6.現(xiàn)有六種元素,其中A、B、C、D為短周期主族元素,E、F為第四周期元素,它們的原子序數(shù)依次增大.請(qǐng)根據(jù)下列相關(guān)信息,回答問題:
A元素原子的核外p電子總數(shù)比s電子總數(shù)少1
B元素原子p電子總數(shù)與s電子總數(shù)相等,且不與A元素在同一周期
C原子所有軌道全滿或半滿
D元素的主族序數(shù)與周期數(shù)的差為4
E是前四周期中電負(fù)性最小的元素
F在周期表的第七列
(1)A基態(tài)原子中能量最高的電子,其電子云在空間有3個(gè)方向,原子軌道呈紡錘形.
(2)某同學(xué)根據(jù)上述信息,所畫的B原子的電子排布圖為,違背了泡利不相容原理.
(3)F位于ⅦB族d區(qū),其基態(tài)原子電子有25種運(yùn)動(dòng)狀態(tài),價(jià)電子排布式為3d54s2
(4)CD3中心原子的雜化方式為sp3,用價(jià)層電子對(duì)互斥理論推測(cè)其分子空間構(gòu)型為三角錐形.檢驗(yàn)E元素的方法是焰色反應(yīng).
(5)HA3是一種弱酸,可部分電離出H+和A3-.配合物[Co(A3)(AH35]SO4中的配體是N3-、NH3(填化學(xué)式),鈷離子的配位數(shù)是6.

分析 A、B、C、D為短周期主族元素,E、F為第四周期元素,它們的原子序數(shù)依次增大,A元素原子的核外p電子數(shù)比s電子數(shù)少1,電子排布為1s22s22p3,故A為N元素;B元素原子核外s電子總數(shù)與p電子總數(shù)相等,且不與A元素在同一周期,則其電子排布為1s22s22p63s2,故B為Mg;C處于第三周期,C原子核外所有p軌道全滿或半滿,最外層排布為3s23p3,故C為P元素;D處于第三周期,D元素的主族序數(shù)與周期數(shù)的差為4,處于ⅦA族,故D為Cl元素;E是前四周期中電負(fù)性最小的元素,則E為K元素;F在周期表的第四周期第7列,則F為Mn,據(jù)此解答.

解答 解:A、B、C、D為短周期主族元素,E、F為第四周期元素,它們的原子序數(shù)依次增大,A元素原子的核外p電子數(shù)比s電子數(shù)少1,電子排布為1s22s22p3,故A為N元素;B元素原子核外s電子總數(shù)與p電子總數(shù)相等,且不與A元素在同一周期,則其電子排布為1s22s22p63s2,故B為Mg;C處于第三周期,C原子核外所有p軌道全滿或半滿,最外層排布為3s23p3,故C為P元素;D處于第三周期,D元素的主族序數(shù)與周期數(shù)的差為4,處于ⅦA族,故D為Cl元素;E是前四周期中電負(fù)性最小的元素,則E為K元素;F在周期表的第四周期第7列,則F為Mn.
(1)A為N元素,核外電子排布式為1s2ns2np3,基態(tài)原子中能量最高的電子,處于2p能級(jí),有3個(gè)電子,其電子云在空間有3個(gè)方向,原子軌道呈紡錘形,
故答案為:3;紡錘;
(2)某同學(xué)根據(jù)上述信息,推斷B基態(tài)原子的核外電子排布為,該同學(xué)所畫的電子排布圖中3s能級(jí),2個(gè)電子自旋方向相同,違背了泡利不相容原理,
故答案為:泡利不相容;
(3)F為Mn元素,處于周期表中第四周期ⅦB族,屬于d區(qū)元素,核外有25個(gè)電子,運(yùn)動(dòng)狀態(tài)均不相同,有25種不同運(yùn)動(dòng)狀態(tài),價(jià)電子排布式為:3d54s2
故答案為:ⅦB;d;25;3d54s2;
(4)PCl3中心原子P原子成3個(gè)σ鍵,P原子價(jià)層電子對(duì)是為3+1=4,含有1對(duì)孤對(duì)電子對(duì),雜化軌道數(shù)為4,雜化方式為sp3,其空間構(gòu)型為三角錐;
E為K元素,檢驗(yàn)K元素的方法是:焰色反應(yīng),
故答案為:sp3;三角錐形;焰色反應(yīng).
(5)HN3是一種弱酸,可部分電離出H+和N3-.配體含有孤對(duì)電子,配合物[Co(N3)(NH35]SO4中的配體是:N3-、NH3,鈷離子的配位數(shù)是6,
故答案為:N3-、NH3;6.

