CO2溶于水,所得溶液能導(dǎo)電,但CO2不是電解質(zhì).
 
.(判斷對錯)
考點:電解質(zhì)與非電解質(zhì)
專題:
分析:電解質(zhì):在水溶液中或熔融狀態(tài)下能夠?qū)щ姷幕衔铮?br />非電解質(zhì):在熔融狀態(tài)和水溶液中都不能導(dǎo)電的化合物.
解答: 解:二氧化碳在水溶液中與水反應(yīng)生成碳酸,碳酸電離出自由移動的離子導(dǎo)電,二氧化碳自身不能電離,二氧化碳是非電解質(zhì),
故答案為:對.
點評:本題考查電解質(zhì)、非電解質(zhì)概念的辨析,難度不大.要注意電解質(zhì)必須是自身能夠電離的化合物.
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

近年來,“三聚氰胺”、“吊白塊”、“蘇丹紅”、“瘦肉精”等化工原料逐漸被人們所熟悉,食品安全問題也日益受到社會的廣泛關(guān)注,下列對食品的處理不符合食品安全要求的是( 。
A、在食品中加入適量胡蘿卜素以改善食品的外觀
B、用甲醛溶液保鮮水產(chǎn)品
C、在醬油中加鐵、糧食制品中加賴氨酸
D、用蔗糖做食品的甜味劑

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

PH=3和PH=5的鹽酸等體積混合后溶液的PH是( 。
A、3.3B、3C、5D、4.7

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

下列物質(zhì)中,屬于強電解質(zhì)的是
 
,屬于弱電解質(zhì)
 
,屬于非電解質(zhì)的是
 
.(填序號)
A.氯化鈉  B.硫酸溶液 C.醋酸   D.氯化銀   E.氨氣  F.銅   G.氫氧化銅.

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

下列有關(guān)敘述中正確的是( 。
A、強電解質(zhì)的水溶液導(dǎo)電能力一定比弱電解質(zhì)的水溶液導(dǎo)電能力強
B、膽礬不能導(dǎo)電,所以它屬于非電解質(zhì)
C、同一弱電解質(zhì)的溶液,當(dāng)溫度、濃度不同時,其導(dǎo)電能力也不同
D、強電解質(zhì)都是離子化合物,弱電解質(zhì)都是共價化合物

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

已知下列變化過程中,0.2mol R2O72-與0.2mol K2SO3恰好反應(yīng),則R被還原的價態(tài)為
 

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

A、B、C都是元素周期表中的短周期非金屬元素,它們的核電荷數(shù)依次增大.A原子的核外成對電子數(shù)是未成對電子數(shù)的2倍,B原子的最外層p軌道的電子為半滿結(jié)構(gòu),C是地殼中含量最多的元素.D、E是第四周期元素,D原子核外最外層電子數(shù)有1個電子,其余各層電子均充滿;E原子核外未成對電子數(shù)在同周期中最多.請用對應(yīng)的元素符號或化學(xué)式填空:
(1)A、B、C的第一電離能由小到大的順序為
 
. A和C的氫化物沸點大小關(guān)系為
 
,原因為
 

(2)D與E的原子化熱分別為340kJ?mol-1和400kJ?mol-1,則它們的熔點:D
 
 E(填“>”、“<”、“=”).
(3)分子A2B2中鍵與鍵之間的夾角為180°,并有對稱性,為非極性分子,每個原子最外層電子數(shù)均滿足八電子,其結(jié)構(gòu)式為
 
,1mol該分子中含有π鍵的數(shù)目為
 

(4)基態(tài)E原子的外圍電子排布式為
 
.EO2Cl2熔點:-96.5℃,沸點:117℃,則固態(tài)EO2Cl2屬于
 
晶體.
(5)D的氫化物的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示,其化學(xué)式是
 

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

在反應(yīng) KClO3+6HCl=KCl+3Cl2↑+3H2O中,當(dāng)生成1molCl2時轉(zhuǎn)移電子的物質(zhì)的量( 。
A、5mol
B、3 mol
C、5/3 mol
D、1 mol

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

硅是信息產(chǎn)業(yè)、太陽能電池光電轉(zhuǎn)化的基礎(chǔ)材料.鋅還原四氯化硅是一種有著良好應(yīng)用前景的制備硅的方法,該制備過程示意圖如下:

(1)焦炭在過程Ⅰ中做
 
劑.
(2)過程Ⅱ中Cl2用電解飽和食鹽水制備,制備Cl2的化學(xué)方程式為
 

(3)整過生產(chǎn)過程必須嚴(yán)格控制無水.
①SiCl4遇水劇烈水解生成SiO2和一種酸,反應(yīng)方程式為
 

②干燥Cl2時從有利于充分干燥和操作安全的角度考慮,需將約90℃的潮濕氯氣先冷卻至12℃,然后再通入濃H2SO4中.
(4)Zn還原SiCl4的反應(yīng)如下:
反應(yīng)①:400℃~756℃,SiCl4(g)+2Zn(l)═Si(S)+2ZnCl2(l)△H1<0
反應(yīng)②:756℃~907℃,SiCl4(g)+2Zn(l)═Si(S)+2ZnCl2(g)△H2<0
反應(yīng)③:907℃~1410℃,SiCl4(g)+2Zn(g)═Si(S)+2ZnCl2(g)△H3<0
i.反應(yīng)②的平衡常數(shù)表達式為
 

ii.對于上述三個反應(yīng),下列說明合理的是
 

a.升高溫度會提高SiCl4的轉(zhuǎn)化率     
b.還原過程需在無氧的氣氛中進行
c.增大壓強能提高反應(yīng)速率          
d.Na、Mg可以代替Zn還原SiCl4
(5)用硅制作太陽能電池時,為減弱光在硅表面的反射,可用化學(xué)腐蝕法在其表面形成粗糙的多孔硅層.腐蝕劑常用稀HNO3和HF的混合液.硅表面首先形成SiO2,最后轉(zhuǎn)化成H2SiF6.用化學(xué)方程式表示SiO2轉(zhuǎn)化為H2SiF6的過程
 

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