14.一質(zhì)量為m、電阻為r的金屬桿ab,以一定的初速度v0從一光滑平行金屬導(dǎo)軌底端向上滑行,導(dǎo)軌平面與水平面成30°角,兩導(dǎo)軌上端用一電阻R相連,如圖所示,磁場(chǎng)垂直斜面向上,導(dǎo)軌的電阻不計(jì),金屬桿始終與導(dǎo)軌接觸良好,金屬桿向上滑行到某一高度之后又返回到底端時(shí)的速度大小為v,則金屬桿在滑行過程中( 。
A.向上滑行與向下滑行的時(shí)間相等
B.向上滑行與向下滑行時(shí)電阻R上產(chǎn)生的熱量相等
C.向上滑行與向下滑行時(shí)通過金屬桿的電荷量相等
D.向上滑行與向下滑行時(shí)金屬桿克服安培力做的功相等

分析 本題首先要正確分析金屬桿的受力情況和運(yùn)動(dòng)情況:金屬桿上滑過程和下滑過程回路中均有電熱產(chǎn)生,金屬桿從底端滑上去再滑回底端高度不變,金屬桿的重力勢(shì)能不變,只有動(dòng)能轉(zhuǎn)化為電熱,故金屬桿再滑回底端時(shí)速度(設(shè)為v2)必然小于初速度,即v2<v0,所以上滑階段的平均速度大于下滑階段的平均速度.

解答 解:A、由于不斷產(chǎn)生電能,棒的機(jī)械能不斷減少,上滑過程與下滑過程經(jīng)過同一位置時(shí)上滑的速度較大,所以上滑階段的平均速度大于下滑階段的平均速度,而上滑階段的位移與下滑階段的位移大小相等,所以上滑過程的時(shí)間比下滑過程短,故A錯(cuò)誤.
B、上滑過程中,導(dǎo)體棒經(jīng)過同一位置安培力較大,所以上滑過程中安培力的平均值較大,克服安培力做功較多,回路產(chǎn)生的總熱量較多,則向上滑行時(shí)電阻R上產(chǎn)生的熱量較多,故B錯(cuò)誤.
C、電量q=$\overline{I}$•△t=$\frac{\overline{E}}{R}$△t=$\frac{△Φ}{R}$,由于上行與下行過程中磁通量變化量大小相等,故上滑階段和下滑階段通過R的電荷量相同,故C正確;
D、金屬桿克服安培力做的功等于回路產(chǎn)生的熱量,則知向上滑行時(shí)金屬桿克服安培力做的功較多,故D錯(cuò)誤.
故選:C.

點(diǎn)評(píng) 解決這類問題的關(guān)鍵時(shí)分析受力,進(jìn)一步確定運(yùn)動(dòng)性質(zhì),并明確判斷各個(gè)階段及全過程的能量轉(zhuǎn)化.

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:選擇題

9.在x=-0.5m處有一波源,產(chǎn)生沿x軸正方向傳播的簡諧橫波,傳到坐標(biāo)原點(diǎn)時(shí)的波形如圖所示.當(dāng)此波到達(dá)P點(diǎn)時(shí),處于原點(diǎn)的O處的質(zhì)點(diǎn)所通過的路程和該時(shí)刻的位移分別是( 。
A.10.25 m,2 cmB.10.25 m,-2 cmC.82 cm,-2 cmD.82 cm,2 cm

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科目:高中物理 來源: 題型:解答題

10.乒乓球是速度較快的球類運(yùn)動(dòng)項(xiàng)目,假設(shè)在某次比賽中,乒乓球飛來的速度大小為v,運(yùn)動(dòng)員將球以大小為4v的速度反向擊回,乒乓球的質(zhì)量為m,乒乓球與球拍作用的時(shí)間為△t,在運(yùn)動(dòng)員擊球的過程中,求:
(1)乒乓球動(dòng)量的變化量.
(2)乒乓球動(dòng)能的變化量.
(3)乒乓球所受的平均作用力.

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科目:高中物理 來源: 題型:多選題

2.如圖所示,用材料、粗細(xì)相同的金屬導(dǎo)線制成兩個(gè)正方形線框Ⅰ和Ⅱ,Ⅰ線框的邊長是Ⅱ線框邊長的2倍,現(xiàn)將它們置于勻強(qiáng)磁場(chǎng)的邊界,分別用力F1、F2把線框Ⅰ和Ⅱ勻速拉進(jìn)磁場(chǎng),運(yùn)動(dòng)過程中線框平面始終與磁場(chǎng)方向垂直.如果拉力的功率相同,在線框拉進(jìn)磁場(chǎng)的過程中有( 。
A.線框Ⅰ的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)比線框Ⅱ的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)大
B.線框Ⅰ的感應(yīng)電流比線框Ⅱ的感應(yīng)電流大
C.線框Ⅰ的運(yùn)動(dòng)速度比線框Ⅱ的運(yùn)動(dòng)速度大
D.線框Ⅰ的拉力F1比線框Ⅱ的拉力F2

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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題

