5．研究電化學(xué)的裝置如圖所示，虛線框中可接a （電流計(jì)）或b （直流電源）．下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（　�。�
A．接a，該裝置將化學(xué)能轉(zhuǎn)化為電能B．接a，石墨是正極
C．接b，鐵片連正極時(shí)被保護(hù)D．接b，石墨連正極時(shí)石墨上產(chǎn)生氣泡

分析 A．虛線框中接靈敏電流計(jì)，該裝置能自發(fā)的進(jìn)行氧化還原反應(yīng)，為原電池；
B．虛線框中接靈敏電流計(jì)，該裝置為原電池，活潑金屬Fe為負(fù)極；
C．虛線框中接直流電源，該裝置是電解池，如果Fe作陽(yáng)極，陽(yáng)極上Fe失電子生成亞鐵離子；
D．虛線框中接直流電源，該裝置是電解池，如果石墨作陽(yáng)極，陽(yáng)極上氫氧根離子失電子氧氣．

解答 解：A．虛線框中接靈敏電流計(jì)，該裝置能自發(fā)的進(jìn)行氧化還原反應(yīng)，為原電池，將化學(xué)能轉(zhuǎn)化為電能，故A正確；
B．虛線框中接靈敏電流計(jì)，該裝置能自發(fā)的進(jìn)行氧化還原反應(yīng)，為原電池，鐵片為負(fù)極，石墨為正極，故B正確；
C．虛線框中直流電源，該裝置為電解池，如果Fe作陽(yáng)極，陽(yáng)極上Fe失電子生成亞鐵離子，故C錯(cuò)誤；
D．虛線框中接直流電源，該裝置是電解池，如果石墨作陽(yáng)極，陽(yáng)極上氫氧根離子失電子氧氣，所以產(chǎn)生氣泡，故D正確；
故選C．

點(diǎn)評(píng) 本題考查原電池和電解池原理，注意電解池中活潑金屬作電極時(shí)，陽(yáng)極上金屬失電子而不是溶液中陰離子失電子，易錯(cuò)選項(xiàng)是D．

練習(xí)冊(cè)系列答案
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12．下列各組離子中，因?yàn)榘l(fā)生氧化還原反應(yīng)而不能共存的是（　�。�
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C．AlO2-、NO3-、H+、SO42-D．CH3COO-、Na+、SO42-、H+、

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A．
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加熱煎制		C．箅渣取液D．
灌裝保存

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10．硅元素的化合物有多種．
回答下列問(wèn)題：
（1）SiH4的沸點(diǎn)比CH4高，原因是二者是結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，SiH4的分子量比CH4的分子量大，范德華力大，所以沸點(diǎn)比CH4高．
（2）硅與碳同主族，也有系列氫化物，但硅院在種類和數(shù)量上都遠(yuǎn)不如烷烴多．根據(jù)下表中所列鍵能數(shù)據(jù)，簡(jiǎn)要分析可能的原因Si-Si的鍵能比C-C小，Si-H的鍵能也比C-H小，更容易斷裂，所以硅烷的種類和數(shù)量都比烷烴少．
化學(xué)鍵C-CC-HSi-SiSi-H
鍵能/（kJ•mol-1）356413226318
氮化硅（Si3N4）是一種重要的陶瓷材料，可用石英與焦炭在800℃的氮?dú)鈿夥障潞铣桑?br />3SiO2（s）+6C（s）+2N2（g） $\stackrel{高溫}{?}$Si3N4（s）+6CO（g）
（3）標(biāo)出上述反應(yīng)中電子轉(zhuǎn)移的數(shù)目和方向．
（4）該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達(dá)式K=$\frac{{C}^{6}（CO）}{C（{N}_{2}）}$．已知平衡常數(shù)：K（800℃）＞K（850℃），則反 應(yīng)是放熱反應(yīng)（填“放熱”或“吸熱”）．
（5）任寫兩種能提高二氧化硅轉(zhuǎn)化率的措施降溫、減小壓強(qiáng)．
（6）一定溫度下，在2L密閉容器內(nèi)，充入一定量的反應(yīng)物，5分鐘時(shí)達(dá)到平衡，測(cè)得容器內(nèi)氣體增加了0.4mol，用CO表示該反應(yīng)時(shí)間內(nèi)的反應(yīng)速率為0.06mol/（L•min）．

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17．2A（g）?B（g）+Q（Q＞0）；下列能量變化示意圖正確的是（　�。�
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