A. | 完全進(jìn)入磁場(chǎng)中時(shí)線圈的速度大于$\frac{{v}_{0}+v}{2}$ | |
B. | 完全進(jìn)入磁場(chǎng)中時(shí)線圈的速度等于$\frac{{v}_{0}+v}{2}$ | |
C. | 完全進(jìn)入磁場(chǎng)中時(shí)線圈的速度小于$\frac{{v}_{0}+v}{2}$ | |
D. | 條件不足,無法判斷 |
分析 線框進(jìn)入和穿出磁場(chǎng)過程,受到安培力作用而做減速運(yùn)動(dòng),根據(jù)動(dòng)量定理和電量q=I△t分析電量的關(guān)系.根據(jù)感應(yīng)電量q=$\frac{△Φ}{R}$,分析可知兩個(gè)過程線框磁通量變化量大小大小相等,兩個(gè)過程電量相等,聯(lián)立就可求出完全進(jìn)入磁場(chǎng)中時(shí)線圈的速度.
解答 解:對(duì)線框進(jìn)入或穿出磁場(chǎng)過程,設(shè)初速度為v1,末速度為v2.由動(dòng)量定理可知:
B$\overline{I}$L△t=mv2-mv1,又電量q=$\overline{I}$△t,得
m(v2-v1)=BLq,
得速度變化量△v=v2-v1=$\frac{BLq}{m}$
由q=$\frac{△Φ}{R}$可知,進(jìn)入和穿出磁場(chǎng)過程,磁通量的變化量相等,
則進(jìn)入和穿出磁場(chǎng)的兩個(gè)過程通過導(dǎo)線框橫截面積的電量相等,
故由上式得知,進(jìn)入過程導(dǎo)線框的速度變化量等于離開過程導(dǎo)線框的速度變化量.
設(shè)完全進(jìn)入磁場(chǎng)中時(shí),線圈的速度大小為v′,則有
v0-v′=v′-v,
解得,v′=$\frac{{v}_{0}+v}{2}$;故B正確,ACD錯(cuò)誤.
故選:B
點(diǎn)評(píng) 本題考查導(dǎo)體切割磁感線規(guī)律的應(yīng)用,要注意根據(jù)動(dòng)量定理求解電量或速度的變化是常用的方法,還要掌握感應(yīng)電荷量公式q=$\frac{△Φ}{R}$,即可進(jìn)行分析.
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 30km•h-1 | B. | 80km•h-1 | C. | 110km•h-1 | D. | 160km•h-1 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 電場(chǎng)強(qiáng)度的方向垂直AB向上 | |
B. | 電場(chǎng)強(qiáng)度的方向沿OC連線向上 | |
C. | 粒子在A點(diǎn)垂直電場(chǎng)方向發(fā)射,若恰能落到C點(diǎn).則初動(dòng)能為$\frac{qER}{8}$ | |
D. | 粒子在A點(diǎn)垂直電場(chǎng)方向發(fā)射,若恰能落到C點(diǎn),則初動(dòng)能為為$\frac{qER}{4}$ |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 小球拋出時(shí)離地面的高度是10m | |
B. | 小球從拋出點(diǎn)到落地點(diǎn)的水平位移大小是5m | |
C. | 小球落地時(shí)的速度大小是15m/s | |
D. | 小球落地時(shí)的速度大小是5$\sqrt{2}$ m/s |
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 1:1:1 | B. | 2:2:1 | C. | 2:4:1 | D. | 4:2:18 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | T表示行星運(yùn)動(dòng)的自轉(zhuǎn)周期 | B. | T表示行星運(yùn)動(dòng)的公轉(zhuǎn)周期 | ||
C. | k是一個(gè)與行星有關(guān)的常量 | D. | a代表行星的半徑 |
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