A. | 通過導(dǎo)線的電流為$\frac{I}{8}$ | |
B. | 通過導(dǎo)線的電流為$\frac{I}{16}$ | |
C. | 導(dǎo)線中自由電子定向移動(dòng)的速率為$\frac{v}{4}$ | |
D. | 導(dǎo)線中自由電子定向移動(dòng)的速率為$\frac{v}{2}$ |
分析 將金屬導(dǎo)線均勻拉長(zhǎng),半徑變?yōu)橐话,則橫截面積變?yōu)樵瓉淼?\frac{1}{4}$倍,則其長(zhǎng)度變?yōu)樵瓉淼?倍,根據(jù)電阻定律R=$ρ\frac{L}{S}$分析電阻的變化,由歐姆定律分析電流的變化.由電流的微觀表達(dá)式I=nevS分析平均速率v的變化.
解答 解:A、B將金屬導(dǎo)線均勻拉長(zhǎng),因半徑變?yōu)樵瓉淼囊话,則橫截面積變?yōu)樵瓉淼?\frac{1}{4}$倍,其長(zhǎng)度變?yōu)樵瓉淼?倍,根據(jù)電阻定律R=$ρ\frac{L}{S}$分析得到,電阻變?yōu)樵瓉淼?6倍,電壓變?yōu)樵瓉淼?U;根據(jù)歐姆定律I=$\frac{U}{R}$可知,電流I變?yōu)?\frac{I}{8}$.故A正確,B錯(cuò)誤.
C、D電流的微觀表達(dá)式I=nevS,其中n、e不變,電流I為原來的$\frac{1}{8}$,橫截面積S變?yōu)樵瓉淼?\frac{1}{4}$倍,則自由電子定向移動(dòng)的平均速率為$\frac{v}{2}$.故C錯(cuò)誤,D正確.
故選:AD
點(diǎn)評(píng) 本題關(guān)鍵要抓住物理量之間的關(guān)系,要在理解的基礎(chǔ)上記住電流的微觀表達(dá)式;正確應(yīng)用電阻定律求解電阻的變化.
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | c點(diǎn)電勢(shì)為20V | |
B. | 質(zhì)子從b運(yùn)動(dòng)到c所用的時(shí)間為$\frac{\sqrt{2}l}{{v}_{0}}$ | |
C. | 場(chǎng)強(qiáng)的方向由a指向c | |
D. | 質(zhì)子從b運(yùn)動(dòng)到c電場(chǎng)力做功為8電子伏 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | t=0時(shí),線框右側(cè)邊MN的兩端電壓為Bav0 | |
B. | 在t0時(shí)刻線框的速度為v0-$\frac{2F{t}_{0}}{m}$ | |
C. | 線框完全離開磁場(chǎng)的瞬間位置3速度一定比t0時(shí)刻線框的速度大 | |
D. | 線框從1位置進(jìn)入磁場(chǎng)到完全離開磁場(chǎng)位置3過程中,線框中產(chǎn)生的電熱為2Fb |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | P點(diǎn)與R點(diǎn)的角速度相同,但P的半徑更大,所以P的向心加速度大于R | |
B. | P點(diǎn)的半徑比R點(diǎn)的半徑大,所以P點(diǎn)的角速度較大 | |
C. | P點(diǎn)與Q點(diǎn)的線速度相等,所以向心加速度也相同 | |
D. | Q點(diǎn)與R點(diǎn)的半徑相同,所以向心加速度也相同 |
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