9.如圖所示,質(zhì)量為m1的不帶電小環(huán)A套在動(dòng)摩擦因數(shù)為μ=$\frac{\sqrt{3}}{3}$的豎直桿上,其最大靜摩擦力等于滑動(dòng)摩擦力,一質(zhì)量為m2、帶電荷量為+q的小球B與A用一絕緣細(xì)線相連,整個(gè)裝置處于勻強(qiáng)電場(chǎng)中,恰好保持靜止,則當(dāng)電場(chǎng)強(qiáng)度E存在最小值時(shí),E與水平方向的夾角θ為(  )
A.B.30°C.45°D.60°

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科目:高中物理 來源: 題型:解答題

19.如圖甲,單匝圓形線圈c與電路連接,電阻R2兩端與平行光滑金屬直導(dǎo)軌p1e1f1、p2e2f2連接.垂直于導(dǎo)軌平面向下、向上有矩形勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域Ⅰ、Ⅱ,它們的邊界為e1e2,區(qū)域Ⅰ中垂直導(dǎo)軌并緊靠e1e2平放一導(dǎo)體棒ab.兩直導(dǎo)軌分別與同一豎直平面內(nèi)的圓形光滑絕緣導(dǎo)軌o1、o2相切連接,o1、o2在切點(diǎn)f1、f2處開有小口可讓ab進(jìn)入,ab進(jìn)入后小口立即閉合.
已知:o1、o2的直徑和直導(dǎo)軌間距均為d,c的直徑為2d;電阻R1、R2的阻值均為R,其余電阻不計(jì);直導(dǎo)軌足夠長且其平面與水平面夾角為60°,區(qū)域Ⅰ的磁感強(qiáng)度為B0.重力加速度為g.在c中邊長為d的正方形區(qū)域內(nèi)存在垂直線圈平面向外的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁感強(qiáng)度B隨時(shí)間t變化如圖乙所示,ab在t=0~$\sqrt{\frac{2d}{g}}$內(nèi)保持靜止.
(1)求ab靜止時(shí)通過它的電流大小和方向;
(2)求ab的質(zhì)量m;
(3)設(shè)ab進(jìn)入圓軌道后能達(dá)到離f1f2的最大高度為h,要使ab不脫離圓形軌道運(yùn)動(dòng),求區(qū)域Ⅱ的磁感強(qiáng)度B2的取值范圍并討論h與B2的關(guān)系式.

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科目:高中物理 來源: 題型:多選題

6.如圖所示為某種質(zhì)譜儀的工作原理示意圖.此質(zhì)譜儀由以下幾部分構(gòu)成:粒子源N;P、Q間的加速電場(chǎng);靜電分析器,即中心線半徑為R的四分之一圓形通道,通道內(nèi)有均勻輻射電場(chǎng),方向沿徑向指向圓心O,且與圓心O等距的各點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度大小相等;磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng),方向垂直紙面向外;膠片M.由粒子源發(fā)出的不同帶電粒子,經(jīng)加速電場(chǎng)加速后進(jìn)入靜電分析器,某些粒子能沿中心線通過靜電分析器并經(jīng)小孔S垂直磁場(chǎng)邊界進(jìn)入磁場(chǎng),最終打到膠片上的某點(diǎn).粒子從粒子源發(fā)出時(shí)的初速度不同,不計(jì)粒子所受重力.下列說法中正確的是(  )
A.從小孔S進(jìn)入磁場(chǎng)的粒子速度大小一定相等
B.從小孔S進(jìn)入磁場(chǎng)的粒子動(dòng)能一定相等
C.打到膠片上同一點(diǎn)的粒子速度大小一定相等
D.打到膠片上位置距離O點(diǎn)越近的粒子,比荷越大

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科目:高中物理 來源: 題型:解答題

3.假設(shè)銀河系的物質(zhì)在宇宙中呈球?qū)ΨQ分布,其球心為銀心,距離銀心相等處的銀河質(zhì)量分布相同.又假定距銀心距離為r處的物質(zhì)受到銀河系的萬有引力和將以r為半徑的球面內(nèi)所有銀河系物質(zhì)集中于銀心時(shí)所產(chǎn)生的萬有引力相同.已知地球到太陽中心的距離R0,太陽到銀心的距離a=1.75×108年,太陽質(zhì)量為Ms,銀河系中發(fā)光的物質(zhì)僅分布在r≤1.5a的范圍內(nèi).目前可能測(cè)得繞銀心運(yùn)動(dòng)的物體距銀心的距離不大于6a,且a≤r≤6a范圍內(nèi),物體繞銀心運(yùn)動(dòng)的速度是一恒量.按上述條件解答:
(1)論證銀河系物質(zhì)能否均勻分布;
(2)計(jì)算銀河系中發(fā)光的物質(zhì)質(zhì)量最多有多少;
(3)計(jì)算整個(gè)銀河系物質(zhì)質(zhì)量至少有多少;
(4)計(jì)算銀河系中不發(fā)光物質(zhì)(即暗物質(zhì))質(zhì)量至少有多少.(上述計(jì)算結(jié)果均用太陽質(zhì)量Ms表示)

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4.如果加在某定值電阻兩端的電壓從6V升高到10V,通過該電阻的電流變化了0.1A,則該電阻的電功率變化了( 。
A.1.6WB.4.0WC.0.4WD.3.4W

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