已知X,Y,Z,Q為短周期非金屬元素,R是長(zhǎng)周期元素,X原子的電子占據(jù)2個(gè)電子層且原子中成對(duì)電子數(shù)是未成對(duì)電子數(shù)的2倍;Y的基態(tài)原子有7種不同運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子;Z元素在地殼中含量最多;Q是電負(fù)性最大的元素;R+離子只有三個(gè)電子層且完全充滿電子。
回答下列問(wèn)題:(答題時(shí),X、Y、Z、Q、R用所對(duì)應(yīng)的元素符號(hào)表示)
(1)X元素為        ,X、Y、Z中第一電離能最大的是        。
(2)已知Y2Q2分子存在如圖所示的兩種結(jié)構(gòu)(球棍模型,短線不一定代表單鍵):

該分子中Y原子的雜化方式是        。
(3)X與Y元素可以形成一種超硬新材料,其晶體部分結(jié)構(gòu)如圖所示,有關(guān)該晶體的說(shuō)法正確的是    (填正確答案編號(hào))。
A.該晶體屬于分子晶體
B.此晶體的硬度比金剛石還大
C.晶體的化學(xué)式是X3Y4
D.晶體熔化時(shí)破壞共價(jià)鍵
(4)有一種AB型分子與Y單質(zhì)分子互為等電子體,它是一種常用的還原劑,其化學(xué)式為             。
(5)R的基態(tài)原子的電子排布式為         ,R與Z形成的某離子晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖,則該晶體的化學(xué)式為         ,該晶體的密度為a g·cm-3,則晶胞的體積是         cm3。
(1)C(1分)  N(1分)
(2)sp2(2分)
(3)bcd(3分)
(4)CO(2分)
(5)1s22s22p63s23p63d104s1或[Ar]3d104s1(2分)  Cu2O(2分) (2分)

試題分析:(1)X、Y、Z、Q為短周期非金屬元素,R是長(zhǎng)周期元素,X原子的電子占據(jù)2個(gè)電子層且原子中成對(duì)電子數(shù)是未成對(duì)電子數(shù)的2倍,且為非金屬,則X為C元素;Y的基態(tài)原子有7種不同運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子,則Y為N元素;Z元素在地殼中含量最多,則Z為O元素;Q是電負(fù)性最大的元素,則Q為F元素;R離子只有三個(gè)電子層且完全充滿電子,則R為Cu元素.由分析可知:X為C元素;Y為N元素;Z為O元素;Q為F元素;R為Cu元素.
(2)雜化軌道數(shù)=σ鍵數(shù)+孤對(duì)電子對(duì)數(shù),該分子中N原子的雜化軌道數(shù)=2+1=3,所以N原子雜化方式是sp2雜化,故答案為:sp2雜化;
(3)A、X與Y元素可以形成一種超硬新材料,由晶體部分結(jié)構(gòu)可知,該晶體為原子晶體,故A錯(cuò)誤;
B、C-N鍵鍵長(zhǎng)比C-C鍵長(zhǎng)短,C-N鍵鍵能大,所以晶體的硬度比金剛石還大,故B正確;
C、結(jié)構(gòu)中每個(gè)X原子周圍有4個(gè)Y原子,每個(gè)Y原子周圍有3個(gè)X原子,所以該晶體化學(xué)式為X3Y4,即為C3N4,故C正確;
D、該晶體為原子晶體,晶體熔化時(shí)共價(jià)鍵被破壞,沒(méi)有克服范德華力和氫鍵,故D正確.
故答案為:BCD。
(4)根據(jù)定義,原子數(shù)相同,電子總數(shù)相同的分子,互稱為等電子體,所以與N2分子互為等電子體為CO。
(5)R為Cu元素,基態(tài)原子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s1或[Ar]3d104s1;R與Z形成的某離子晶體的晶胞中銅原子的個(gè)數(shù)為體心4×1=4,氧原子個(gè)數(shù)為頂點(diǎn)8×+體心1×1=2,所以該晶體的化學(xué)式為Cu2O;該晶體的密度為a g·cm-3,ρ=;則晶胞的體積是a=;V=
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:填空題

