對于反應(yīng)A(g)+3B(g) 2C(g)，下列各數(shù)據(jù)表示不同條件下的反應(yīng)速率，其中反應(yīng)進(jìn)行得最快的是（    ）

A. v(A)=0.01 mol/(L•s)            B. v(B)=0.04 mol/(L•s)

C．v(B)=0.60mol/(L•min)           D. v(C)=1.0mol/(L•min)

在密閉容器中充入N₂和H₂，合成NH₃，到2秒末測得，v (H₂) =0.45 mol / (L·s)，則2秒末NH₃的濃度為（    ）

A. 0.9 mol / L      B. 0.45 mol / L      C. 0.6 mol / L      D. 0.55 mol / L

已知2Zn（s）＋O₂（g）= 2ZnO（s）；ΔH=－700 kJ/mol，則1 g Zn在氧氣中燃燒放出的熱量約為（  ）

A．5．4 kJ             B．350 kJ             C．3．5 kJ           D．8．5 kJ   

常溫下，下列物質(zhì)的水溶液，其pH值大于7的是 （   ）

A．KNO₃          B．NaHSO₄            C．NH₄Br         D．NaF

下列說法正確的是  （    ）

A．吸熱反應(yīng)不加熱就不會發(fā)生；

B．需要加熱才能發(fā)生的反應(yīng)一定是吸熱反應(yīng)；

C．反應(yīng)是放熱還是吸熱必須看反應(yīng)物和生成物所具有的總能量的相對大小；

D．放熱的反應(yīng)在常溫下一定很容易發(fā)生。

已知：A、B、C、D、E、F六種元素，原子序數(shù)依次增大。A原子核外有兩種形狀的電子云，兩種形狀的電子云軌道上電子數(shù)相等；B是短周期中原子半徑最大的元素；C元素3p能級半充滿；E是所在周期電負(fù)性最大的元素；F是第四周期未成對電子最多的元素。

試回答下列有關(guān)的問題：

(1)寫出F元素的電子排布式________。

(2)已知A元素的一種氫化物分子中含四個原子，則在該化合物的分子中A原子的雜化軌道類型為________。

(3)已知C、E兩種元素合成的化合物通常有CE₃、CE₅兩種。這兩種化合物中一種為非極性分子，一種為極性分子，屬于極性分子的化合物的分子空間構(gòu)型是________。

(4)B、C、D、E的第一電離能由大到小的順序是________(寫元素符號)。四種元素最高價氧化物的水化物形成的溶液，物質(zhì)的量濃度相同時，pH由大到小的順序是______________(寫化學(xué)式)。

(5)由B、E兩元素形成的化合物組成的晶體中，陰、陽離子都具有球型對稱結(jié)構(gòu)，它們都可以看作剛性圓球，并彼此“相切”。如圖所示為B、E形成化合物的晶胞結(jié)構(gòu)圖以及晶胞的剖面圖：

晶胞中距離一個B^＋最近的B^＋有________個。

若晶體密度為ρg·cm^－3，阿伏加德羅常的值用N_A表示，則E^－的離子半徑為________cm(用含N_A與ρ的式子表達(dá))。

A、B、C、D、E、F為前四周期元素且原子序數(shù)依次增大，其中A含有3個能級，且每個能級所含的電子數(shù)相同；C的最外層有6個運(yùn)動狀態(tài)不同的電子；D是短周期元素中電負(fù)性最小的元素；E的最高價氧化物對應(yīng)的水化物酸性最強(qiáng)；F除最外層原子軌道處于半充滿狀態(tài)，其余能層均充滿電子。G元素與D元素同主族，且相差3個周期。

(1)元素A、B、C的電負(fù)性由小到大的順序是________(用元素符號表示)。

(2)E的最高價含氧酸中E的雜化方式為________。

(3)F原子的外圍電子排布式為________，F(xiàn)的晶體中原子的堆積方式是下圖中的________(填“甲”“乙”或“丙”)。

(4)D與E、G與E形成的晶體類型相同，但晶體的配位數(shù)不同，其原因是____________________________________________________________ __________。

