分析 由圖可知,Si位于頂點(diǎn)、面心和體內(nèi),O原子均位于體內(nèi),由體內(nèi)Si與4個(gè)O原子形成正四面體可知Si的周圍有4個(gè)O原子;Si原子數(shù)為8×$\frac{1}{8}$+6×$\frac{1}{2}$+4=8,Si與O形成4個(gè)正四面體體,O原子為4×4=16個(gè),即晶胞含4個(gè)SiO2,結(jié)合ρ=$\frac{m}{V}$計(jì)算.
解答 解:由圖可知,Si位于頂點(diǎn)、面心和體內(nèi),O原子均位于體內(nèi),由體內(nèi)Si與4個(gè)O原子形成正四面體可知Si的周圍有4個(gè)O原子,則硅原子的配位數(shù)為4;
Si原子數(shù)為8×$\frac{1}{8}$+6×$\frac{1}{2}$+4=8,Si與O形成4個(gè)正四面體體,O原子為4×4=16個(gè),即晶胞含8個(gè)SiO2,晶胞參數(shù)為a pm,體積為(a×10-10cm)3,則該晶體的密度為$\frac{m}{V}$=$\frac{\frac{8×60}{{N}_{A}}g}{(a×1{0}^{-10}cm)^{3}}$=$\frac{480}{{N}_{A}(a×1{0}^{-10})^{3}}$g/cm3,
故答案為:4;$\frac{480}{{N}_{A}(a×1{0}^{-10})^{3}}$.
點(diǎn)評(píng) 本題考查晶胞計(jì)算,為高頻考點(diǎn),把握原子的位置、均攤法計(jì)算、質(zhì)量與密度關(guān)系為解答的關(guān)鍵,側(cè)重分析與計(jì)算能力的考查,注意均攤法應(yīng)用,題目難度不大.
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | Cl-、Na+、NO3-、Ca2+ | B. | NH4+、HCO3-、Cl-、K+ | ||
C. | K+、Fe2+、Cl-、NO3- | D. | Cu2+、NH4+、I-、Cl- |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | H+透過質(zhì)子交換膜由右向左移動(dòng) | |
B. | 銅電極應(yīng)與X相連接 | |
C. | M電極的反應(yīng)式:H2NCONH2+H2O-6e-═CO2↑+N2↑+6H+ | |
D. | 當(dāng)N電極消耗0.5 mol氣體時(shí),則鐵電極增重32 g |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 該方法將電能轉(zhuǎn)化成化學(xué)能 | |
B. | 在此裝置中鋼管道作正極 | |
C. | 該方法稱為“外加電流的陰極保護(hù)法” | |
D. | 鎂塊上發(fā)生的電極反應(yīng)為O2+2H2O+4e-═4OH- |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | c(Na+)>c(HRO3-)>c(H+)>c(RO32-)>c(OH-) | B. | c(Na+)+c(H+)=c(HRO3-)+2c(RO3-)+c(OH-) | ||
C. | c(Na+)=c(HRO3-)+(H2RO3)+2c(RO32-) | D. | 以上都不正確 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 硒化氫(H2Se)是有毒的氣體,比H2S穩(wěn)定 | |
B. | 砹為有色固體,HAt不穩(wěn)定 | |
C. | 硫酸鍶(SrSO4)是難溶于水的白色固體 | |
D. | 鈹(Be)的氧化物的水化物可能具有兩性 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 次氯酸的結(jié)構(gòu)式:H-Cl-O | |
B. | CO2的結(jié)構(gòu)式:C=O=O | |
C. | 用電子式表示氯化氫分子的形成過程: | |
D. | 硫離子的結(jié)構(gòu)示意圖: |
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