2.如圖所示,頂角θ=60°的金屬導(dǎo)軌MON固定在水平面內(nèi),導(dǎo)軌處在方向豎直、磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中.一根與ON垂直的導(dǎo)體棒在水平外力作用下以恒定速度v0沿導(dǎo)軌MON向右滑動(dòng),導(dǎo)體棒的質(zhì)量為m,導(dǎo)體棒單位長(zhǎng)度的電阻均為r,導(dǎo)體棒與導(dǎo)軌接觸點(diǎn)的a和b,導(dǎo)體棒在滑動(dòng)過(guò)程中始終保持與導(dǎo)軌良好接觸.t=0時(shí),導(dǎo)體棒位于頂角O處,金屬導(dǎo)軌MON的電阻不計(jì)且光滑.求:
(1)t時(shí)刻流過(guò)導(dǎo)體棒的電流強(qiáng)度I和電流方向.
(2)導(dǎo)體棒作勻速直線運(yùn)動(dòng)時(shí)水平外力F的表達(dá)式.
(3)導(dǎo)體棒在0~t時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生的焦耳熱Q.

分析 (1)求出t時(shí)刻導(dǎo)體棒的有效長(zhǎng)度,結(jié)合切割產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)和閉合電路歐姆定律求出電流強(qiáng)度的大小,根據(jù)右手定則求出電流的方向.
(2)當(dāng)導(dǎo)體棒做勻速直線運(yùn)動(dòng)時(shí),水平外力等于安培力,根據(jù)平衡求出水平拉力的表達(dá)式.
(3)導(dǎo)體棒在0~t時(shí)間內(nèi)電流大小恒定,抓住R與時(shí)間正比,通過(guò)平均功率,根據(jù)Q=Pt求出產(chǎn)生的焦耳熱Q.

解答 解:(1)0到t時(shí)間內(nèi),導(dǎo)體棒的位移 x=v0t
t時(shí)刻,回路中導(dǎo)體棒有效切割長(zhǎng)度 l=xtanθ
回路中感應(yīng)電動(dòng)勢(shì) E=Blv0
回路總電阻 R=(2x+$\frac{x}{cosθ}$)r=3xr
電流強(qiáng)度 I=$\frac{E}{R}$
聯(lián)立解得 I=$\frac{\sqrt{3}B{v}_{0}}{3r}$,棒中電流方向?yàn)閎到a.
(2)勻速直線運(yùn)動(dòng)時(shí),安培力等于拉力.
 F=BlI=B•v0ttanθ•$\frac{\sqrt{3}B{v}_{0}}{3r}$=$\frac{{B}^{2}{v}_{0}^{2}t}{r}$
(3)在t時(shí)刻導(dǎo)體棒的電阻 R=r•v0t•tanθ=$\sqrt{3}$rv0t,R∝t
由于電流I恒定,因此導(dǎo)體棒在0~t時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生的焦耳熱 Q=I2$\frac{0+R}{2}t$=$\frac{\sqrt{3}{B}^{2}{v}_{0}^{3}{t}^{2}}{6r}$
答:
(1)t時(shí)刻流過(guò)導(dǎo)體棒的電流強(qiáng)度I是$\frac{\sqrt{3}B{v}_{0}}{3r}$,棒中電流方向?yàn)閎到a.
(2)導(dǎo)體棒作勻速直線運(yùn)動(dòng)時(shí)水平外力F的表達(dá)式是F=$\frac{{B}^{2}{v}_{0}^{2}t}{r}$.
(3)導(dǎo)體棒在0~t時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生的焦耳熱Q是$\frac{\sqrt{3}{B}^{2}{v}_{0}^{3}{t}^{2}}{6r}$.

點(diǎn)評(píng) 本題綜合考查了切割產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)、閉合電路歐姆定律、牛頓第二定律等知識(shí)點(diǎn).要注意不能只根據(jù)感應(yīng)電電動(dòng)勢(shì)變化,認(rèn)為感應(yīng)電流減小,其實(shí)電阻也增大,感應(yīng)電流是不變的.

練習(xí)冊(cè)系列答案
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題

12.一汽車通過(guò)拱行橋時(shí)速度為5m/s,車對(duì)橋頂?shù)膲毫檐囍氐?\frac{3}{4}$,如果要使汽車在橋頂時(shí)對(duì)橋面無(wú)壓力,車速至少為多大( 。
A.10m/sB.15m/sC.20m/sD.25m/s

