將NaOH溶液逐滴加入用鹽酸酸化了的AlCl3溶液中,若用y軸表示Al(OH)3沉淀量,x軸表示NaOH溶液的體積,下列圖像正確的是(   )。


【答案】D

【解析】

試題分析:加入的氫氧化鈉先中和酸,所以開始沒有沉淀產(chǎn)生,繼續(xù)滴加先沉淀后溶解,所以D對。

考點:可溶性鋁鹽與氫氧化鈉的反應(yīng)。


練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:


氯吡格雷(clopidogrel)是一種用于抑制血小板聚集的藥物。以A(C7H5OCl)為原料合成氯吡格雷的路線如下:

完成下列填空:

⑴C中含氧官能團的名稱為 ,C→D的反應(yīng)類型是 。

⑵Y的結(jié)構(gòu)簡式為 ,在一定條件下Y與BrCl(一氯化溴,與鹵素單質(zhì)性質(zhì)相似)按物質(zhì)的量1:1發(fā)生加成反應(yīng),生成的產(chǎn)物可能有 種。

⑶C可在一定條件下反應(yīng)生成一種產(chǎn)物,該產(chǎn)物分子中含有3個六元環(huán)。該反應(yīng)的化學(xué)

程式為

⑷由E轉(zhuǎn)化為氯吡格雷時,生成的另一種產(chǎn)物的結(jié)構(gòu)簡式為 。

⑸寫出A(芳香族化合物)的所有同分異構(gòu)體的結(jié)構(gòu)簡式(包括A本身) 。

寫出由乙烯、甲醇為有機原料制備化合物 的合成路線流程圖(無機試劑任選)。合成路線流程圖示例如下:

CH3CH2OH CH2=CH2

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在一定溫度下,向飽和燒堿溶液中加入一定量的過氧化鈉,充分反應(yīng)后恢復(fù)到原溫度,下列說法錯誤的是

A.溶液中Na數(shù)目減少,有固體析出

 B.溶液中Na數(shù)目減少,有氣體逸出,

C.溶液中H2O數(shù)目減少,溶質(zhì)的質(zhì)量分數(shù)增大

D.溶液中H2O數(shù)目減少,溶質(zhì)的質(zhì)量分數(shù)未變

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下列物質(zhì)放置在空氣中因發(fā)生氧化還原反應(yīng)而變質(zhì)的是(  )

A.氫氧化鈉        B.氧化鈣     C.過氧化鈉      D.氯化鈉

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1989年世界衛(wèi)生組織把鋁確定為食品污染源之一,加以控制使用,鋁在下列應(yīng)用時應(yīng)加以控制的是(  )

①制鋁合金;②制電線;③制炊具;④明礬凈水;⑤明礬[KAl(SO4)2·12H2O]和蘇打制食品膨松劑;⑥用氫氧化鋁凝膠制胃舒平藥品;⑦銀色漆顏料;⑧易拉罐;⑨包裝糖果和小食品

A.①②③④⑤⑥⑦⑧⑨                 B.③⑤⑥⑦

C.⑥⑧⑨                             D.③④⑤⑥⑧⑨

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向20 mL 某濃度的AlCl3溶液中滴入2 mol·L-1的NaOH溶液時,所得的沉淀質(zhì)量與加入NaOH溶液的體積之間的關(guān)系

如圖所示:

(1) 圖中A點表示的意義是______________。

(2) 最大沉淀量是______________g。

(3) B點表示的意義是______________。

(4) 所用AlCl3 溶液的物質(zhì)的量濃度是______________。

(5)當所得沉淀量為0.39克時,用去NaOH溶液的

體積是_____ mL 或_______ mL。

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關(guān)于下列各圖的敘述正確的是  

 


A.甲表示H2與O2發(fā)生反應(yīng)過程中的能量變化,則H2的標準燃燒熱為△H=-483.6kJ·mol-1

B.乙表示恒溫恒容條件下發(fā)生的可逆反應(yīng)2NO2N2O4(g)中,各物質(zhì)的濃度與其消耗速率之間的關(guān)系,其中交點A對應(yīng)的狀態(tài)為化學(xué)平衡狀態(tài)

C.丙表示A、B兩物質(zhì)的溶解度隨溫度變化情況,將tl℃時A、B的飽和溶液分別升溫至t2℃時,溶質(zhì)的質(zhì)量分數(shù)B>A

D.丁表示常溫下,稀釋HA、HB兩種酸的稀溶液時,溶液pH隨加水量的變化,則NaA溶液的pH小于同濃度的NaB溶液的pH

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已知反應(yīng)2SO2(g) + O2(g)2SO3(g)  ΔH=-198kJ·mol-1,向某體積恒定的密閉容器中充入1mol SO2和0.5molO2,在一定條件下發(fā)生反應(yīng),下圖是某物理量(Y)隨時間(t)變化的示意圖,下列說法正確的是

A.溫度T2>T1

B.反應(yīng)達到平衡后放出99 kJ的熱量

C.Y可能是SO2的轉(zhuǎn)化率或SO3的濃度

D.反應(yīng)達到平衡后容器內(nèi)氣體的密度減小

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硅是重要的半導(dǎo)體材料,構(gòu)成了現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ);卮鹣铝袉栴}:

(1)基態(tài)Si原子中,電子占據(jù)的最高能層符號為       ,該能層具有的原子軌道數(shù)為       、電子數(shù)為          。

(2)硅主要以硅酸鹽、               等化合物的形式存在于地殼中。

(3)單質(zhì)硅存在與金剛石結(jié)構(gòu)類似的晶體,其中原子與原子之間以               相結(jié)合,其晶胞中共有8個原子,其中在面心位置貢獻           個原子。

(4)單質(zhì)硅可通過甲硅烷(SiH4)分解反應(yīng)來制備。工業(yè)上采用Mg2Si和NH4Cl在液氨介質(zhì)中反應(yīng)制得SiH4,該反應(yīng)的化學(xué)方程式為                                    。

(5)碳和硅的有關(guān)化學(xué)鍵鍵能如下所示,簡要分析和解釋下列有關(guān)事實:

化學(xué)鍵

C—C

C—H

C一O

Si—Si

Si—H

Si一O

鍵能/(kJ·mol-1)

356

413

336

226

318

452

 ①硅與碳同族,也有系列氫化物,但硅烷在種類和數(shù)量上都遠不如烷烴多,原因是        

                                                                          。

 ②SiH4的穩(wěn)定性小于CH4,更易生成氧化物,原因是                                  

                                                                          

(6)在硅酸鹽中,SiO44四面體(如下圖(a))通過共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網(wǎng)狀四大類結(jié)構(gòu)型式。圖(b)為一種無限長單鏈結(jié)構(gòu)的多硅酸根,其中Si原子的雜化形式為                  。Si與O的原子數(shù)之比為             。

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