A. | 小物塊可以達(dá)到A點(diǎn) | |
B. | 小物塊向左滑行的距離為6m | |
C. | 小物塊相對傳送帶滑動的位移為13.5m | |
D. | 小物塊在傳送帶上運(yùn)動時,因相互摩擦產(chǎn)生的熱量為36J |
分析 由牛頓第二定律求出物塊的加速度,然后應(yīng)用勻變速直線運(yùn)動的速度位移公式求出物塊向左運(yùn)動的位移,根據(jù)該位移與傳送帶長度的關(guān)系分析答題.
解答 解:A、對去看,由牛頓第二定律得:μmg=ma,解得:a=3m/s2,物塊向左做勻減速直線運(yùn)動,速度為零時的位移:x物塊=$\frac{{v}_{2}^{2}}{2a}$=6m<L=8m,物塊不能到達(dá)A點(diǎn),故A錯誤,B正確;
C、物體減速為零需要的時間:t=$\frac{{v}_{2}}{a}$=2s,在此時間內(nèi)傳送到達(dá)位移:x傳送帶=v1t=6m,物塊速度變?yōu)榱愫笙蛴易鰟蚣铀僦本運(yùn)動,加速到與傳送帶速度相等的時間:t′=$\frac{{v}_{1}}{a}$=1s,然后物塊與傳送帶一起向右做勻速直線運(yùn)動,物塊向右做勻加速直線運(yùn)動過程物塊的位移:x物塊′=$\frac{{v}_{1}}{2}$t′=1.5m,傳送帶的位移:x傳送帶′=v1t′=3m,物塊相對于傳送滑動的位移:△x=x物塊+x傳送帶+x傳送帶′-x物塊′=13.5m,故C正確;
D、小物塊在傳送帶上運(yùn)動時,因相互摩擦產(chǎn)生的熱量:Q=W=μmg△x=40.5J,故D錯誤;
故選:BC.
點(diǎn)評 本題考查了傳送帶問題,傳送帶模型是高中物理的典型模型,要掌握其解題思路與方法,分析清楚物塊運(yùn)動過程是正確解題的關(guān)鍵,應(yīng)用牛頓第二定律、運(yùn)動學(xué)公式與功的計算公式可以解題.
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | a1=a2=a3 | B. | v1>v2>v3 | C. | T1<T2<T3 | D. | F1<F2<F3 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | ω2=$\sqrt{2}$ω1 | B. | ω2=ω1 | C. | ω2=$\frac{\sqrt{2}}{2}$ω1 | D. | ω1=2ω2 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | α | B. | 2α | C. | π-α | D. | π-2α |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 支持力一定不做功 | B. | 摩擦力一定做正功 | ||
C. | 摩擦力可能不做功 | D. | 摩擦力一定做負(fù)功 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 一直變小 | B. | 一直變大 | C. | 先變小,后變大 | D. | 先變大,后變小 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 由R=$\frac{U}{I}$可知,電阻與電壓、電流都有關(guān)系 | |
B. | 由R=$\frac{ρl}{S}$可知,電阻與導(dǎo)體的長度和橫截面積都有關(guān)系 | |
C. | 各種材料的電阻率都與溫度有關(guān),金屬的電阻率隨溫度的升高而增大 | |
D. | 電阻率是表征材料導(dǎo)電性能好環(huán)的物理量,電阻率越大,其導(dǎo)電性能越好 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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