(5)已知DE晶體的晶胞如圖所示。若將DE晶胞中的所有E離子去掉，并將D離子全部換為A原子，再在其中的4個“小立方體”中心各放置一個A原子，且這4個“小立方體”不相鄰。位于“小立方體”中的A原子與最近的4個原子以單鍵相連，由此表示A的一種晶體的晶胞(已知A—A鍵的鍵長為a cm，N_A表示阿伏加德羅常數(shù))，則該晶胞中含有________個A原子，該晶體的密度是________g/cm³。

已知A、B、C、D、E五種元素的原子序數(shù)依次增大，其中A原子所處的周期數(shù)、族序數(shù)都與其原子序數(shù)相等；B原子核外電子有6種不同的運(yùn)動狀態(tài)，s軌道電子數(shù)是p軌道電子數(shù)的兩倍；D原子L電子層上有2對成對電子；E的＋1價陽離子的核外有3層電子且各層均處于全滿狀態(tài)。

(1)E元素基態(tài)原子的核外電子排布式為__________________________ ______________________________________________。

(2)B、C、D三種元素的第一電離能由小到大的順序為________(填元素符號)，其原因是__________________________________________ ______________________________。

(3)B₂A₄是石油煉制的重要產(chǎn)物之一 。B₂A₄分子中B原子軌道的雜化類型為________；1 mol B₂A₂分子中含________mol σ鍵。

(4)已知D、E能形成晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示的兩種化合物，則化學(xué)式：甲為____________________，乙為______________________；高溫時，甲易轉(zhuǎn)化為乙的原因為______________________________。

ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài)，含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請回答下列問題。

(1)S單質(zhì)的常見形式為S₈，其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如圖所示，S原子采用的軌道雜化方式是________。

(2)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序為________。

(3)Se原子序數(shù)為____________，其核外M層電子的排布式為________。

(4)H₂Se的酸性比H₂S________(填“強(qiáng)”或“弱”)。氣態(tài)SeO₃分子的立體構(gòu)型為__________，SO的立體構(gòu)型為________。

(5)H₂SeO₃的K₁和K₂分別為2.7×10^－3和2.5×10^－8，H₂SeO₄第一步幾乎完全電離，K₂為1.2×10^－2，請根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋：

①H₂SeO₃和H₂SeO₄第一步電離程度大于第二步電離的原因：________________________________________；

②H₂SeO₄比H₂SeO₃酸性強(qiáng)的原因：__________________________ ______________。

(6)ZnS在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛。立方ZnS晶體結(jié)構(gòu)如圖所示，其晶胞邊長為540.0 pm，密度為______g·cm^－3(列式并計算)，a位置S^2－與b位置Zn^2＋之間的距離為______pm(列式表示)。

X、Y、Z、R為前四周期元素且原子序數(shù)依次增大。X的單質(zhì)與氫氣可化合生成氣體G，其水溶液pH>7；Y的單質(zhì)是一種黃色晶體；R基態(tài)原子3d軌道的電子數(shù)是4s軌道電子數(shù)的3倍。Y、Z分別與鈉元素可形成化合物Q和J，J的水溶液與AgNO₃溶液反應(yīng)可生成不溶于稀硝酸的白色沉淀L；Z與氫元素形成的化合物與G反應(yīng)生成M。

請回答下列問題：

(1)M固體的晶體類型是________。

(2)Y基態(tài)原子的核外電子排布式是________；G分子中X原子的雜化軌道類型是________。

(3)L的懸濁液中加入Q的溶液，白色沉淀轉(zhuǎn)化為黑色沉淀，其原因是________________________。

(4)R的一種含氧酸根RO具有強(qiáng)氧化性，在其鈉鹽溶液中加入稀硫酸，溶液變?yōu)辄S色，并有無色氣體產(chǎn)生，該反應(yīng)的離子方程式是________________________。