2012年在全球市場(chǎng)需求增速減緩形勢(shì)下,我國(guó)LED產(chǎn)業(yè)進(jìn)入了行業(yè)格局重組和競(jìng)爭(zhēng)模式轉(zhuǎn)變的新階段。目前市售LED晶片,材質(zhì)基本以GaAs(砷化鎵)、AlGaInP(磷化鋁鎵銦)、InGaN(氮化銦鎵)為主。已知鎵是鋁同族下一周期的元素。砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖。
試回答:
(1)鎵的基態(tài)原子的電子排布式是               。
(2)砷化鎵晶胞中所包含的砷原子(白色球)個(gè)數(shù)為       ,與同一個(gè)鎵原子相連的砷原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為       。
(3)N、P、As處于同一主族,其氫化物沸點(diǎn)由高到低的順序是       (用氫化物分子式表示)。
(4)砷化鎵可由(CH3)3Ga和AsH3在700℃時(shí)制得。(CH3)3Ga中鎵原子的雜化方式為       。
(5)比較二者的第一電離能:As       Ga(填“<”“>”或“=”)。
(6)下列說(shuō)法正確的是       (填字母)。
A.砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同
B.GaP與GaAs互為等電子體
C.電負(fù)性:As>Ga
D.砷化鎵晶體中含有配位鍵

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:填空題

有A、B、C、D、E五種原子序數(shù)依次增大的元素(原子序數(shù)均小于30)。A的基態(tài)原子2p能級(jí)有3個(gè)單電子;C的基態(tài)原子2p能級(jí)有1個(gè)單電子;E原子最外層有1個(gè)單電子,其次外層有3個(gè)能級(jí)且均排滿電子;D與E同周期,價(jià)電子數(shù)為2。則:
(1)D的元素符號(hào)為_(kāi)_____。A的單質(zhì)分子中π鍵的個(gè)數(shù)為_(kāi)_____。
(2)B元素的氫化物的沸點(diǎn)是同族元素氫化物中最高的,原因是__________________________________。
(3)A、B、C 3種元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)開(kāi)_______(用元素符號(hào)表示)。
(4)寫出基態(tài)E原子的價(jià)電子排布式:__________________。

(5)A的最簡(jiǎn)單氫化物分子的空間構(gòu)型為_(kāi)_______,其中A原子的雜化類型是________。
(6)C和D形成的化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,已知晶體的密度為ρ g·cm3,阿伏加德羅常數(shù)為NA,求晶胞邊長(zhǎng)a=________cm。(用ρ、NA的計(jì)算式表示)

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:填空題

Ⅰ.CuCl和CuCl2都是重要的化工原料,常用作催化劑、顏料、防腐劑和消毒劑等。
已知:①CuCl可以由CuCl2用適當(dāng)?shù)倪原劑如SO2、SnCl2等還原制得:
2Cu2+2Cl+SO2+2H2O2CuCl↓+4H+SO42-
2CuCl2+SnCl2=2CuCl↓+SnCl4
②CuCl2溶液與乙二胺(H2N—CH2—CH2—NH2)可形成配離子:

請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)基態(tài)Cu原子的核外電子排布式為_(kāi)___________;H、N、O三種元素的電負(fù)性由大到小的順序是_________________________________________________________。
(2)SO2分子的空間構(gòu)型為_(kāi)_______;與SnCl4互為等電子體的一種離子的化學(xué)式為_(kāi)_______________________________________________________________________。
(3)乙二胺分子中氮原子軌道的雜化類型為_(kāi)_______。乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均屬于胺,但乙二胺比三甲胺的沸點(diǎn)高得多,原因是_________________________________。
(4)②中所形成的配離子中含有的化學(xué)鍵類型有________(填字母)。
a.配位鍵  b.極性鍵  c.離子鍵  d.非極性鍵
Ⅱ.固體二氧化碳外形似冰,受熱汽化無(wú)液體產(chǎn)生,俗稱“干冰”,根據(jù)干冰晶胞結(jié)構(gòu)回答:
(5)干冰中一個(gè)分子周圍有________個(gè)緊鄰分子。
(6)堆積方式與干冰晶胞類型相同的金屬有________(從“Cu、Mg、K、Po”中選出正確的),其空間利用率為_(kāi)_______。