點(diǎn)評(píng) 本題是對(duì)物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的考查,涉及核外電子運(yùn)動(dòng)與排布規(guī)律、雜化軌道理論、分子結(jié)構(gòu)等,難度中等,推斷元素是解題的關(guān)鍵,注意對(duì)基礎(chǔ)知識(shí)的掌握.

練習(xí)冊(cè)系列答案
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16.下列有關(guān)物質(zhì)用途的說法正確的是( 。
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17.下列表述中正確的是( 。
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14.已知A、B、C、D、E是短周期中原子序數(shù)依次增大的5種元素,B、C同周期,D、E也同周期,D原子最外層電子數(shù)與最內(nèi)層電子數(shù)相等,A、B、C、D的原子序數(shù)之和是E的兩倍,D與C形成的化合物是一種耐高溫材料,A、B形成的氣態(tài)化合物的水溶液呈堿性.下列說法正確的是( 。
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1.下列各組中的兩種物質(zhì)發(fā)生變化時(shí),所克服的作用力屬于同種類型的是(  )
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11.對(duì)比甲烷和乙烯的燃燒反應(yīng),下列敘述中正確的是( 。
A.二者燃燒時(shí)現(xiàn)象完全相同
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18.除去NaHCO3溶液中混有的少量Na2CO3,應(yīng)采取最理想的方法是( 。
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15.硅是無(wú)機(jī)非金屬材料的主角,硅芯片的使用,促進(jìn)了信息技術(shù)的革命.
(1)陶瓷、水泥和玻璃都屬于傳統(tǒng)硅酸鹽材料.其中,生產(chǎn)普通玻璃的主要原料除了SiO2、Na2CO3外還CaCO3.玻璃制作過程中發(fā)生了Na2CO3+SiO2$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$Na2SiO3+CO2的反應(yīng),碳酸酸性強(qiáng)于硅酸,但為什么該反應(yīng)可在高溫下發(fā)生?高溫下Na2SiO3的穩(wěn)定性比Na2CO3強(qiáng).
(2)工業(yè)上提純硅有多種路線,其中一種工藝流程示意圖及主要反應(yīng)如圖:

①請(qǐng)寫出反應(yīng)Ⅱ、Ⅲ的化學(xué)方程式:ⅡSi+3HCl$\frac{\underline{\;\;△\;\;}}{\;}$SiHCl3+H2、ⅢSiHCl3+H2$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$Si+3HCl;
②在流化床反應(yīng)的產(chǎn)物中,SiHCl3大約占85%,所含有的其它物質(zhì)的沸點(diǎn)數(shù)據(jù)如下表:
物質(zhì)SiSiCl4SiHCl3SiH2Cl2SiH3ClHClSiH4
沸點(diǎn)/℃235557.631.88.2-30.4-84.9-111.9
提純SiHCl3的主要工藝操作依次是沉降、冷凝和分餾(相當(dāng)于多次蒸餾).沉降是為了除去Si;在空氣中冷凝所得液體主要含有SiCl4、SiHCl3;若在實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行分餾提純液體,應(yīng)該采取以下加熱方法中的D;
A.電爐加熱     B.酒精燈加熱    C.砂浴加熱    D.水浴加熱
③SiHCl3極易水解,其完全水解時(shí)的反應(yīng)方程式為SiHCl3+4H2O=H4SiO4+H2↑+3HCl.

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16.已知H2S和HNO3可反應(yīng)生成S、NO和H2O.
(1)寫出該反應(yīng)的化學(xué)方程式并標(biāo)出電子轉(zhuǎn)移方向和數(shù)目
(2)該反應(yīng)中的還原劑是H2S,該反應(yīng)中的還原產(chǎn)物是NO.
(3)若反應(yīng)過程中轉(zhuǎn)移了0.3mol 電子,則生成水的質(zhì)量是3.6g.

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