Question

下列關(guān)于DNA是遺傳物質(zhì)的實(shí)驗(yàn)中產(chǎn)生誤差分析正確的是（　�。�

• A、艾弗里的實(shí)驗(yàn)不是以說明DNA是遺傳物質(zhì)是缺乏對照實(shí)驗(yàn)
• B、用³⁵S標(biāo)記的噬菌體侵染細(xì)菌，攪拌離心后，沉淀物質(zhì)有放射性的原因是噬菌體DNA中含有³⁵S
• C、用³²P標(biāo)記的噬菌體侵染細(xì)菌，保溫后攪拌離心，上清液有放射性的原因是親代噬菌體有少量未侵入細(xì)菌
• D、用³²P標(biāo)記的噬菌體侵染細(xì)菌，保溫后攪拌離心，沉淀物中未見較強(qiáng)的放射性的原因一定是保溫時(shí)間過短

Answer 1

考點(diǎn)：噬菌體侵染細(xì)菌實(shí)驗(yàn)

專題：

分析：噬菌體侵染細(xì)菌的過程：吸附→注入（注入噬菌體的DNA）→合成（控制者：噬菌體的DNA；原料：細(xì)菌的化學(xué)成分）→組裝→釋放．噬菌體侵染細(xì)菌的實(shí)驗(yàn)步驟：分別用³⁵S或³²P標(biāo)記噬菌體→噬菌體與大腸桿菌混合培養(yǎng)→噬菌體侵染未被標(biāo)記的細(xì)菌→在攪拌器中攪拌，然后離心，檢測上清液和沉淀物中的放射性物質(zhì)．

解答： 解：A、艾弗里的實(shí)驗(yàn)不是以說明DNA是遺傳物質(zhì)是由于不能獲得純的DNA，A錯(cuò)誤；
B、用³⁵S標(biāo)記的噬菌體侵染細(xì)菌，攪拌離心后，沉淀物質(zhì)有放射性的原因是噬菌體外殼仍吸附在細(xì)菌上，沒有分離，B錯(cuò)誤；
C、用³²P標(biāo)記的噬菌體侵染細(xì)菌，保溫后攪拌離心，上清液有放射性的原因是親代噬菌體有少量未侵入細(xì)菌，離心后進(jìn)入了上清液中，C正確；
D、用³²P標(biāo)記的噬菌體侵染細(xì)菌，保溫后攪拌離心，沉淀物中未見較強(qiáng)的放射性的原因可能是保溫時(shí)間過短，噬菌體DNA沒有進(jìn)入細(xì)菌，D錯(cuò)誤．
故選：C．

點(diǎn)評：本題考查噬菌體侵染細(xì)菌實(shí)驗(yàn)的相關(guān)知識，意在考查學(xué)生的識記能力和判斷能力，運(yùn)用所學(xué)知識綜合分析問題和解決問題的能力．