已知A、B、C、D、E、F都是周期表中前四周期的元素,它們的核電荷數(shù)A<B<C<D<E<F。其中B、D、F原子最外電子層的p能級(jí)(軌道)上的電子處于半滿狀態(tài)。通常情況下,A的一種氧化物分子為非極性分子,其晶胞結(jié)構(gòu)如下圖所示。E的電負(fù)性在該周期中最大。鎵(Ga)與元素B形成的一種化合物是繼以C單質(zhì)為代表的第一代半導(dǎo)體材料和GaF為代表的第二代半導(dǎo)體材料之后,在近10年迅速發(fā)展起來的第三代新型半導(dǎo)體材料。
試回答下列問題:(答題時(shí),A、B、C、D、E、F用所對(duì)應(yīng)的元素符號(hào)表示)
(1)基態(tài)Ga原子的核外電子排布式為________________。
(2)A、B、C的第一電離能由大到小的順序?yàn)開_______。
(3)B元素的單質(zhì)分子中有______個(gè)π鍵。
(4)上述A的氧化物分子中心原子采取______雜化,其晶胞中微粒間的作用力為______
(5)FH3沸點(diǎn)與比BH3_____(填“高”或“低”),原因是________________。
(6)當(dāng)0.01摩爾CrE3·6H2O在水溶液中用過量的AgNO3溶液處理時(shí),常產(chǎn)生0.02摩爾的AgE沉淀,已知配離子配位數(shù)為6,此樣品中配離子最可能是_______________。