Question

突觸后膜受體與相應(yīng)神經(jīng)遞質(zhì)相結(jié)合后，使突觸后神經(jīng)細(xì)胞興奮．在引起該突觸后神經(jīng)細(xì)胞興奮的過(guò)程中（　　）

• A、Na⁺通過(guò)被動(dòng)運(yùn)輸?shù)酵挥|后膜內(nèi)
• B、K⁺通過(guò)被動(dòng)運(yùn)輸?shù)酵挥|后膜內(nèi)
• C、Na⁺通過(guò)主動(dòng)運(yùn)輸?shù)酵挥|后膜內(nèi)
• D、K⁺通過(guò)主動(dòng)運(yùn)輸?shù)酵挥|后膜外

Answer 1

考點(diǎn)：神經(jīng)沖動(dòng)的產(chǎn)生和傳導(dǎo),細(xì)胞膜內(nèi)外在各種狀態(tài)下的電位情況,突觸的結(jié)構(gòu)

專題：

分析：靜息電位形成的原因是K⁺外流，動(dòng)作電位形成的原因是Na⁺內(nèi)流．

解答： 解：突觸后膜興奮，Na⁺通過(guò)協(xié)助擴(kuò)散進(jìn)入突觸后膜，協(xié)助擴(kuò)散屬于被動(dòng)運(yùn)輸，同時(shí)，K⁺通道關(guān)閉，不進(jìn)行跨膜運(yùn)輸．
故選：A．

點(diǎn)評(píng)：本題考查神經(jīng)沖動(dòng)過(guò)程離子的跨膜運(yùn)輸，考查知識(shí)點(diǎn)記憶，靜息電位與動(dòng)作電位形成原因．