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:填空題

已知X、Y和Z三種元素的原子序數(shù)之和等于42。X元素原子的4p軌道上有3個(gè)未成對(duì)電子,Y元素原子的最外層2p軌道上有2個(gè)未成對(duì)電子。X跟Y可形成化合物X2Y3,Z元素可以形成負(fù)一價(jià)離子。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)X元素原子基態(tài)時(shí)的電子排布式為       ,該元素的符號(hào)是       
(2)Y元素原子的電子排布圖為       ,元素X與Y的電負(fù)性比較:X       Y(填“>”或“<”)。
(3)X與Z可形成化合物XZ3,該化合物的空間構(gòu)型為       
(4)由元素X與鎵元素組成的化合物A為第三代半導(dǎo)體。已知化合物A的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。(黑球位于立方體內(nèi),白球位于立方體頂點(diǎn)和面心)

請(qǐng)寫出化合物A的化學(xué)式       ;化合物A可由(CH3)3Ga和AsH3在700 ℃下反應(yīng)制得,反應(yīng)的化學(xué)方程式為                   。
(5)已知(CH3)3Ga為非極性分子,則其中鎵原子的雜化方式為           

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:填空題

許多金屬及它們的化合物在科學(xué)研究和工業(yè)生產(chǎn)中具有許多用途。
回答下列有關(guān)問(wèn)題:
(1)基態(tài)Ni的核外電子排布式為_(kāi)_________________________________________,
第二周期基態(tài)原子未成對(duì)電子數(shù)與Ni相同且電負(fù)性最小的元素是________。
(2)配合物Ni(CO)n的中心原子價(jià)電子數(shù)與配體提供電子總數(shù)之和為18,則n=________,CO與N2結(jié)構(gòu)相似,CO分子內(nèi)σ鍵與π鍵個(gè)數(shù)之比為_(kāi)_______。
(3)NiO、FeO的晶體結(jié)構(gòu)類型均與氯化鈉的相同。
①Ni2和Fe2的離子半徑分別為69 pm和78 pm,則熔點(diǎn)NiO________FeO(填“<”或“>”);
②NiO晶體中Ni的配位數(shù)為_(kāi)_______。
(4)金屬Cu單獨(dú)與氨水或單獨(dú)與過(guò)氧化氫都不能反應(yīng),但可與氨水和過(guò)氧化氫的混合溶液反應(yīng),其原因是________________________________________________________________________________________________________________________________________________,
反應(yīng)的離子方程式為_(kāi)_______________________________________________________________________。
(5)一種銅金合金晶體具有面心立方最密堆積的結(jié)構(gòu)。在晶胞中,Au原子位于頂點(diǎn),Cu原子位于面心,則該合金中Au原子與Cu原子個(gè)數(shù)之比為_(kāi)_______,若該晶胞的邊長(zhǎng)為a pm,則合金的密度為_(kāi)_______g·cm-3(只要求列算式,不必計(jì)算出數(shù)值,阿伏加德羅常數(shù)為NA)。

