分析 (1)小物塊從A到C的過程,由動(dòng)能定理求出C點(diǎn)的速度.在C點(diǎn),由牛頓第二定律求軌道對(duì)小物塊的支持力,再由牛頓第三定律得到小物塊對(duì)軌道的壓力.
(2)小物塊離開C點(diǎn)后做平拋運(yùn)動(dòng),由平拋運(yùn)動(dòng)的規(guī)律和幾何關(guān)系列式,聯(lián)立求解平拋運(yùn)動(dòng)的時(shí)間.
(3)根據(jù)數(shù)學(xué)知識(shí)得到小物體擊中斜面時(shí)動(dòng)能與釋放的初位置坐標(biāo)的關(guān)系式,由數(shù)學(xué)知識(shí)求解動(dòng)能的最小值.
解答 解:(1)小物塊從A到C的過程,由動(dòng)能定理得:$mglsin{37°}+mg(r-rcos{37°})-μmglcos{37°}=\frac{1}{2}m{v_0}^2$
代入數(shù)據(jù)解得:${v_0}=\sqrt{3}m/s$
在C點(diǎn),由牛頓第二定律得:$N-mg=m\frac{v_0^2}{r}$
代入數(shù)據(jù)解得:N=2.2N
由牛頓第三定律得,小物塊運(yùn)動(dòng)到C點(diǎn)時(shí)對(duì)軌道的壓力的大小為2.2N.
(2)如圖,設(shè)物體落到斜面上時(shí)水平位移為x,豎直位移為y,
$\frac{L-x}{y}=\frac{L}{H}$
代入得:x=0.3-1.5y
由平拋運(yùn)動(dòng)的規(guī)律得:
x=v0t,
$y=\frac{1}{2}g{t^2}$
聯(lián)立得 $15{t^2}+2\sqrt{3}t-0.6=0$
代入數(shù)據(jù)解得:$t=\frac{{\sqrt{3}}}{15}s$
(3)由上知 x=0.3-1.5y
$v_0^2{t^2}=v_0^2\frac{2y}{g}={(0.3-1.5y)^2}$
可得:$v_0^2=\frac{{g{{(0.3-1.5y)}^2}}}{2y}$
小物體擊中斜面時(shí)動(dòng)能為:${E_k}=\frac{1}{2}m{v_0}^2+mgy=\frac{0.09}{4}mg\frac{1}{y}+\frac{25}{16}mgy-\frac{0.9}{4}$
解得:當(dāng)y=0.12m,Ekmin=0.15J
答:(1)小物塊運(yùn)動(dòng)到C點(diǎn)時(shí)對(duì)軌道的壓力的大小是2.2N;
(2)小物塊從C點(diǎn)拋出到擊中斜面的時(shí)間是$\frac{\sqrt{3}}{15}$s;
(3)改變小物體從軌道上釋放的初位置,小物體擊中斜面時(shí)動(dòng)能的最小值是0.15J.
點(diǎn)評(píng) 解決本題的關(guān)鍵要掌握平拋運(yùn)動(dòng)的研究方法和運(yùn)動(dòng)規(guī)律,知道小球落在斜面上時(shí)具有的幾何關(guān)系,通過函數(shù)法求解動(dòng)能的最小值.
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 電子槍發(fā)射能力減弱,電子數(shù)減少 | |
B. | 加速電場(chǎng)的電壓過高,電子速率偏大 | |
C. | 偏轉(zhuǎn)線圈局部短路,線圈匝數(shù)減少 | |
D. | 偏轉(zhuǎn)線圈電流過大,偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)增強(qiáng) |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 力的合成與分解 | B. | 物體平衡條件 | ||
C. | 運(yùn)動(dòng)的合成與分解 | D. | 牛頓第三定律 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | P和Q兩點(diǎn)的電勢(shì)不相等 | |
B. | S點(diǎn)的電勢(shì)低于P點(diǎn)的電勢(shì) | |
C. | 帶電粒子在F點(diǎn)的電勢(shì)能小于在E點(diǎn)的電勢(shì)能 | |
D. | 帶電粒子在運(yùn)動(dòng)過程中加速度先變小后變大 |
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