3.如圖所示,在xoy平面內(nèi),過原點O的虛 線MN與y軸成45°角,在MN左側空間有沿y軸負方向的勻強電場,在MN右側空間存在著磁感應強度為B、方向垂直紙面向里的勻強磁場.質量為m、帶電量為q的正、負兩 個帶電粒子,從坐標原點O沿y軸負方向以速度v0射入磁場區(qū),在磁場中運動一段時間后進入電場區(qū),已知電場強度為E=2Bv0,不計重力,求:
(1)兩個帶電粒子離開磁場時的位置坐標間的距離d;
(2)帶負電的粒子從原點O進人磁場區(qū)域到再次抵達x軸的時間t;
(3)帶負電的粒子從原點O進人磁場區(qū)域到再次抵達x軸的位置坐標x.

分析 (1)應用洛倫茲力等于向心力求出軌跡半徑,利用幾何知識求解兩個帶電粒子離開磁場時的位置坐標間的距離d.
(2)根據(jù)粒子的偏轉角求在磁場中運動的時間.粒子離開磁場后做類平拋運動,由類平拋運動的規(guī)律求出電場中運動時間,即可求得總時間.
(3)根據(jù)幾何關系和磁場中圓周運動的半徑公式結合,求帶負電的粒子從原點O進人磁場區(qū)域到再次抵達x軸的位置坐標x.

解答 解:(1)正負粒子在磁場中運動時,有 qv0B=m$\frac{{v}_{0}^{2}}{R}$
 對于帶正電的粒子,離開磁場的位置坐標為(R,R)
 對于帶負電的粒子,離開磁場的位置坐標為(-R,-R).兩個帶電粒子離開磁場的位置坐標之間的距離為
△x=$\sqrt{[R-(-R)]^{2}+[R-(-R)]^{2}}$=2$\sqrt{2}$R=$\frac{2\sqrt{2}m{v}_{0}}{qB}$
 (2)對于帶負電的粒子,在磁場中運動的時間為 t1=$\frac{T}{4}$=$\frac{πm}{2qB}$
粒子離開磁場后做類平拋運動,沿y軸方向上,有 qE=ma,R=$\frac{1}{2}a{t}_{2}^{2}$
沿x軸方向上,有 x2=v0t2
所求時間 t=t1+t2,
聯(lián)立解得:t=$\frac{(π+2)m}{2qB}$
(3)沿x軸方向上位移 x=x2+R
故x=2$\frac{m{v}_{0}}{qB}$             
即位置坐標為(-2$\frac{m{v}_{0}}{qB}$,0).
答:
(1)兩個帶電粒子離開磁場時的位置坐標間的距離d為$\frac{2\sqrt{2}m{v}_{0}}{qB}$;
(2)帶負電的粒子從原點O進人磁場區(qū)域到再次抵達x軸的時間t是$\frac{(π+2)m}{2qB}$;
(3)帶負電的粒子從原點O進人磁場區(qū)域到再次抵達x軸的位置坐標x為(-2$\frac{m{v}_{0}}{qB}$,0).

點評 本題屬于帶電粒子在組合場中運動問題,磁場中圓周運動處理的基本方法是畫軌跡,電場中運用運動的合成和分解,注意研究方法的區(qū)別.

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13.下列說法正確的是 ( 。
A.發(fā)現(xiàn)中子的核反應方程是${\;}_{4}^{9}$Be+${\;}_{2}^{4}$He→${\;}_{6}^{12}$C+${\;}_{0}^{1}$
B.結合能越大,原子核結構一定越穩(wěn)定
C.如果使用某種頻率的光不能使某金屬發(fā)生光電效應,則需增大入射光的光照強度才行
D.發(fā)生β衰變時,元素原子核的質量數(shù)不變,電荷數(shù)增加1
E.在相同速率情況下,利用質子流比利用電子流制造的顯微鏡將有更高的分辨率

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14.如圖所示,直角三角形ABC是一玻璃磚的橫截面,AB=L,∠C=90°,∠A=60°.一束單色光PD從AB邊上的D點射入玻璃磚,入射角為45°,DB=$\frac{L}{4}$,折射光DE恰好射到玻璃磚BC邊的中點E,已知光在真空中的傳播速度為C.求:
(。┎AТu的折射率;
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11.某理想變壓器原、副線圈匝數(shù)比為2:1,原線圈所接電源電壓按圖示規(guī)律變化,副線圈接一負載,并用交流電壓表測其兩端電壓.下列判斷正確的是( 。
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B.原、副線圈中電流之比為2:1
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b.閉合S、S2,斷開S1(填“S1”或“S2”),調節(jié)電阻箱的電阻值為R時,電流表的示數(shù)也為I.此時滑動變阻器接入電路的阻值為R.
(2)利用該電路測出電源電動勢和內(nèi)電阻
①實驗步驟是:
a.在閉合開關前,調節(jié)電阻R1或R2至最大值(選填“最大值”或“最小值”),之后閉合開關S,再閉合S1(選填“S1”或“S2”);
b.調節(jié)電阻R1(選填“R1”或“R2”),得到一系列電阻值和電流的數(shù)據(jù);
c.斷開開關,整理實驗儀器.
②圖乙是由實驗數(shù)據(jù)繪出的$\frac{1}{I}$-R圖象,圖象縱軸截距與電源電動勢的乘積代表內(nèi)電阻和電流表的內(nèi)阻之和,電源電動勢E=6.0V,內(nèi)阻r=2.8Ω(計算結果保留兩位有效數(shù)字).

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