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:填空題

Q、R、X、Y、Z為周期表中原子序數(shù)依次遞增的前四周期元素。已知:
①Q(mào)為元素周期表中原子半徑最小的元素;
②R的基態(tài)原子中電子占據(jù)三種能量不同的能級(jí),且每種能級(jí)中的電子總數(shù)相同;
③Y的基態(tài)原子的核外成對(duì)電子數(shù)是未成對(duì)電子數(shù)的3倍;
④Q、R、Y三種元素組成的一種化合物M是新裝修居室中常含有的一種有害氣體,Q、R兩種元素組成的原子個(gè)數(shù)比為1:1的化合物N的質(zhì)荷比最大值為78;
⑤Z有“生物金屬”之稱,Z4+離子和氬原子的核外電子排布相同。
請(qǐng)回答下列問(wèn)題(答題時(shí),Q、R、X、Y、Z用所對(duì)應(yīng)的元素符號(hào)表示)
(1)化合物M的空間構(gòu)型為        ,其中心原子采取   雜化;化合物N在固態(tài)時(shí)的晶體類型為           。
(2)R、X、Y三種元素的第一電離能由小到大的順序?yàn)?u>                。
(3)由上述一種或多種元素組成的與RY2互為等電子體的分子為         (寫分子式)。
(4)Z原子基態(tài)時(shí)的外圍電子排布式為     ;Z的一種含氧酸鋇鹽的晶胞 結(jié)構(gòu)如圖所示,晶體內(nèi)與每個(gè)Z原子等距離且最近的氧原子數(shù)為   。

(5)由R、X、Y三種元素組成的RXY-離子在酸性條件下可與NaClO溶液反應(yīng),生成X2、RY2等物質(zhì)。該反應(yīng)的離子方程式為    。

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:填空題

碳、氫、氟、氮、硅等非金屬元素與人類的生產(chǎn)生活息息相關(guān);卮鹣铝袉(wèn)題。
(1)寫出硅原子的電子排布式________。C、Si、N的電負(fù)性由大到小的順序是________。
(2)氟化氫水溶液中存在的氫鍵有________種。

(3)科學(xué)家把C60和K摻雜在一起制造了一種富勒烯與鉀的化合物,該物質(zhì)在低溫時(shí)是一種超導(dǎo)體,其晶胞如圖所示,該物質(zhì)中K原子和C60分子的個(gè)數(shù)比為_(kāi)_______。
(4)繼C60后,科學(xué)家又合成了Si60、N60。請(qǐng)解釋如下現(xiàn)象:熔點(diǎn)Si60>N60>C60,而破壞分子所需要的能量N60>C60>Si60,其原因是________________________。

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:填空題

A、B、C、D、E五種短周期元素,F(xiàn)為第四周期過(guò)渡元素,核電荷數(shù)依次增加。
元素
有關(guān)性質(zhì)及結(jié)構(gòu)信息
A
A的一種原子內(nèi)無(wú)中子
B
B原子的電子填充了4個(gè)原子軌道
C
C22—離子與電負(fù)性最大的元素的單質(zhì)互為等電子體
D
D是短周期金屬性最強(qiáng)的元素
E
C與E同族
F
外圍電子排布式為nd2n(n+1)s(n-1)
 
(1)E2-基態(tài)核外電子排布式           ,D單質(zhì)的晶胞為體心立方,其配位數(shù)是           ,C的氫化物在同族元素中沸點(diǎn)反常,其原因是              。
(2)由A、B兩種元素組成的非極性分子有多種,其中乙是一個(gè)分子含4個(gè)原子的的分子,乙的結(jié)構(gòu)式是           。已知1g乙完全燃燒熱為46.16 kJ,乙燃燒熱的熱化學(xué)反應(yīng)方程式是                   
(3)甲是由A、B、C三種元素組成的相對(duì)分子質(zhì)量最小的物質(zhì)。甲的中心原子的雜化方式是             。由甲中的兩種元素組成,且與甲的電子數(shù)相等的物質(zhì)的分子式是        ,該物質(zhì)與C的單質(zhì)在K2CO3溶液中形成燃料電池的負(fù)極反應(yīng)式為        。
(4)分別由A、C、D、E四種元素中的3種組成的兩種物質(zhì)丙和丁在溶液中反應(yīng)生成氣體和沉淀,該化學(xué)方程式是                                   。
(5)C與D形成一種物質(zhì)戊,將過(guò)量戊加入過(guò)量F與稀硫酸反應(yīng)后的溶液,得到紅褐色沉淀和氣體,發(fā)生反應(yīng)的離子方程式是                               。

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