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題

13.如圖所示,光滑的平行金屬導(dǎo)軌水平放置,電阻不計(jì),導(dǎo)軌間距為l,左側(cè)接一阻值為R的電阻.區(qū)域cdef內(nèi)存在垂直軌道平面向下的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁場(chǎng)寬度為s.一質(zhì)量為m、電阻為r的金屬棒MN置于導(dǎo)軌上,與導(dǎo)軌垂直且接觸良好,受到F=0.5v+0.4(N)(v為金屬棒速度)的水平外力作用,從磁場(chǎng)的左邊界由靜止開始運(yùn)動(dòng),測(cè)得電阻兩端電壓隨時(shí)間均勻增大.(已知:l=1m,m=1kg,R=0.3Ω,r=0.2Ω,s=1m)
(1)判斷該金屬棒在磁場(chǎng)中是否做勻加速直線運(yùn)動(dòng);
(2)求加速度的大小和磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大。
(3)若撤去外力后棒的速度v隨位移x的變化規(guī)律滿足v=v0-$\frac{{B}^{2}{l}^{2}}{m(R+r)}$x,且棒在運(yùn)動(dòng)到ef處時(shí)恰好靜止,則外力F作用的時(shí)間為多少?
(4)若在棒未出磁場(chǎng)區(qū)域時(shí)撤出外力,畫出棒在整個(gè)運(yùn)動(dòng)過(guò)程中速度隨位移變化所對(duì)應(yīng)的各種可能的圖線.

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題

10.某宇宙飛船正在繞地球作勻速圓周運(yùn)動(dòng),它的周期為T,設(shè)地球質(zhì)量為M,半徑為R,萬(wàn)有引力衡量為G,試求:
(1)該飛船的運(yùn)動(dòng)軌道離地面的高度;
(2)若飛船內(nèi)的宇航員以一定的速度拋出一小球,則該小球相對(duì)于宇航員做什么運(yùn)動(dòng).

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題

17.下列有關(guān)衍射和干涉的說(shuō)法,正確的是( 。
A.雨后天空出現(xiàn)絢麗的彩虹是光的衍射現(xiàn)象
B.太陽(yáng)光通過(guò)三棱鏡產(chǎn)生的彩色條紋是光的衍射現(xiàn)
C.陽(yáng)光下肥皂膜上的彩色條紋是光的干涉現(xiàn)象
D.對(duì)著日光燈從鉛筆縫里看到的彩色條紋是光的干涉現(xiàn)象

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題

7.游樂(lè)場(chǎng)的過(guò)山車可以底朝上在圓軌道上運(yùn)行,游客卻不會(huì)掉下來(lái).我們把這種情形抽象為如圖所示的模型:弧形軌道的下端與豎直圓軌道相接,使小球從弧形軌道上端從靜止?jié)L下后,進(jìn)入圓軌道下端并沿圓軌道運(yùn)動(dòng).如果h可調(diào),圓軌道的半徑為R,不考慮摩擦等阻力,為使小球不脫離軌道,則h的取值范圍是(  )
A.h>$\frac{5}{2}R$B.h>RC.h<RD.R<h<$\frac{5}{2}R$

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題

14.在光滑平面中,有一轉(zhuǎn)動(dòng)軸垂直于此平面,交點(diǎn)O的上方h處固定一細(xì)繩的一端,繩的另一端固定一質(zhì)量為m的小球B,繩長(zhǎng)AB=l>h,小球可隨轉(zhuǎn)動(dòng)軸轉(zhuǎn)動(dòng)并在光滑水平面上做勻速圓周運(yùn)動(dòng),如圖所示,要使球不離開水平面,轉(zhuǎn)動(dòng)軸轉(zhuǎn)速的最大值是( 。
A.$\frac{1}{2π}$$\sqrt{\frac{g}{h}}$B.π$\sqrt{gh}$C.$\frac{1}{2π}$$\sqrt{\frac{g}{l}}$D.2π$\sqrt{\frac{l}{g}}$

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題

11.如圖,足夠大的光滑絕緣水平面上有三個(gè)點(diǎn)電荷M、O、N,電荷O恰能保持靜止,電荷M、N均圍繞電荷O做勻速圓周運(yùn)動(dòng).已知電荷M、N與電荷O的距離分別為L(zhǎng)1、L2.(不計(jì)萬(wàn)有引力作用)下列說(shuō)法中正確的是( 。
A.M與N帶有異種電荷B.M與N所帶電荷量之比為($\frac{{L}_{1}}{{L}_{2}}$)2
C.M與N的質(zhì)量之比為($\frac{{L}_{1}}{{L}_{2}}$)2D.M與N的比荷之比為 ($\frac{{L}_{1}}{{L}_{2}}$)3

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題

12.導(dǎo)熱性能良好的氣缸和活塞,密封一定質(zhì)量的理想氣體,氣缸固定不動(dòng),保持環(huán)境溫度不變,現(xiàn)在將活塞向下緩慢移動(dòng)一段距離,則( 。
A.外界對(duì)氣體做功同時(shí)氣體放出熱量,且內(nèi)能不變
B.氣體對(duì)外界做功同時(shí)氣體吸收熱量,且內(nèi)能增大
C.氣缸內(nèi)每個(gè)氣體分子的動(dòng)能保持不變
D.單位時(shí)間內(nèi)撞擊到器壁上單位面積的分子數(shù)增加

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