下列電負(fù)性順序中，正確的是…（    ）

A.O＜S＜Si＜P                                    B.F＜C＜N＜O

C.Na＜Mg＜Al＜Ca                             D.K＜Na＜Mg＜Li

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

（2013?四川）短周期主族元素W、X、Y、Z的原子序數(shù)依次增大，W、X原子的最外層電子數(shù)之比為4：3，Z原子比X原子的核外電子數(shù)多4．下列說法正確的是（　�。�

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

（1）第ⅢA、ⅤA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似．Ga原子的電子排布式為
1s22s22p63s23p63d104s24p1
1s22s22p63s23p63d104s24p1
．在GaN晶體中，與同一個(gè)Ga原子相連的N原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為
正四面體
正四面體
．在四大晶體類型中，GaN屬于
原子
原子
晶體．
（2）銅、鐵元素能形成多種配合物．微粒間形成配位鍵的條件是：一方是能夠提供孤電子對(duì)的原子或離子，另一方是具有
能夠接受孤電子對(duì)的空軌道
能夠接受孤電子對(duì)的空軌道
的原子或離子
（3）CuCl2溶液與乙二胺（H2N-CH2-CH2-NH2）可形成配離子：請(qǐng)回答下列問題：

①H、N、O三種元素的電負(fù)性由大到小的順序是
O＞N＞H
O＞N＞H
．
②SO2分子的空間構(gòu)型為
V形
V形
．與SnCl4互為等電子體的一種離子的化學(xué)式為
SO42-、SiO44-等
SO42-、SiO44-等

③乙二胺分子中氮原子軌道的雜化類型為
sp3雜化
sp3雜化
．乙二胺和三甲胺[N（CH3）3]均屬于胺，但乙二胺比三甲胺的沸點(diǎn)高的多，原因是
乙二胺分子間可以形成氫鍵，三甲胺分子間不能形成氫鍵
乙二胺分子間可以形成氫鍵，三甲胺分子間不能形成氫鍵
．
④（3）中所形成的配離子中含有的化學(xué)鍵類型有
abd
abd
．
a．配位鍵     b．極性鍵     c．離子鍵    d．非極性鍵
⑤CuCl的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，其中Cl原子的配位數(shù)為
4
4
．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

（2009?中山模擬）1915年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)授予Henry Bragg和Lawrence Bragg，以表彰他們用X射線對(duì)晶體結(jié)構(gòu)的分析所作的貢獻(xiàn)．
（1）科學(xué)家通過X射線探明，NaCl、KCl、MgO、CaO晶體結(jié)構(gòu)相似，其中三種晶體的晶格能數(shù)據(jù)如下表：
晶體 NaCl KCl CaO
晶格能/（kJ?mol-1） 786 715 3 401
四種晶體NaCl、KCl、MgO、CaO熔點(diǎn)由高到低的順序是
MgO＞CaO＞NaCl＞KCl
MgO＞CaO＞NaCl＞KCl
．
（2）科學(xué)家通過X射線推測(cè)膽礬中既含有配位鍵，又含有氫鍵，其結(jié)構(gòu)示意圖可簡單表示如圖1，其中配位鍵和氫鍵均采用虛線表示．
①寫出基態(tài)Cu原子的核外電子排布式
1s22s22p63s23p63d104s1或[Ar]3d104s1
1s22s22p63s23p63d104s1或[Ar]3d104s1
；
金屬銅采用圖2中
C
C
（填字母代號(hào)）堆積方式．

②水分子間存在氫鍵，請(qǐng)你列舉兩點(diǎn)事實(shí)說明氫鍵對(duì)水的性質(zhì)的影響：
水的熔、沸點(diǎn)較高，結(jié)冰時(shí)密度減小
水的熔、沸點(diǎn)較高，結(jié)冰時(shí)密度減小

③SO42-的空間構(gòu)型是
正四面體
正四面體
．
（3）下列哪個(gè)系列的排列順序正好是電負(fù)性減小的順序？
B
B

A．K、Na、Li     　B．O、Cl、H    　C．As、P、H　    D．三者都是．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

（2011?南京模擬）2010年上海世博會(huì)場館，大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管（LED）．目前市售LED品片，材質(zhì)基本以GaAs（砷化鎵）、AlGaInP（磷化鋁鎵銦）、InGaN（氮化銦鎵）為主．砷化鎵的品胞結(jié)構(gòu)如圖．試回答：
（1）鎵的基態(tài)原子的電子排布式是
ls22s22p63s23p63d104s24p1（或[Ar]3d104s24p1）
ls22s22p63s23p63d104s24p1（或[Ar]3d104s24p1）
．
（2）砷化鎵品胞中所包含的砷原子（白色球）個(gè)數(shù)為
4
4
，與同一個(gè)鎵原子相連的砷原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為
正四面體
正四面體
．
（3）下列說法正確的是
BCDE
BCDE
（填字母）．
A．砷化鎵品胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同
B．第一電離能：As＞Ga
C．電負(fù)性：As＞Ga
D．砷化鎵晶體中含有配位鍵
E．GaP與GaAs互為等電子體
（4）N、P、As處于同一主族，其氫化物沸點(diǎn)由高到低的順序是
NH3＞AsH3＞PH3
NH3＞AsH3＞PH3
．
（5）砷化鎵可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃時(shí)制得．（CH3）3Ga中鎵原子的雜化方式為
sp2
sp2
．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

（2013?黃山一模）X、Y、Z、W是短周期的四種元素，有關(guān)它們的信息如下表所示．
元素      部分結(jié)構(gòu)知識(shí)              部分性質(zhì)
X X原子核外電子占有9個(gè)原子軌道 X的一種氧化物是形成酸雨的主要物質(zhì)
Y Y原子的次外層電子數(shù)等于最外層電子數(shù)的一半 Y能形成多種氣態(tài)氫化物
Z Z原子的最外層電子數(shù)多于4 Z元素的最高正化合價(jià)與最低負(fù)化合價(jià)代數(shù)和等于6
W W原子的最外層電子數(shù)等于2n-3（n為原子核外電子層數(shù)） 化學(xué)反應(yīng)中W原子易失去最外層電子形成Wn+
填寫下列空白：
（1）X有多種同素異形體，寫出X2電子式是
，
（2）X，Y，Z三種元素電負(fù)性由大到小順序?yàn)?!--BA-->
Cl＞S＞C
Cl＞S＞C
．
（3）W元素原子基態(tài)時(shí)原子的電子排布式
1s22s22p63s23p1
1s22s22p63s23p1
．
（4）Z位于元素周期表第
三
三
周期第
ⅦA
ⅦA
族
（5）含W的一種硫酸鹽是常用的凈水劑，常溫時(shí)該溶液的pH
＜
＜
7（填“=”、“＞”或“＜”），理由是：
Al3++3H2O?Al（OH）3+3H+
Al3++3H2O?Al（OH）3+3H+
（用離子方程式表示）．
（6）25℃、101kPa時(shí)，32g Y的最低價(jià)氣態(tài)氫化物完全燃燒生成穩(wěn)定的氧化物時(shí)放出1780.6kJ的熱量，寫出該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式
CH4（g）+2O2（g）=CO2（g）+2H2O（l）△H=-890.3KJ/mol
CH4（g）+2O2（g）=CO2（g）+2H2O（l）△H=-890.3KJ/mol
．

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