元素 | A | B | C | D |
性質(zhì) 結(jié)構(gòu) 信息 | 原子核外有兩個(gè)電子層,最外層有3個(gè)未成對(duì)的電子 | 原子的M層有1對(duì)成對(duì)的p電子 | 原子核外電子排布為[Ar]3d104sx,有+1、+2兩種常見化合價(jià) | 有兩種常見氧化物,其中有一種是冶金工業(yè)常用的還原劑 |
分析 A原子核外有兩個(gè)電子層,最外層有3個(gè)未成對(duì)的電子,原子核外電子排布式為1s22s22p3,則A為氮元素;B原子的M層有1對(duì)成對(duì)的p電子,外圍電子排布為3s23p4,則B為硫元素;C原子核外電子排布為[Ar]3d104sx,有+1、+2兩種常見化合價(jià),則C為Cu;D元素有種常見氧化物,其中有一種是冶金工業(yè)常用的還原劑,則D為C元素,據(jù)此解答.
解答 解:A原子核外有兩個(gè)電子層,最外層有3個(gè)未成對(duì)的電子,原子核外電子排布式為1s22s22p3,則A為氮元素;B原子的M層有1對(duì)成對(duì)的p電子,外圍電子排布為3s23p4,則B為硫元素;C原子核外電子排布為[Ar]3d104sx,有+1、+2兩種常見化合價(jià),則C為Cu;D元素有種常見氧化物,其中有一種是冶金工業(yè)常用的還原劑,則D為C元素,
(1)同周期隨原子序數(shù)增大第一電離能呈增大趨勢(shì),N元素2p軌道容納3個(gè)電子,處于半滿穩(wěn)定狀態(tài),能量較低,第一電離能高于同周期相鄰元素,故第一電離能由大到下的順序?yàn)镹>O>C,
故答案為:N>O>C;
(2)S元素的低價(jià)氧化物為SO2,分子中S原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)=2+$\frac{6-2×2}{2}$=3,S原子采取sp2雜化,
故答案為:sp2雜化;
(3)二氧化碳形成分子晶體,二氧化硅形成原子晶體,故二氧化碳晶體熔點(diǎn)比較二氧化硅低,
故答案為:低;晶體類型不同,二氧化碳形成分子晶體,二氧化硅形成原子晶體;
(4)往硫酸銅溶液中逐滴加入過量氨水,先生成氫氧化銅沉淀,后氫氧化銅溶解氨水得到四氨合銅絡(luò)離子,觀察到的現(xiàn)象為:先生成藍(lán)色沉淀,后沉淀溶解生成深藍(lán)色溶液,上述過程的離子方程式為Cu2++2NH3•H2O=Cu(OH)2↓+2NH4+、Cu(OH)2+4NH3=[Cu(NH3)4]2++2OH-,
故答案為:先生成藍(lán)色沉淀,后沉淀溶解生成深藍(lán)色溶液;Cu2++2NH3•H2O=Cu(OH)2↓+2NH4+、Cu(OH)2+4NH3=[Cu(NH3)4]2++2OH-;
(5)C為Cu,由Cu晶體的堆積方式可知,為面心立方最密堆積,晶胞中Cu原子數(shù)目=8×$\frac{1}{8}$+6×$\frac{1}{2}$=4,Cu原子半徑為r,晶胞棱長=4r×$\frac{\sqrt{2}}{2}$=2 $\sqrt{2}$r,故晶胞體積=(2 $\sqrt{2}$r)3=16 $\sqrt{2}$r3,晶胞的空間利用率=$\frac{4×\frac{4}{3}π{r}^{3}}{16\sqrt{2}{r}^{3}}$×100%=74%,
故晶胞的密度ρ=$\frac{m}{V}$=$\frac{\frac{4×64}{NA}}{16\sqrt{2}{r}^{3}}$=$\frac{16}{\sqrt{2}{r}^{3}{N}_{A}}$g•cm-3,
故答案為:面心立方最密堆積; $\frac{16}{\sqrt{2}{r}^{3}{N}_{A}}$;74%.
點(diǎn)評(píng) 本題是對(duì)物質(zhì)結(jié)構(gòu)的考查,涉及核外電子排布、電離能、分子結(jié)構(gòu)、晶體類型與性質(zhì)、配合物、晶胞結(jié)構(gòu)與計(jì)算等,側(cè)重考查主干知識(shí),(5)中關(guān)鍵是計(jì)算晶胞的體積,難度中等.
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | CaCl2 MgCl2 Na2O | B. | H2O Na2O ?CO2 | ||
C. | CaCl2 ?NaOH H2SO4 | D. | NH4Cl H2O CO2 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | NH3易液化,液氨常用作制冷劑 | |
B. | 與金屬反應(yīng)時(shí),稀HNO3可能被還原為更低價(jià)態(tài),則稀HNO3氧化性強(qiáng)于濃HNO3 | |
C. | 氨鹽受熱易分解,因此貯存氨態(tài)氮肥時(shí)要密封保存,并放在陰涼通風(fēng)處 | |
D. | 稀HNO3和活潑金屬反應(yīng)時(shí)不能得到氫氣 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 裝置①:檢驗(yàn)電流的方向 | |
B. | 裝置②:探究氧化性:KMnO4>Cl2>I2 | |
C. | 裝置③:測(cè)定中和熱 | |
D. | 裝置④:A、B、C中分別加入HCl、Na2CO3、Na2SiO3判斷Cl、C、Si的非金屬性 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | SiH4的空間構(gòu)型是正四面體 | |
B. | 在NH4+和[Cu(NH3)4]2+中都存在配位鍵 | |
C. | 原子晶體中原子以共價(jià)鍵結(jié)合,具有鍵能大、硬度大的特性 | |
D. | SO2、SO3都是極性分子 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 反應(yīng)速率:v(B)>v(A) | |
B. | A容器中X的轉(zhuǎn)化率為80% | |
C. | 平衡時(shí)的壓強(qiáng):PB=PA | |
D. | 平衡時(shí)向A容器中充入與反應(yīng)無關(guān)的氣體M,能減慢A容器內(nèi)化學(xué)反應(yīng)的速率 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
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