【題目】[化學(xué)選修3:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]A、B、C、D為原子序數(shù)依次增大的四種元素,A2B2+具有相同的電子構(gòu)型;C、D為同周期元索,C核外電子總數(shù)是最外層電子數(shù)的3倍;D元素最外層有一個(gè)未成對(duì)電子;卮鹣铝袉(wèn)題:

1)四種元素中電負(fù)性最大的是 (填元素符號(hào)),其中C原子的次外層電子排布式為 。

2)單質(zhì)A有兩種同素異形體,其中沸點(diǎn)高的是 (填分子式),原因是 B的氫化物所屬的晶體類型是 ,B單質(zhì)所形成的晶體,一個(gè)晶胞平均含有 個(gè)原子。

3CD反應(yīng)可生成組成比為15的化合物E,E的分子式為 ,已知該分子的空間構(gòu)型為三角雙錐,則其中兩個(gè)Cl原子被F原子所替代得到的產(chǎn)物結(jié)構(gòu)有 種。

4)化合物D2A的立體構(gòu)型為 ,中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為 ,單質(zhì)DNa2SO3溶液反應(yīng),其離子方程式為 。

5AB能夠形成化合物F,F晶體中的B2+離子的排列方式如圖所示,

每個(gè)B2+周圍最近的等距離的B2+離子有 個(gè)。

已知F的晶胞參數(shù)是a0=0.54nm,它的密度為 (只列式不作計(jì)算,阿伏加德羅常數(shù)為6.02×1023mol-1)。

【答案】15 分)

1O;2s22p6

2O3;O3相對(duì)分子質(zhì)量較大,范德華力大;離子晶體;2

3PCl5;3

4V形;4;Cl2SO32H2O2ClSO422H+

5①12

【解析】試題分析:C核外電子總數(shù)是最外層電子數(shù)的3倍,應(yīng)為P元素,C、D為同周期元素,則應(yīng)為第三周期元素,D元素最外層有一個(gè)未成對(duì)電子,應(yīng)為Cl元素,A2-B2+具有相同的電子構(gòu)型,結(jié)合原子序數(shù)關(guān)系可知AO元素,BMg元素。

1)四種元素分別為O、MgP、Cl,電負(fù)性最大的為O元素,CP元素,其次外層電子排布式為2s22p6;

2AO元素,有O2O3兩種同素異形體,二者對(duì)應(yīng)的晶體都為分子晶體,因O3相對(duì)原子質(zhì)量較大,則范德華力較大,沸點(diǎn)較高。A的氫化物為水,為分子晶體,B的氫化物為MgH2,為離子晶體;Mg單質(zhì)所形成的晶體,一個(gè)晶胞平均含有2個(gè)原子。

3CD反應(yīng)可生成組成比為15的化合物為PCl5Cl5為三角雙錐構(gòu)型,則其中兩個(gè)Cl原子被F 原子所替代得到的產(chǎn)物結(jié)構(gòu)有3種;

4)化合物D2ACl2O,O為中心原子,形成2個(gè)δ鍵,孤電子對(duì)數(shù)為=2,則中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4,立體構(gòu)型為V形;Cl2Na2SO3溶液反應(yīng)的離子方程式為Cl2SO32H2O2ClSO422H+。

5①M(fèi)gOMg2+采用面心立方的堆積方式,故每個(gè)Mg2+周圍最近的等距離的Mg2+離子有12個(gè);

由于采用面心立方,晶胞中含有4個(gè)MgO,根據(jù)密度=質(zhì)量÷體積可得:

。

練習(xí)冊(cè)系列答案
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回答下列問(wèn)題:

(1)曲線Oa段不產(chǎn)生氫氣的原因,用化學(xué)方程式解釋為_______________________________________________;

(2)曲線bc段產(chǎn)生氫氣的速率增加較快的主要原因是___________________________________________;

(3)向溶液中加入下列物質(zhì),能加快上述化學(xué)反應(yīng)速率的是_________。

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