．NaHCO3 b．NaCN c．Na2CO3溶液的物質(zhì)的量濃度由大到小的順序?yàn)閍＞b＞c（填序號(hào)）．
（2）25℃時(shí)，將20mL 0.1mol•L-1CH3COOH溶液和20mL  0.1mol•L-1HSCN溶液分別與20mL 0.1mol•L-1NaHCO3溶液混合，實(shí)驗(yàn)測(cè)得產(chǎn)生的氣體體積（V）隨時(shí)間（t）的變化如圖所示：反應(yīng)初始階段兩種溶液產(chǎn)生CO2氣體的速率存在明顯差異的原因是：相同溫度下HSCN比CH3COOH的電離平衡常數(shù)大，同濃度時(shí)電離出的氫離子濃度大，與NaHCO3溶液反應(yīng)快．反應(yīng)結(jié)束后所得兩溶液中，c（SCN-）＞c（CH3COO-）（填“＞”、“＜”或“=”）
（3）若保持溫度不變，在醋酸溶液中加入一定量氨氣，下列量會(huì)變小的是b（填序號(hào)）
a．c（CH3COO-）   b．c（H+）   c．KW   d．醋酸電離平衡常數(shù)．

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：選擇題

4．下列關(guān)于鈉的說(shuō)法不正確的是（　�。�
A．鈉質(zhì)軟，可用小刀切割
B．鈉要保存在煤油或者石蠟油中
C．鈉著火可用干沙撲滅
D．鈉與氧氣反應(yīng)，產(chǎn)物是由氧氣的量決定的

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