A. | 甲先落地 | B. | 乙先落地 | ||
C. | 甲線圈受安培力的沖量較大 | D. | 乙線圈落地速度較小 |
分析 先根據(jù)線框進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)安培力的大小,比較安培力做功的大小,再根據(jù)功能關(guān)系比較線框落地時(shí)速度的大小.根據(jù)動(dòng)量定理分析安培力沖量的大;再對(duì)全過(guò)程,運(yùn)用動(dòng)量定理列式,即可比較時(shí)間的長(zhǎng)短.
解答 解:D、線圈進(jìn)入磁場(chǎng)克服安培力做的功W=B$\overline{I}$L2,乙線框進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)速度較大,平均電流較大,線框克服安培力做功較多,即產(chǎn)生的熱量較多;根據(jù)能量守恒定律得知乙線框落地時(shí)的速度較。
C、線框穿過(guò)磁場(chǎng)區(qū)域過(guò)程受到的安培力是變力,設(shè)受到的平均安培力為F,穿過(guò)磁場(chǎng)的時(shí)間為△t,下落全過(guò)程的時(shí)間為t,落地速度為v.
安培力的沖量I安=B$\overline{I}$L△t=BLq,而q=$\frac{△Φ}{R}$=$\frac{B{L}^{2}}{R}$,所以線圈受安培力的沖量相等,C錯(cuò)誤;
AB、對(duì)全過(guò)程,由動(dòng)量定理得:mgt-BIL△t=mv,所以t=$\frac{mv+BLq}{mg}$,因?yàn)関乙<v甲,所以t乙<t甲,即乙線框先落地,故B正確,A錯(cuò)誤.
故選:BD.
點(diǎn)評(píng) 本題的關(guān)鍵要運(yùn)用動(dòng)量定理分析時(shí)間關(guān)系,還要掌握感應(yīng)電荷量的公式q=$\frac{△Φ}{R}$.對(duì)于變力情形,如果涉及電荷量、求位移問(wèn)題,常根據(jù)動(dòng)量定理結(jié)合法拉第電磁感應(yīng)定律、閉合電路的歐姆定律列方程進(jìn)行解答.
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | $\frac{7}{4}$倍 | B. | $\frac{5}{4}$倍 | C. | $\frac{4}{3}$倍 | D. | $\frac{3}{2}$倍 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 小球擺動(dòng)到最低點(diǎn)時(shí)細(xì)繩對(duì)小球的拉力大小為18N | |
B. | 小球擺動(dòng)到最低點(diǎn)時(shí),重力對(duì)小球做功的功率為0W | |
C. | 小球從釋放到第一次擺動(dòng)到最低點(diǎn)的過(guò)程中損失的機(jī)械能為1J | |
D. | 小球從釋放到第一次擺動(dòng)到最低點(diǎn)的過(guò)程中重力做功為9J |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 玻璃對(duì)a光的折射率小于對(duì)b光的折射率 | |
B. | 在玻璃中,a光的速度大于B光的速度 | |
C. | a光在真空中的波長(zhǎng)小于b光在真空中的波長(zhǎng) | |
D. | 以同一入射角從某介質(zhì)射入空氣.若a光恰好發(fā)生全反射,則b光一定能發(fā)生全反射 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 只有線路1 | B. | 只有線路2 | C. | 只有線路3 | D. | 以上線路均可以 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
內(nèi)容名稱 (物理概念、定理或公式) | 理解與應(yīng)用要點(diǎn)梳理 (包括:原定義,公式不需要寫(xiě)出,重點(diǎn)寫(xiě)出以下內(nèi)容:內(nèi)容要點(diǎn)把握、應(yīng)用注意事項(xiàng)、經(jīng)常使用的重要結(jié)論、形式等) | |
功能關(guān)系 (至少寫(xiě)出兩個(gè)功能關(guān)系) |
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